搜尋

GaN

的結果
  • 漢磊嘉晶營運旺 拚逐季創高

     小尺寸晶圓代工廠漢磊(3707)及磊晶矽晶圓廠嘉晶(3016)公告第一季財報,營收及獲利同創歷史新高,訂單能見度已看到年底,預期今年營運可望逐季創高。漢磊及嘉晶布局氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代寬能隙(WBG)半導體市場有成,受惠於兩岸訂單持續湧入,產能已排滿到明年上半年。  嘉晶在磊晶矽晶圓全產全銷及價格再度調漲帶動下,第一季合併營收季增9.4%達14.73億元,較去年同期成長32.1%並創下歷史新高,毛利率季增3.3個百分點達19.2%,較去年同期提升9.0個百分點,營業利益季增51.1%達2.14億元,較去年同期成長逾2.7倍,歸屬母公司稅後淨利季增60.2%達1.83億元,較去年同期成長逾三倍,再創季度獲利新高紀錄,每股淨利0.64元。  漢磊受惠於IDM廠擴大下單包產能及價格順利調漲,第一季合併營收季增7.1%達21.07億元,較去年同期成長29.8%,續創歷史新高,平均毛利率季增4.0個百分點達21.4%,較去年同期提升13.2個百分點,營業利益季增50.0%達3.13億元,較去年同期增加逾18.5倍,歸屬母公司稅後淨利季增62.4%,達2.16億元,與去年同期虧損相較已由虧轉盈,季度獲利創歷史新高且已達去年全年獲利的九成,每股淨利0.65元。  雖然美國升息及全球通膨、中國疫情封城等外在變數造成消費性電子銷售疲弱,但包括車用電子及電動車、工業自動化、5G基礎建設及物聯網、人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)等應用維持強勁,漢磊及嘉晶訂單能見度直透年底,第二季營運維持樂觀展望,4月營收同步改寫歷史新高。  漢磊公告4月合併營收月增0.4%達7.38億元,較去年同期成長29.8%,累計前四個月合併營收28.45億元,較去年同期成長29.8%。嘉晶公告4月合併營收月增0.7%達5.06億元,較去年同期成長28.0%,累計前四個月合併營收19.79億元,較去年同期成長31.0%。  此外,包括手機快充、電動車、5G基地台等新應用開始大量導入GaN或SiC功率半導體,漢磊及嘉晶拉高資本支出積極擴產。  由於中國電動車的車用充電板及充電樁、太陽能逆變器等開始導入SiC元件,快充及射頻應用積極納入GaN方案,漢磊及嘉晶的GaN及SiC晶圓代工加磊晶方案訂單應接不暇,產能已全線滿載到明年上半年,將為營收及獲利增添強勁成長動能。

  • 《金融股》富邦金5日受邀線上法說

    【時報-台北電】富邦金(2881)5月5日參加J.P. Morgan's Asia Insurance Forum 2022線上法說會。(編輯:張嘉倚)

  • 意法半導體推新品 搶攻GaN市場

    意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)新款產品能簡化最高50W的單開關反激式功率電源轉換器設計,並整合一個650V氮化鎵(GaN)功率電晶體,優化電源的效能與小型化。 新產品採用單開關拓撲和高整合度,包括內建電流感應和保護電路,並以低成本的5mm x 6mm小型封裝。晶片內部整合之GaN電晶體的速度非常快,即使用小型輕量返馳式電源轉換器,也能實現高開關頻率。僅需少量的外部元件,就能使用這款產品設計先進的高效能開關電源(Switched-Mode Power Supply,SMPS)。 新產品可協助設計人員利用GaN寬能隙技術滿足日益嚴格的生態設計規範,以實現全球節能和淨零碳排放的目標。該產品適用於消費性電源和工業用電源,例如:電源適配器、USB-PD充電器、家電、空調、LED照明設備和智慧電表的電源。 該電源轉換器有多種不同的工作模式,在所有線路和負載條件下,可最大限度提升電源效能。在高負載下,準諧振(Quasi-Resonant,QR)模式配合零電壓切換可最大限度地減少導通損耗和電磁輻射(Electromagnetic Emission,EMI)。在輕負載下,谷底跳躍模式可以控制開關損耗,並利用意法半導體專有之谷底鎖定技術防止產生人耳可以聽到的噪音。

