【時報記者葉時安台北報導】美光(Nasdaq：MU)周四宣布其多重存取雙列直插式記憶體模組(multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM)開始送樣，並將於2024年下半年開始大量出貨。其為MRDIMM系列的第一代產品，與Intel Xeon 6處理器相容。後續世代的MRDIMM將維持記憶體頻寬優勢，每通道頻寬較同代RDIMM提升多達45%。 美光MRDIMM使客戶得以滿足要求日益嚴苛的工作負載，發揮運算基礎架構的最大價值。針對記憶體需求高達每DIMM插槽128GB以上的應用，美光MRDIMM的效能更勝目前的矽晶穿孔型(TSV)RDIMM，實現最高頻寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速記憶體密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI資料中心等的工作負載。 美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的創新主記憶體解決方案MRDIMM以更低的延遲提供業界迫切需要的高頻寬與大容量，有助在下一代伺服器平台上實現大規模AI推論和高效能運算(HPC)應用。MRDIMM顯著降低每項任務的功耗，同時延續了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與介面，為客戶提供靈活擴充效能的解決方案。由於美光與業界緊密合作，因此新產品不僅能夠無縫整合到現有伺服器基礎架構中，更可順暢銜接未來運算平台。 MRDIMM技術採用DDR5的物理與電氣標準，帶來更先進的記憶體，每核心的頻寬與容量雙雙提升，為未來運算系統做好準備，更滿足資料中心工作負載日益成長的需求。相較於RDIMM ，MRDIMM具有三大優勢，為記憶體有效頻寬提升多達39%、匯流排效率提高15%以上、延遲降低高達40%。 MRDIMM支援從32GB到256GB的容量範圍；提供標準尺寸和加高尺寸(TFF)兩種規格，適用於1U和2U高效能伺服器。TFF模組採用先進散熱設計，在相同功率和氣流條件下，DRAM溫度可降低20°C之多，進而提升資料中心的冷卻效率，並優化記憶體密集型工作負載的系統總能耗。在最高資料傳輸率下，256GB TFF MRDIMM的效能較同容量的TSV RDIMM提升35%。採用256GB TFF MRDIMM，資料中心可享受前所未有的整體擁有成本(TCO)優勢，大勝傳統TSV RDIMM。
【時報記者葉時安台北報導】美光宣布其採用高容量單片32Gb DRAM晶粒的128GB DDR5 RDIMM記憶體正式驗證與出貨。美光128GB DDR5 RDIMM記憶體速度高達5600 MT/s，適用於各種先進伺服器平台，該產品採用美光領先業界的1beta技術，相比其他3DS直通矽晶穿孔(TSV)堆疊的產品，位元密度提升超過45%，能源效率提升22%，延遲則降低16%。 美光與業界領導業者、客戶的合作，使全新高效能、大容量模組得以在大量伺服器中央處理器(CPU)中獲廣泛採用。這些高速記憶體模組專為滿足資料中心各種關鍵任務應用程式的效能需求而設計，包含人工智慧(AI)、機器學習(ML)、高效能運算(HPC)、記憶體資料庫(IMDBs)、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等。美光128GB DDR5 RDIMM記憶體將獲超微AMD、慧與科技HPE、英特爾Intel、美超微Supermicro等強大生態系統支援。 美光128GB DDR5 RDIMM記憶體現可直接供貨，亦可於2024年6月透過全球指定通路經銷商和分銷商提供。作為其完整資料中心記憶體產品組合的一部分，美光提供廣泛產品選擇，包括DDR5 RDIMM、MCRDIMM、MRDIMM、CXL和LPDDR5x等規格，使客戶能夠為AI和HPC應用程式整合最佳化解決方案，滿足對頻寬、容量和功耗最佳化的需求。 美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光將憑藉這項最新的量產出貨里程碑繼續引領業界，向客戶提供在所有主要CPU平台獲認證的大容量RDIMM記憶體。AI伺服器現在將能配置美光的兩款記憶體，為24GB 8層堆疊 HBM3E(與GPU相連的記憶體)和128GB RDIMM(與CPU相連的記憶體)，以提供記憶體密集型工作負載所需的容量、頻寬和功耗最佳化的基礎設施。 