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  • 拜登有多怕輸大陸?又痛殺1晶片廠 外媒:南韓也死定了

    拜登政府防堵中國大陸半導體崛起,一連串打壓動作不手軟,繼禁售14奈米(含)以下半導體設備給中芯等陸企後,韓媒報導,美國再度考慮限制大陸取得美國快閃記憶體晶片設備,一旦禁令上路,不只陸晶片廠長江存儲受影響,韓國三星和SK海力士等大廠可能遭受更巨大損失。 韓國《亞洲經濟》報導,美方此次研擬禁止對大陸銷售用於製造128層堆疊以上的NAND快閃記憶體晶片設備,禁售對象如長江存儲等,目前仍在討論階段;而能生產製造128層堆疊以上的NAND快閃記憶體設備的美企,包括應用材料和科林研發等。 若這項禁售計畫獲得批准,將是美方首次透過出口管制來限制大陸生產非軍事用途的儲存型晶片。 有專家認為,美國快閃記憶體晶片設備不出貨給大陸,最大受害者可能是韓國半導體產業,尤其是三星和SK海力士。目前三星在大陸西安、蘇州有兩座NAND快閃記憶體晶片工廠,SK海力士則在無錫、重慶和大連設有生產線;此前,海力士併購英特爾在大陸的NAND快閃記憶體晶片製造業務。 由於三星、海力士生產快閃記憶體晶片,仍需仰賴美國供應商的設備,一旦禁運兩家韓企位於大陸的工廠,造成嚴重後果不言可喻。 陸晶片巨頭長江存儲生產智慧型手機、個人電腦和數據中心裝置內儲存數據的NAND快閃記憶體,已成功量產128層NAND快閃記憶體,有傳聞指出,最快今年底可量產232層NAND快閃記憶體晶片。 美國白宮於去(2021)年6月發布的一份報告中指出,長江存儲的擴張戰略對美光(Micron)、威騰(Western Digital)等美國企業構成「直接威脅」。

  • 集邦:明年DRAM需求位元成長8.3%創新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

    根據集邦科技指出,2023年DRAM市場需求位元成長僅8.3%,是歷年來首度低於10%,遠低於供給位元成長約14.1%,研判至少2023年的DRAM市況在供過於求的情勢下仍相當嚴峻,價格恐將持續下滑。至於NAND Flash仍是供過於求,但價格下跌應有助於搭載容量提升。 從各類應用來看,高通膨持續衝擊消費市場需求,故優先修正庫存是品牌的首要目標,尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題,品牌超額下訂,加上通路銷售遲緩,使得目前筆電整機庫存去化緩慢,造成2023年筆電需求將進一步走弱。 標準型PC DRAM方面,DDR4與LPDDR4X於PC端應用的比重將進一步降低,由LPDDR5與DDR5持續滲透。但因為DDR5的價格仍高,故將成為限制PC單機搭載容量成長,預估2023年PC DRAM單機搭載容量年增約7%。倘若明年DDR5原廠下調價格轉趨積極,則可能帶動容量上升至9%,取決於DDR5相較於DDR4的溢價空間是否能被有效收斂。 由於伺服器出貨預估已經在過往幾年呈現高度成長,因此在計算基礎已偏高的情況下,後續成長動能將趨緩。伺服器DRAM因進入第五世代的記憶體規格,新款英特爾Sapphire Rapids與超微Genoa均提高了整機成本,且伺服器平均容量開始面臨限制,非以往純粹的升級單一模組容量,需求端的考量將更多地集中在硬體成本,預估2023年伺服器DRAM在平均容量提升上將會受到限制,年增約7%。 行動式DRAM方面,Android陣營目前搭載容量應付日常操作系統所需已相當充足,因此在沒有創新應用的趨動下,基於整機成本以及高階銷售占比較低的考量下,品牌對於容量提升的意願也隨之放緩,至於iOS陣營則因其操作系統優化程度較高,降低其對行動式DRAM的容量需求,預估2023年單機搭載容量僅年增5%。 NAND Flash應用以固態硬碟(SSD)為主,PC消費終端SSD預估平均搭載容量僅小幅上升11%,為近三年來最低。由於筆電整機成本受到零組件漲價而不斷提高,使得2023年PC品牌廠都規劃較為保守的SSD容量需求位元,至於企業用SSD已升級支援PCIe 5.0傳輸,有助於平均容量成長,預估2023年平均容量年成長率為26%。 智慧型手機NAND Flash部分,隨著5G智慧型手機滲透率逐步擴大,加上應用面為滿足高畫質影像攝錄需求,需要配置更大的儲存容量,為智慧型手機單機NAND Flash搭載量提升帶來基本動能。同時,iPhone產品組合仍全線往更高容量靠攏;Android高階機種也跟進將512GB做為標準配備,中低階機種儲存空間則隨硬體規格持續升級而提高,因此整體平均容量仍有增長空間。預估2023年智慧型手機NAND Flash單機搭載容量年成長仍能維持22.1%,雖略低於2022年,但仍處高水位。