  • 漢磊、嘉晶Q1營收 創高

     受惠國際IDM大廠擴大釋出功率半導體委外代工訂單,加上兩岸氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三類寬能隙(WBG)半導體相關晶圓代工及磊晶訂單大爆發,漢磊(3707)及嘉晶(3016)今年以來產能全線滿載及順利漲價,3月及第一季營收同步創新高,以在手訂單來看,營收可望逐季成長到年底。  嘉晶受惠於磊晶矽晶圓全產全銷及價格順利調漲,加上GaN及SiC磊晶產能供不應求,3月合併營收月增3.5%達5.03億元,較去年同期成長34.2%,創下單月營收歷史新高,第一季合併營收季增9.4%達14.73億元,較去年同期成長32.1%,改寫季度營收新高紀錄。  漢磊晶圓代工產能全線滿載及新合約價格調漲,加計認列嘉晶營收,3月合併營收月增8.1%達7.34億元,較去年同期成長33.0%,改寫單月營收歷史新高,累計第一季合併營收季增7.1%達21.07億元,與去年同期相較成長29.8%,續創季度營收歷史新高紀錄。  漢磊及嘉晶今年營運維持樂觀看法,受惠於英飛凌、Microchip等國際IDM廠擴大委外代工,包括車用、工控等晶圓代工訂單暢旺,漢磊今年來自功率半導體營收可望較去年成長逾二成。由於車用晶片缺貨嚴重,IDM廠自有產能已全數調撥支援,並加速認證及增加委外訂單,漢磊及嘉晶在車用相關晶圓代工及磊晶接單強勁,將是推升今年營收成長主要動能。  隨著中國官方全力扶植GaN及SiC應用,漢磊及嘉晶在第三類WBG半導體布局有成,今年接單全線滿載到年底。由於中國電動車的車用充電板及充電樁、太陽能逆變器等開始導入SiC元件,快充及射頻應用積極納入GaN方案,帶動中國當地GaN及SiC設計公司如雨後春筍般成立,漢磊及嘉晶的晶圓代工加磊晶方案獲得青睞,訂單應接不暇且能見度已看到明年。  在電動車及節能減碳長期發展趨勢下,預期GaN及SiC需求將在未來幾年出現數倍成長,漢磊及嘉晶已設定長期擴充計畫,預計至2024年時,漢磊的GaN及SiC晶圓代工月產能分別拉高至5,000~7,000片規模,嘉晶的GaN及SiC磊晶月產能亦將分別提升至5,000片以上,可望在兩岸第三類WBG半導體生產鏈站穩一席之地。

  • 宏捷科大股東中美晶加碼3.76億元 持股增至24.8%

    中美晶(5483)7日公告,自2022年1月12日~4月7日斥資新台幣3.76億元,以每股平均100.47元,取得砷化鎵晶圓代工大廠宏捷科(8086)約374.4萬股,中美晶累積持有宏捷科4,874.4萬股,持股比例由22.53%增至24.8%。 中美晶兩年前跨入化合物半導體領域,在2020年8月斥資34.965億元參與宏捷科私募案;當時宏捷科發行私募普通股4,500萬股,私募價格77.7元。中美晶持有增資後股權達22.53%,躍升為宏捷科第一大股東,中美晶當時即指出,會依雙方緊密度做調整,不排除增加持股。 2020年底,宏捷科召開股東臨時會,進行董事補選,中美晶董事長徐秀蘭取得一席董事,宏捷科表示,這將強化公司董事會結構,帶入中美晶集團的企業管理方式,增加管理效能。 宏捷科表示,和中美晶在氮化鎵(GaN)的合作有GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si(矽基氮化鎵)、GaN on Sapphire(藍寶石基板)等。目前宏捷科針對5G客戶的要求進行改善,隨稼動率下滑至45~50%,空出來的產能得轉為研發,期能將製程定下來,目標在2023年下半年小量量產。

  • 土耳其總統:準備好安排普丁、澤倫斯基會談

    俄羅斯與烏克蘭談判代表今(29)日在土耳其伊斯坦堡舉行新一輪面對面談判,土耳其總統艾爾段(Recep Tayyip Erdogan)表示,土耳其準備好安排普丁與烏克蘭總統澤倫斯基會談,促進俄烏對話。 (持續更新)

