Lam Research科林研發推出了 Lam Cryo™ 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。 隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。 Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。 「Lam Cryo 3.0 為客戶邁向 1,000 層 3D NAND 奠定基礎，」科林研發全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 說。「我們已經使用科林研發低溫蝕刻製造了五百萬片晶圓，這項最新技術是 3D NAND 生產領域的突破。 它以埃米級精度建立高深寬比（HAR）特徵，同時對環境造成更低的影響，且蝕刻速率是傳統介電層製程的兩倍以上。Lam Cryo 3.0 是我們的客戶在人工智慧時代突破 NAND 關鍵製造挑戰所需的蝕刻技術。」 迄今為止，3D NAND 主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的 HAR 儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。經過最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。