  • 《半導體》創見112層3D NAND固態硬碟 鎖定工業應用

    【時報記者葉時安台北報導】全球工業用記憶體儲存品牌廠Transcend創見(2451)推出全系列112層3D NAND工業級寬溫固態硬碟,可在-40度C~85度C的嚴苛環境下穩定運作,耐用度大幅提升。尺寸包含2.5吋,與輕薄小巧的M.2、mSATA等規格,容量高達4TB,適用於嵌入式裝置、車載系統或薄型伺服器,克服工業應用的極端環境挑戰,為物聯網時代的智慧工廠、現代化基礎建設與智慧安防帶來強悍堅實的儲存應用。 創見工業級寬溫固態硬碟採用112層3D NAND快閃記憶體,容量高達4TB,並搭載市場主流的SATA III與高速PCIe傳輸介面,展現優異傳輸效能。透過顆粒篩選技術與嚴謹的溫度循環測試,可在-40度C~85度C環境下穩定運作,以適應經常性的冷熱循環變化和急遽溫差,並導入抗硫化電阻、邊緣補強(Corner Bond)與30u"金手指技術,大幅強化關鍵元件保護,提供更長的固態硬碟使用壽命,輕鬆應對嚴苛環境的儲存挑戰,像是長時間高溫曝曬的道路交通系統,或持續高速運轉的工業電腦。  為加強資料儲存可靠度,全系列產品結合先進製程技術與韌體優化,包括ECC自動糾錯機制、動態熱能管理機制與電源保護等技術,不僅提升固態硬碟運作的穩定性,更提高資料存取完整性。另外因應後疫情時代推升遠端監控需求,創見整合軟硬體技術,提供獨家研發的管理軟體Control Center,協助企業異地監控固態硬碟狀態、即時維護韌體,有助於減少維運成本並實現高效管理需求,持續推動自動化製造、現代化運輸、智慧零售與智慧醫療等應用更臻完善。  創見作為嵌入式產品領導品牌,在儲存技術與產品研發深耕多年。憑藉專業的研發團隊、長期穩定的供貨能力、設立於台灣的自有生產基地,以及全球技術支援服務,持續提供更具競爭力的嵌入式儲存解決方案,滿足企業客戶所需,共同拓展未來智能藍圖。

  • 領先美光!SK海力士已開發最先進238層NAND晶片

    全球第二大記憶晶片商SK海力士在3日宣布,已成功開發出最先進的NAND快閃記憶晶片,是由238層記憶盒(memory cell)組成,領先對手美光。 海力士形容其238層是「業界最頂尖」的NAND快閃記憶晶片。美光上周表示開始出貨的NAND快閃記憶晶片為232層。 238層技術讓海力士生產出目前全球體積最小的NAND晶片,但數據傳輸速度卻較上一世代的NAND晶片快50%,並且在讀取數據時所消耗的能量減少21%。 海力士計劃從明年上半年開始大量生產238層NAND晶片。海力士的NAND晶片研發負責人Jungdal Choi稱強調公司會不斷創新,以突破技術上的挑戰。 英特爾旗下的NAND事業被海力士收購後更名為Solidigm,與海力士合計取得全球NAND晶片市占率達18%,僅次於三星電子的35.3%和鎧俠(Kioxia)的18.9%。

