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QspiNAND

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  • 華邦電推全新1.8V 1Gb QspiNAND 快閃記憶體

    記憶體大廠華邦電(2344)宣布推出一款專為穿戴裝置和由電池供電的物聯網設備需求所設計,全新的 1.8V 1Gb QspiNAND 快閃記憶體──W25N01KW。其具有低待機功耗、連續讀取與小尺寸封裝的特色,達成快速啟動及支援即開即用等功能。 華邦電表示,W25N01KW快閃記憶體具有高速讀取的性能,在連續讀取(Continuous Read)和序列讀取(Sequential Read)的模式下均能實現高達52MB/秒的讀取速度,達到快速啟動和即開即用的特性,並且提供深度待機(Deep Power Down)模式,將待機電流降低至1µA,大幅的提高電池效能,延長終端產品的使用時間。

  • 《半導體》華邦電QspiNAND快閃記憶體 瞄準2需求

    【時報記者葉時安台北報導】半導體記憶體解決方案廠華邦電(2344)宣布推出一款全新的1.8V 1Gb QspiNAND快閃記憶體-W25N01KW,專為穿戴裝置和由電池供電的物聯網設備需求所設計,具有低待機功耗、連續讀取與小尺寸封裝的特色,實現快速啟動及支援即開即用等功能。  華邦電W25N01KW QspiNAND快閃記憶體除了穿戴裝置和低功耗物聯網設備之外,也普遍適用於智慧攝影鏡頭,如網路監控攝影機、監控系統、電池供電的Wi-Fi攝影機和智慧門鈴等。華邦電表示,W25N01KW通過整合創新設計元件,使製造商能夠為消費者提供更先進的解決方案。 W25N01KW快閃記憶體具有高速讀取的性能,在連續讀取(Continuous Read)和序列讀取(Sequential Read)的模式下均能實現高達52MB/秒的讀取速度,達到快速啟動和即開即用的特性,並且提供深度待機(Deep Power Down)模式,將待機電流降低至1uA,大幅的提高電池效能,延長終端產品的使用時間。W25N01KW提供WSON8(8mm x 6mm)和WSON8(6mm x 5m)等小尺寸的封裝設計,使得W25N01KW不僅具備高速代碼傳輸的效能、有效的延長電池使用壽命,更達到節省空間的設計。

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