AMD資深副總裁暨伺服器業務部總經理Dan McNamara表示，與美光合作的核心宗旨為透過高效能記憶體提升資料中心基礎設施的能力，以滿足運算密集型工作負載。透過此次合作，我們的共同客戶現在能採用超微EPYC CPU伺服器，並從中受惠於美光大容量DDR5記憶體所帶來的優勢，滿足現代資料中心所需的效能和效率。 英特爾記憶體暨IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示，美光128GB DDR5 RDIMM記憶體是首款採用32Gb單片DRAM的大容量DIMM，現已通過Intel平台記憶體相容性認證，可用於第四代和第五代Intel Xeon處理器。擁有32Gb密度的DDR5 DIMM加速關鍵伺服器和AI系統的配置，為搭載Intel Xeon處理器的系統帶來了關鍵的效能、容量以及最重要的能源效率優勢。
美光宣布推出 128GB DDR5 RDIMM 記憶體，採用 32Gb 單片晶粒，以高達 8,000 MT／s 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載，進而鞏固美光的產業領導地位。 此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧（AI）、記憶體資料庫（IMDBs）、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等。
【時報記者葉時安台北報導】美光Micron(Nasdaq:MU)宣布推出128GB DDR5 RDIMM記憶體，採用32Gb單片晶粒，以高達8000 MT/s的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載，進而鞏固美光的產業領導地位。此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧(AI)、記憶體資料庫(IMDBs)、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等。採用美光領先業界的1-beta技術，128GB DDR5 RDIMM記憶體使用32Gb DDR5 DRAM晶粒，相比其他3D堆疊直通矽晶穿孔(TSV)產品具備四大優勢，包括位元容量提高超過45%、能源效率提升高達24%、延遲大幅降低16%、AI訓練效能提升高達28%。 透過AI驅動的智慧製造方式來實現世界級的創新，美光的1-beta技術製程節點創下史上最快的速度達成良率目標。美光的128GB RDIMM預計於2024年開始出貨，可應用於搭載4800 MT/s、5600 MT/s和6400 MT/s的平台，針對未來速度高達8000 MT/s的平台也可適用。 美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光128GB DDR5 RDIMM為資料中心專用的大容量、高速率記憶體開創了新的標準，可滿足日益增加的運算密集型工作負載所需的記憶體頻寬與容量。美光將透過讓客戶盡早取得我們的先進技術，在頂尖大容量記憶體解決方案的設計與整合方面提供支援，進而改善整個資料中心生態系統。 美光32Gb DDR5記憶體解決方案選用創新晶粒架構，提供領先陣列效率和最密集的單片DRAM晶粒。電壓領域和更新管理功能有助於完善電源網路，進而改善能源效率。此外，美光也將晶粒尺寸的深寬比最佳化，藉此提升32Gb大容量DRAM晶粒的製造效率。 超微伺服器業務部門的高級副總裁兼總經理Dan McNamara表示，公司最新第四代AMD EPYC處理器受益於美光128GB RDIMM，這款記憶體採用了32Gb單片DRAM ，可最佳化每顆核心的記憶體容量，進而為AI、高效運算和虛擬化等業務關鍵型資料工作負載改善總擁有成本。隨著超微運用下一代EPYC處理器提升運算能力，美光128GB RDIMM很可能成為主要的記憶體選項之一，它可為每顆核心提供大容量和高頻寬，滿足記憶體密集型應用的需求。 英特爾記憶體暨IO技術副總裁Dimitrios Ziakas說明，非常期待美光採用32Gb的128GB RDIMM如何助益伺服器和AI系統市場中的頻寬和每瓦效能解決方案。針對這款適用於DDR5關鍵伺服器平台的32Gb記憶體，英特爾正在評估其將如何改善雲端、AI和企業用戶的總擁有成本。