  • 《國際產業》獨步全球 SK海力士238層4D NAND問世

    【時報編譯柳繼剛綜合外電報導】日前,繼美國美光宣布,已量產全世界第1個232層的NAND(快閃記憶體)之後,不干示弱的韓國SK海力士也於3日表示,領先同業研發出目前垂直向上堆疊層數最高的NAND,不僅可提升效能,也可減少傳輸資料所需時間。  這家全球第2大記憶體業者,是在美國加州宣布以上突破消息,頗有跟美光叫板的意思。SK海力士計畫在2023上半年,量產這種最先進的238層4D NAND產品。之後,個人電腦SSD(固態硬碟)、智慧手機以及其他電子裝置將可陸續裝載並受惠。  NAND產品系列中,與傳統舊式2D水平設計不一樣,3D以及4D都使用垂直堆疊方式,並藉此提高效率與容量。也就是晶片上疊的層數愈多,總存儲量也就跟著愈大。 SK海力士指出,若跟之前176層NAND相比,新的238層可將整體效力再增34%,傳輸速度更是大幅提升50%,這全都要拜更多晶片擁有最高單位儲存密度所致。

  • 群聯下半年回溫 中信投顧:評價便宜

    群聯(8299)受到大陸封控、俄烏戰事與通膨等外部事件影響,但中信投顧指出,群聯上半年每股純益仍創同期新高,下半年展望維持正向,目前評價已位於長期區間低點,給予「增加持股」投資評等,推測合理股價330元。 群聯以往的經營策略是在淡季時積極增加庫存水位以因應旺季時的需求,由於年初以來NAND Flash市場歷經三星因大陸封城、宣布西安廠減產,以及威騰(WDC)與鎧俠(Kioxia)生產線汙染等事件,導致NAND Flash供給減少,並在預期心理發酵之下推升價格上漲,群聯先前曾樂觀預估NAND Flash將在第二、三季缺貨,因此持續增加庫存水位。 惟包括智慧型手機在內的各項消費性電子產品的終端銷售轉弱,需求不足造成庫存積累,群聯第二季的存貨金額僅較第一季的238億元,降至233億元,未來幾個月將調整庫存,以因應近期來自於需求及庫存端的壓力。 展望下半年,群聯認為第四季耶誕節傳統旺季需求仍在,有助於整體NAND Flash的市況好轉,但仍需持續觀察通膨的變化,另外,也預期原廠可能會透過降價或是減產等方式來改善市況,並重申歷來價格的下跌伴隨而來的是用量的大幅增加,因此,對於中長期的營運展望仍維持樂觀態度。 法人指出,惟短期市況仍不明朗,若排除2020年第二季至2021年第一季這段評價受到疫情影響最嚴峻的時期,群聯近年來的本益比約落在8~13倍的區間,投顧研究機構估計,目前的本益比低於八倍,且現階段看來後續營運要再大幅下修的風險相對有限。