  • 發揮GaN功率晶片的最大性能 開發P型通道的解決方案仍是最主要的挑戰

    在單片整合技術方面,比利時微電子研究中心(imec)現已取得豐碩的研發進展,在單一的絕緣層上覆矽(silicon-on-insulator;SOI)基板上,成功整合像是驅動器、半橋電路與控制/保護電路。如今,該研究團隊在單片式整合的元件組合中新增了兩大熱門元件:空乏型HEMT與蕭基二極體。 為了發揮GaN功率晶片的最大性能,開發P型通道的解決方案仍是最主要的挑戰,目標是採用GaN製造P型通道元件,並確保其具備一定性能。互補式金氧半導體(CMOS)技術透過P型與N型場效電晶體運作,兩種元件相互輔助且對稱成雙,使得電洞與電子能夠自由遷移。 然而,氮化鎵元件的電子遷移率大約是電洞遷移率的60倍,而矽基元件僅僅相差兩倍。也就是說,以電洞為主要載子的P型通道會比N型通道還要大上60倍,而且效率非常低。最常見的替代方案是以電阻器取代P型MOS元件,RTL電路也被用於GaN晶片,但是必須在開關速度與功耗之間取捨。 imec氮化鎵電力電子研究計畫主持人Stefann Decoutere指出,我們在SOI基板上將空乏型HEMT整合到功能性增強型HEMT平台上,實現了GaN晶片的性能升級。其中,增強型(e-mode)與空乏型元件(d-mode)分別代表源極電壓為零時電路的開啟(ON)與關閉(OFF)狀態,能夠控制電晶體產生或不產生電流。藉由全新的電路設計,把RTL電路變成直接耦合的FET邏輯電路,我們預期將能提升開關速度,並減少電路的功率消耗。 透過整合蕭基二極體,氮化鎵功率晶片的電源效率就能進一步提升。與矽基二極體相比,蕭基二極體能在電路開啟且具備相同的電阻情況下承受更高的電壓,或是在相同的崩潰電壓下降低電路開啟時的電阻。 Stefann Decoutere表示,製造蕭基二極體的挑戰是以低電壓開啟電路時,還要減少漏電。不幸的是,若想要實現低導通電壓,勢必會面臨能障(barrier)較小而導致難以控制漏電的問題。蕭基二極體的漏電流可是出了名的高得嚇人。 Stefann Decoutere接著說明,imec開發了具備專利的閘極邊緣終止型蕭基二極體(Gate-Edge-Terminated Schottky Barrier Diode;GET-SBD)結構,可以在約為0.8V的低導通電壓下,有效地降低漏電流,與傳統的氮化鎵蕭基二極體相差百倍以上。 氮化鎵是高功率應用的必用材料,因為其臨界電壓,也就是能促使電晶體進入崩潰狀態的運作條件,是矽材的10倍。此外,在低功率應用上,氮化鎵因為具備更佳的開關速度,也能勝過矽材。 Stefaan Decoutere表示,我們開發的氮化鎵晶片能有助於設計出更小尺寸、更高效率的DC/DC轉換器與負載點(POL)轉換器。舉例來說,智慧型手機、平板或筆電全都內建不同晶片,分別以不同電壓運作,因此需要AC/DC轉換器來進行充電,還要內建PoL轉換器來產生不同電壓。這些元件不僅具備開關,還有變壓器、電容器和電感器,所以電晶體的開關速度越快,這些元件就能設計得越小,進而在相同功率下實現更加緊湊與低成本的系統設計。 他進一步分析,目前商機最大的氮化鎵市場是快速充電器,接著是伺服器、汽車與可再生能源應用的電源供應系統。可以想見,以氮化鎵材料製成的電源供應元件更能展現系統級的高可靠度,不僅縮小了尺寸與重量,還能減少物料需求,進而降低成本。 Stefann Decoutere表示,我們將會持續改良現有平台的性能,進一步進行可靠度測試。該平台目前提供200V與650V的原型元件,很快就會開放100V的規格。就性能而言,具備更高功率的1200V氮化鎵晶片所能達到的升級可能有限。畢竟電路電壓變高時,要驅動那些整合的元件運作也會變慢,所以可能並不需要在晶片上整合驅動器,後續模擬會提供我們驗證。 Stefann Decoutere表示,同時,我們也在探索1200V獨立元件的替代方案,如此一來,氮化鎵技術就能用於電動車等超高功率應用。目前氮化鎵元件採用的主流電晶體架構是橫向拓撲(lateral topolgy),每個元件包含源極、閘極與汲極三個端子,全都在同個基板的表面上,因此產生橫向電場,分佈於所有的氮化鎵緩衝層,以及部分的後段製程結構,例如金屬導線與氧化層。 Stefann Decoutere補充說明,在垂直堆疊的元件中,源極與閘極位處表面,而汲極在堆疊的底層。在此情況下,電場會貫穿整座堆疊,而源極與汲極之間的間距會決定元件崩潰電壓的大小,間距越寬,通道就越不容易進入崩潰狀態。 Stefann Decoutere總結,在平面的拓樸結構下,源極與汲極相距越遠,元件尺寸就越大。由於1200V功率元件的晶片太過龐大,採用橫向結構時,通常會建議最高電壓為650V。相較之下,採用垂直結構的元件可以實現更高的電壓,因為源極與汲極位於堆疊的頂層與底層,所以可以增加磊晶厚度,而讓晶片面積維持不變。

