【時報記者葉時安台北報導】美光(Nasdaq：MU)周四宣布其多重存取雙列直插式記憶體模組(multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM)開始送樣，並將於2024年下半年開始大量出貨。其為MRDIMM系列的第一代產品，與Intel Xeon 6處理器相容。後續世代的MRDIMM將維持記憶體頻寬優勢，每通道頻寬較同代RDIMM提升多達45%。 美光MRDIMM使客戶得以滿足要求日益嚴苛的工作負載，發揮運算基礎架構的最大價值。針對記憶體需求高達每DIMM插槽128GB以上的應用，美光MRDIMM的效能更勝目前的矽晶穿孔型(TSV)RDIMM，實現最高頻寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速記憶體密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI資料中心等的工作負載。 美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的創新主記憶體解決方案MRDIMM以更低的延遲提供業界迫切需要的高頻寬與大容量，有助在下一代伺服器平台上實現大規模AI推論和高效能運算(HPC)應用。MRDIMM顯著降低每項任務的功耗，同時延續了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與介面，為客戶提供靈活擴充效能的解決方案。由於美光與業界緊密合作，因此新產品不僅能夠無縫整合到現有伺服器基礎架構中，更可順暢銜接未來運算平台。 MRDIMM技術採用DDR5的物理與電氣標準，帶來更先進的記憶體，每核心的頻寬與容量雙雙提升，為未來運算系統做好準備，更滿足資料中心工作負載日益成長的需求。相較於RDIMM ，MRDIMM具有三大優勢，為記憶體有效頻寬提升多達39%、匯流排效率提高15%以上、延遲降低高達40%。 MRDIMM支援從32GB到256GB的容量範圍；提供標準尺寸和加高尺寸(TFF)兩種規格，適用於1U和2U高效能伺服器。TFF模組採用先進散熱設計，在相同功率和氣流條件下，DRAM溫度可降低20°C之多，進而提升資料中心的冷卻效率，並優化記憶體密集型工作負載的系統總能耗。在最高資料傳輸率下，256GB TFF MRDIMM的效能較同容量的TSV RDIMM提升35%。採用256GB TFF MRDIMM，資料中心可享受前所未有的整體擁有成本(TCO)優勢，大勝傳統TSV RDIMM。