  • 《科技》業界領先 美光全球首款232層NAND出貨

    【時報記者葉時安台北報導】美光科技(Nasdaq:MU)宣布全球首款232層NAND已正式量產,該產品採用業界頂尖的創新技術,再次強化其技術領先地位,將為儲存解決方案帶來前所未有的效能。它具備業界最高的單位儲存密度(areal density),並提供與前幾代NAND相比更高的容量和更佳的能源效率,能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。 美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示:「美光的232層NAND作為儲存裝置創新的分水嶺,首次證明了我們具有將3D NAND擴展到200層以上的製造能力。這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新,包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發,以及針對美光獨步業界的176層NAND技術所進行的設計改進。」  隨著全球數據量持續攀升,儲存容量和性能的提升勢在必行,同時,我們的客戶也必須減少能源消耗以滿足更嚴格的環境永續發展要求。美光的232層NAND技術不僅具備必要的高性能儲存,可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務,也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。該技術節點達到了現今業界最快的NAND I/O速度:2.4GB/s,將滿足以數據為中心的工作負載(如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲端運算等)的低延遲和高吞吐量需求,比美光176層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快50%。與前一代產品相比,美光232層NAND的每晶粒寫入頻寬提高100%,讀取頻寬亦增加超過75%,這些優勢將進一步強化SSD和嵌入式NAND解決方案的性能和能源效率。  此外,美光232層NAND引進全球首款六平面(6-Plane)TLC生產型NAND,是所有TLC快閃記憶體中每晶粒擁有最多平面的產品,且每個平面都有獨立的讀取能力。傑出的I/O速度和讀寫延遲表現,結合美光的六平面架構的結合,將實現許多配置的最佳資料傳輸能力。此架構可以減少讀寫命令之間的衝突,進而改善系統級服務品質。  美光的232層NAND也是首款在生產中支援NV-LPDDR4的產品,此低電壓介面與過去的I/O介面相比可節省每位元傳輸逾30%,因此,232層NAND解決方案得以為在提高性能和低功耗之間力求平衡的行動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面亦向下相容,支援舊款控制器和系統。  232層NAND的精巧外形不僅賦予客戶在設計上的彈性,也實現了有史以來最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2),其單位儲存密度較目前市場上的TLC競品相比高出35%至100%。232層NAND並採用比美光前幾代產品小28%的新封裝尺寸,11.5mm x 13.5mm的封裝使其成為目前最小的高密度NAND,而在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。  美光成功將TLC NAND在業界最小的封裝尺寸上集結最佳性能和最高晶圓密度等特色優勢,次世代NAND使各市場的創新成為可能,美光執行副總裁兼事業長Sumit Sadana表示:「美光在NAND層數方面連續取得了業界第一的進展,進而嘉惠行動裝置電池使用時間、打造更精巧的行動裝置儲存空間、更強的雲端運算性能以及更快的人工智慧模型訓練等優勢,鞏固我們的技術領先地位,美光的232層NAND將是支持各產業數位轉型的端到端儲存創新的全新基礎和標準。」  美光的232層NAND目前正在新加坡晶圓廠量產,會優先以封裝顆粒形式及透過美光Crucial SSD消費性產品系列向客戶出貨,並於日後發布更多產品和供貨資訊。美光位於新加坡的NAND卓越製造中心因其在智慧製造領域傑出的營運實力而獲得世界經濟論壇全球燈塔網絡(Global Lighthouse Network)的認證。先進技術如人工智慧工具、智慧控制系統和預測能力,皆有助於美光加速產品開發和提升品質,進而加快良率提升和產品上市時間。

  • 《國際產業》美光232層NAND晶片開始出貨 年底量產

    【時報編譯柯婉琇綜合外電報導】美光科技(Micron Technology )周二宣布該公司最先進、全球首款232層NAND快閃記憶體晶片已經開始出貨,該晶片由232層儲存單元組成,可以支援消費電子產品、汽車和數據中心的數據密集型應用。  美光數據中心儲存部門總經理Alvaro Toledo表示,此款最新晶片的數據傳輸速度比上一代NAND晶片加快50%。  美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示,美光的232層NAND 晶片是儲存技術創新的分水嶺,首次證明美光將3D NAND晶片擴展到 200層以上的生產能力。」 Toledo表示,這款晶片的232層儲存單元中,有16層可以一起封裝在一個大小約只有郵票三分之一的外殼中,並可容納2個TeraBytes的數據。他並表示,此款232層NAND晶片預計將在2022年底開始投入量產。