  • 通嘉 奪陸系品牌快充大單

     電源管理IC廠通嘉(3588)順利搭上近幾年的快充商機爆發潮,成功讓通嘉近年出貨動能大幅飆升。法人指出,通嘉已經順利拿下小米、聯想等陸系品牌快充應用的電源管理IC及USB-PD訂單,讓通嘉訂單能見度一路放眼到下半年之外,且氮化鎵(GaN)快充IC訂單最快將在2022年到手,讓通嘉2022年接單接到手軟。  快充商機近幾年來進入爆發成長階段,各大行動品牌不斷推陳出新,將更高速度的快充導入到裝置及插頭端,其中OPPO更在日前的西班牙世界行動通訊大會(MWC)秀出240W SUPERVOOC快充技術,9分鐘內可將4,500mAh容量的電池從0充到100%,realme則推出150W的快充規格,小米則端出50W磁吸無線充電。  由於在品牌端持續推出更高速的快充規格,電源管理IC開發難度,以及整合難度也相對變高,因此品牌端開始擴大與IC設計廠聯手開發整套解決方案,其中通嘉就受惠於此商機。  法人指出,通嘉已經順利打入小米、聯想等陸系品牌大單,舉凡PFC控制IC、Flyback控制IC及SR控制IC,加上USB-PD晶片都是出貨產品,訂單能見度已經放眼到下半年,全年出貨動能將呈現倍數成長。且目前通嘉已經在積極爭取更多品牌端合作,預期在2022年下半年將持續展現效益,持續降低來自白牌的業績比重。  GaN快充商機在蘋果在2021年推出的MacBook Pro中,導入了140W USB Type C快充插頭首次採用GaN技術,蘋果一向是引領業界技術快速拉高滲透率的大廠,隨著蘋果跨入GaN快充市場後,將可望讓GaN快充需求快速提升。  根據研調機構(TrendForce)報告指出,預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率,將達到52%。  GaN商機將可望進入爆發潮,通嘉亦沒有放過這塊商機,推出準諧振(Quasi-Resonant)PWM IC搶攻GaN快充插座市場,且符合美國及歐盟節能標準,代表能夠快速切入美國及歐盟市場。  法人看好,隨著GaN快充市場快速成長,通嘉最快2022年將可望開始大啖GaN快充商機訂單,隨著GaN快充滲透率持續提升,通嘉將可望推出相關解決方案,擴大搶攻GaN快充訂單。