  • 美光宣布全球首款232層3D NAND正式出貨

    記憶體大廠美光科技(Micron)宣布全球首款232層3D NAND正式量產,新晶片具備業界最高的單位儲存密度(areal density),並提供與前幾代3D NAND相比更高的容量和更佳的能源效率,能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。 美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示,美光的232層NAND作為儲存裝置創新的分水嶺,首次證明了我們具有將3D NAND擴展到200層以上的製造能力。這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新,包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發,以及針對美光獨步業界的176層NAND技術所進行的設計改進。 隨著全球數據量持續攀升,儲存容量和性能的提升勢在必行,同時,客戶也必須減少能源消耗以滿足更嚴格的環境永續發展要求。美光的232層NAND技術不僅具備必要的高性能儲存,可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務,也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。 該技術節點達到了現今業界最快的NAND I/O速度2.4 GB/s,將滿足以數據為中心的工作負載,如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲端運算等的低延遲和高吞吐量需求,比美光176層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快50%。與前一代產品相比,美光232層NAND的每晶粒寫入頻寬提高100%,讀取頻寬亦增加超過75%,這些優勢將進一步強化固態硬碟(SSD)和嵌入式NAND Flash解決方案的性能和能源效率。 此外,美光232層NAND引進全球首款六平面(6-Plane)TLC生產型NAND,是所有TLC快閃記憶體3中每晶粒擁有最多平面的產品,且每個平面都有獨立的讀取能力。傑出的I/O速度和讀寫延遲表現,結合美光的六平面架構的結合,將實現許多配置的最佳資料傳輸能力。此架構可以減少讀寫命令之間的衝突,進而改善系統級服務品質。 美光的232層NAND也是首款在生產中支援NV-LPDDR4的產品,此低電壓介面與過去的I/O介面相比可節省每位元傳輸逾30%,因此,232層NAND解決方案得以為在提高性能和低功耗之間力求平衡的行動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面亦向下相容,支援舊款控制器和系統。 232層NAND的精巧外形不僅賦予客戶在設計上的彈性,也實現了有史以來最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2),其單位儲存密度較目前市場上的TLC競品相比高出35%至100%。232層NAND並採用比美光前幾代產品小28%的新封裝尺寸,11.5mm x 13.5mm的封裝使其成為目前最小的高密度NAND,在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。 美光執行副總裁兼事業長Sumit Sadana表示,美光在NAND層數方面連續取得了業界第一的進展,進而嘉惠行動裝置電池使用時間、打造更精巧的行動裝置儲存空間、更強的雲端運算性能以及更快的人工智慧模型訓練等優勢,鞏固我們的技術領先地位,美光的232層NAND將是支持各產業數位轉型的端到端儲存創新的全新基礎和標準。 232層NAND的發布是美光在研究、開發和製程技術提升方面皆處於領導地位的成果,它的突破性功能將助我們的客戶在資料中心、更輕薄的筆記型電腦、最新的行動裝置和整個智慧邊緣領域提供更多創新解決方案。 美光的232層3D NAND目前正在新加坡晶圓廠量產,會優先以封裝顆粒形式及透過美光Crucial SSD消費性產品系列向客戶出貨,並於日後發佈更多產品和供貨資訊。美光位於新加坡的NAND卓越製造中心因其在智慧製造領域傑出的營運實力而獲得世界經濟論壇全球燈塔網絡(Global Lighthouse Network)的認證。先進技術如人工智慧工具、智慧控制系統和預測能力,皆有助於美光加速產品開發和提升品質,進而加快良率提升和產品上市時間。

  • NAND Flash Q3跌幅恐擴大

     由於需求未見好轉,NAND Flash產出及製程轉進持續,下半年市場供過於求加劇,包含筆電、電視、智慧型手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風險,市調預期,第三季NAND Flash價格跌幅擴大至8%~13%。  由於通路庫存去化緩慢,客戶拉貨態度保守,造成NAND Flash庫存問題漫溢至上游供應端,賣方承受的拋貨壓力與日俱增。集邦預估,由於供需失衡急速惡化,第三季NAND Flash價格跌幅擴大,且跌勢恐將延續至第四季。  在消費性固態硬碟(Client SSD)方面由於消費市場需求疲弱,各家PC品牌客戶為了消化上半年的SSD庫存,使得第三季訂單明顯下修。隨著供應商在消費性SSD供應重心轉至176層3D NAND,甚至176層的QLC SSD也開始出貨,加上長江儲存(YMTC)將於下半年擴大筆電SSD出貨,價格競爭日益激烈,原廠不得不拉大議價空間吸引客戶提高訂單數量,故預期第三季消費性SSD跌幅將擴大至8%~13%。  企業用固態硬碟(Enterprise SSD)方面,下半年採購動能將不如上半年,主要是伺服器品牌廠整機出貨受總體經濟衰退影響,企業訂單需求持續下探,同步衝擊第三季企業用SSD採購動能。其次,中國第三季在雲端服務業者訂單疲軟,加上新一代伺服器平台出貨帶動的需求不如預期,而供給方為了推升企業用SSD營收成長,期望透過更寬鬆的價格議定來刺激銷售,不過買方暫無意願擴大採購量,因此預估第三季企業用SSD價格跌幅將擴大至5%~10%。  消費性電子銷售疲弱,包括eMMC及UFS等嵌入式需求同步下滑。其中,eMMC受到Chromebook及電視需求疲弱不振,令買方謹慎控管庫存,價格仍難見提振跡象,第三季eMMC價格將再下跌8%~13%。智慧型手機UFS市場因市況不佳,隨著庫存壓力水漲船高,降價求售已是必然。  在NAND晶圓(wafer)方面,原預估旺季需求反彈及中國解除封城將為市況帶來活水,然需求持續惡化,模組廠、終端客戶庫存狀態仍處高位,導致NAND晶圓報價持續下探。原廠持續擴大NAND晶圓供應,製程優化也持續提升,致使原廠承受極大庫存壓力,預估第三季NAND晶圓合約價跌幅將擴大至季跌15%~20%。

  • 《科技》NAND Flash本季跌價估擴至13% Q4不太妙

    【時報記者葉時安台北報導】根據TrendForce表示,由於需求未見好轉,NAND Flash產出及製程轉進持續,下半年市場供過於求加劇,包含筆電、電視與智慧型手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風險。因通路庫存去化緩慢,客戶拉貨態度保守,造成庫存問題漫溢至上游供應端,賣方承受的拋貨壓力與日俱增。TrendForce預估,由於供需失衡急速惡化,第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%,且跌勢恐將延續至第四季。 Client SSD方面,由於消費市場需求疲弱,各家PC品牌客戶為了消化上半年的SSD庫存,使得第三季訂單明顯下修。隨著供應商在client SSD供應重心轉至176層,甚至176層的QLC SSD也開始出貨,加上YMTC將於下半年擴大筆電client SSD出貨,價格競爭日益激烈,原廠不得不拉大議價空間吸引客戶提高訂單數量,故預期第三季client SSD跌幅將擴大至8~13%。  Enterprise SSD方面,下半年採購動能將不如上半年,主要是伺服器品牌廠整機出貨受總體經濟衰退影響,企業訂單需求持續下探,同步衝擊第三季enterprise SSD採購動能;其次,大陸第三季在雲端服務業者訂單疲軟,加上新一代server平台出貨帶動的需求不如預期,而供給方為了推升enterprise SSD營收成長,期望透過更寬鬆的價格議定來刺激銷售,不過買方暫無意願擴大採購量,因此預估第三季enterprise SSD價格跌幅將擴大至5~10%。  eMMC方面,主要應用如chromebook及電視需求疲弱不振,令買方謹慎控管庫存,因此eMMC價格仍難見提振跡象,雖然原廠長期規劃將持續減少2D eMMC產品供應,透過供應減少保持價格穩定,然近期隨著需求全面下修,終端客戶、模組客戶以庫存去化為首重,整體市況明顯供過於求,且較預期嚴重,故第三季eMMC價格將再下跌8~13%。  UFS方面,由於智慧型手機需求並未受惠於大陸618電商促銷而復甦,整機庫存去化成為中大陸牌廠的當務之急,且需求低迷不僅衝擊大陸手機品牌,即便以大陸以外市場為主的三星(Samsung)亦提出需求前景不明的警告,導致下半年UFS市況持續走弱,而原本賣方抱持著降價也刺激不出需求量的觀點,不願對價格讓步的態度,隨著庫存壓力水漲船高,降價求售已是必然,預估第三季UFS價格跌幅將擴大至8~13%。  NAND Flash wafer方面,原預估旺季需求反彈及大陸解除封城將為市況帶來活水,然需求持續惡化,模組廠、終端客戶庫存狀態仍處高位,導致wafer報價持續下探。同時,原廠持續擴大wafer供應,製程優化也持續提升,致使原廠承受極大庫存壓力,預估第三季wafer合約價跌幅將擴大至季跌15~20%。

  • 集邦:第三季NAND Flash價格跌幅擴大至8~13%

    根據市調機構集邦科技指出,由於需求未見好轉,NAND Flash產出及製程轉進持續,下半年市場供過於求加劇,包含筆電、電視、智慧型手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風險,預期第三季NAND Flash價格跌幅擴大至8~13%。 在消費性固態硬碟(Client SSD)方面由於消費市場需求疲弱,各家PC品牌客戶為了消化上半年的SSD庫存,使得第三季訂單明顯下修。隨著供應商在消費性SSD供應重心轉至176層3D NAND,甚至176層的QLC SSD也開始出貨,加上長江儲存(YMTC)將於下半年擴大筆電SSD出貨,價格競爭日益激烈,原廠不得不拉大議價空間吸引客戶提高訂單數量,故預期第三季消費性SSD跌幅將擴大至8~13%。 企業用固態硬碟(Enterprise SSD)方面,下半年採購動能將不如上半年,主要是伺服器品牌廠整機出貨受總體經濟衰退影響,企業訂單需求持續下探,同步衝擊第三季企業用SSD採購動能。其次,中國第三季在雲端服務業者訂單疲軟,加上新一代伺服器平台出貨帶動的需求不如預期,而供給方為了推升企業用SSD營收成長,期望透過更寬鬆的價格議定來刺激銷售,不過買方暫無意願擴大採購量,因此預估第三季企業用SSD價格跌幅將擴大至5~10%。 在NAND晶圓(wafer)方面,原預估旺季需求反彈及中國解除封城將為市況帶來活水,然需求持續惡化,模組廠、終端客戶庫存狀態仍處高位,導致NAND晶圓報價持續下探。同時,原廠持續擴大NAND晶圓供應,製程優化也持續提升,致使原廠承受極大庫存壓力,預估第三季NAND晶圓合約價跌幅將擴大至季跌15~20%。

  • Solidigm聯手儒卓力 推動SSD市場拓展

    儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和NAND快閃記憶體及SSD產品全球供應商Solidigm簽署了全球經銷協議,儒卓力將提供完整的Solidigm產品組合。該協議已開始生效。 Solidigm憑藉數十年的技術創新傳承,提供具備業界領先品質和可靠性的廣泛產品組合。Solidigm身為最佳化資料儲存解決方案的領先供應商,所提供的儲存產品與儒卓力的產品組合相輔相成。Solidigm擁有一系列具備超高品質和可靠性的SSD產品,它們針對資料中心、企業和客戶端環境的實際性能進行了最佳化。 Solidigm EMEA經銷NAND產品和解決方案群的銷售總監Robert Vodnik表示︰「我們十分樂於與儒卓力合作,攜手將我們的產品提供給全球各地的客戶。我們雙方共同致力於追求卓越表現,並提供高性能的儲存解決方案以滿足客戶的需求,這使我們形成強而有力的合作夥伴關係。」 儒卓力電路板和儲存企業產品經理Markus Schurger表示︰「我們的合作夥伴Solidigm將數十年的豐富經驗和技術創新與突破性的品質和可靠性相結合,我們因此能夠為客戶提供優異的儲存解決方案,使他們能夠更有效、更全面地發揮資料的潛力。」

  • 三星砍單風暴還沒完 面板價跌擴大 雙虎慘了

    三星電子(Samsung)大砍單,衝擊6月下旬面板報價,集邦科技(TrendForce)表示,6月下旬電視面板價格將較上旬擴大,整個月跌幅在10%上下,第二季電視面板價格跌幅達20~30%,隨著面板價跌,將不利於面板雙虎友達(2409)、群創(3481)本季營運表現。業內指出,本來消費電子市況就已有點山雨欲來的味道,這回三星又出重手,恐怕引發更大的連鎖效應。 三星日前宣布,面板、IC、手機零組件等供應商即起暫停拉貨、時間到7月底為止,震撼整個台灣供應鏈,市場解讀三星去庫存大砍單,衝擊供應鏈,不僅影響第二季財報,第三季財報恐將不妙。 萬寶投顧投資總監蔡明彰觀察,台股受影響比較大的是NORFlash的華邦電(2344),面板驅動IC的聯詠(3034)、敦泰(3545),面板雙虎友達、群創,MiniLED驅動IC的聚積(3527)、PCB的華通(2313),被動元件的國巨(2327),少了三星訂單是否被迫接低毛利訂單來填補產能。 由於三星是全球最大智慧型手機面板、記憶體、電視的生產商,對這些消費電子供應鏈大砍單,就表示產業景氣看壞,雖不是三星的供應鏈,但是生產相同零組件股價也要小心,例如三星是全球第一大NANDflash廠商,砍單後不會轉單給群聯(8299),群聯產品也會有景氣的疑慮,更不用說與智慧手機相關的立積(4968)、宏捷科(8086)、穩懋(3105)等,產業基本面雪上加霜了。 蔡明彰表示,ABF三雄、貨櫃三雄是有獲利的紮實基本面,如今被提款就表示其他看好的第三代半導體、低軌衛星、伺服器、車用電子遲早也會同樣補跌,所以不排除最看好的族群一一輪流補跌,往好的角度思考,績優股清洗籌碼後,也將是最強的底部進場訊號。

  • 《半導體》威剛5月營收雙衰 Q2谷底、H2迎旺季

    【時報記者葉時安台北報導】全球消費性需求持續受到俄烏戰爭與通膨壓力影響,加上大陸封控措施延續至5月,記憶體模組廠威剛(3260)5月合併營收28.05億元,月減3.47%、年減22.79%;前5月營收154.73億元,年減5.26%。威剛強調,第二季為全年營運谷底,待下半年非基本面干擾因素消弭,記憶體產業仍可望迎來旺季需求,公司第三季營運也將持穩發展,第四季成長動能則會明顯回溫向上。 威剛表示,目前華東地區的電子產業鏈、貨運物流與零售通路都因解封陸續恢復運作,雖然客戶復工程度不一,但DRAM及NAND Flash現貨價受衝擊程度已明顯趨緩,加上全球伺服器應用需求強勁、商用電腦訂單因員工重返辦公室效應也明顯增溫,且電競遊戲需求持續成長,預期短期內記憶體價格跌幅將相當有限。綜觀產業長期發展,公司進一步指出,DRAM上游供給持續穩定發展,看好後續DDR5出貨量隨著新一代處理器出貨同步提高,擴大消耗DRAM產能,將有助於推升第三季以後DRAM價格走勢。NAND Flash方面則受惠於上游不斷優化製造成本,刺激應用端增加單機搭載容量,且應用領域更加多元化,短期內NAND及SSD現貨價格雖將逐步探底,但整體NAND Flash產業規模仍將持續擴大。 威剛累計今年前5個月合併營收為154.73億元,年減5.26%。前5個月的DRAM產品營收貢獻比重達48.37%,SSD產品為31.58%,記憶卡、隨身碟與其他產品營收占比20.05%。5月產品組合為DRAM 41.39%,SSD比重提升至35.48%,記憶卡、隨身碟與其他產品為23.13%。

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