  • GaNSystems擴大三倍在台營運規模 強化亞洲業務發展

    氮化鎵功率半導體廠GaNSystems今天宣布將擴大3倍在台灣的營運團隊規模,以因應日益增加的亞洲業務。隨著眾多客戶採用GaN Systems的產品應用在消費電子、電動汽車、數據中心和工業電源等領域,因此需要更多的人員和辦公室空間來滿足未來的營業額增長。 GaN Systems的新辦公園區位於台灣新竹科學園區,該園區被公認為是半導體創新中心,也是許多世界先進技術領導者的所在地。新竹科學園區也是GaN Systems的代工合作夥伴台積電(TSMC)的總部所在,台積電是全球最大的專用獨立(純代工)半導體代工廠。 GaN System位於亞洲的總部於2015年設立,在台灣的辦公中心當時只有幾名員工,現在人力增長了10倍以上,今年底的員工人數將超過100人。 新辦公室設有一個最先進的研究和設計中心,由不同領域的專家為多個應用市場的客戶設計並提供系統解決方案,包括手機、筆記本電腦、數據中心的電源系統和電動汽車的動力總成設備等。 規模擴大後的研發團隊將進一步確保GaN Systems行業領先地位,以其高性能的電晶體和高功率的模塊產品線,建立廣泛範圍的參考設計方案可供65W、100W和250W的手機/電腦充電器裡面的PFC、DCDC應用,以及更大功率應用市場的變壓器設計。 全球運營副總裁兼亞洲區總經理Stephen Coates說,我們很高興能夠擴大我們在台灣的亞洲業務,以適應GaN Systems的快速增長。氮化鎵被快速採用在消費性產品、工業用產品及汽車電子產品中,推動了GaN Systems的迅速發展。我們在台灣的公司擴大了製造、產品和模塊設計的規模,同時也增加了研發創新的據點,並擴大了我們對全球客戶和業務合作夥伴的支持。這個3倍的擴張表明了我們對亞洲和支持台灣半導體生態系統持續增長的承諾。 隨著GaN Systems全球業務發展副總裁Andy Chuang莊淵棋的加入,亞洲的增長繼續加速。常駐台灣辦事處的莊先生為GaN Systems的團隊帶來了數十年的寬能隙經驗。隨著在台灣的擴張,GaN Systems在亞洲的影響力也在增長,在印度電動車的領域中的兩輪、三輪和四輪電動汽車也取得相當成功的成果。

  • 摩根大通:科技股大跌 價格仍不夠便宜

    投資銀行摩根大通(JPMorgan)分析師周一(21日)警告,被視為「成長型」股票的美國科技公司過去六個月股價大跌,但價格依然不夠便宜。 摩根大通分析師在寫給客戶的報告裡指出,雖然成長型股票近來下跌,但價格並不算太低。相反地,銀行與商品相關類股今年持續上漲,目前價格「不算太貴」。 被稱為「FAANG」尖牙股的五大科技公司,今年以來股價大跌,臉書大跌38%、蘋果下挫5.7%、亞馬遜跌8.5%,網飛與谷歌跌幅分別35%與10%。

  • 通嘉推新品 搶搭GaN快充商機

     電源管理IC廠通嘉(3588)搶攻氮化鎵(GaN)快充商機,推出搭配其使用的電源管理解決方案。法人看好,隨著5G快充商機持續成長,通嘉業績表現可望持續衝高。  通嘉2021年12月合併營收達1.90億元、年成長32.7%,累計2021年全年合併營收為21.34億元,改寫歷史新高,相較2020年明顯成長47.6%。法人看好,通嘉2021年獲利將至少相較2020年成長三倍,代表將同步創下新高。  通嘉宣布推出新一代高效節能準諧振谷底切換脈寬調變(PWM)IC,為專門適用於搭配GaN元件的PD電源變壓器(adapter)設計方案。PWM IC搭配GaN氮化鎵功率元件,可使電源設計擁有更高的切換頻率,更低的開關損耗和導通損耗,能有效縮小磁性元件的體積,進而達到產品小型化的同時擁有更大的輸出功率。  通嘉指出,PWM IC在不同輸入電壓、輸出電壓以及輸出功率的情況下,可自動切換最佳頻率操作模式,藉以減低開關切換損失,並在極輕載條件不同輸出電壓下進行突衝模式(Burst Mode)位準調整使變壓器更加節能,無論是在美國能源局所訂定的規範(US DOE Level VI)或是歐盟發布的法規(EU CoC Tier-2),都可以符合最嚴峻的新能源法規。  據了解,在5G智慧手機功耗較高情況下,快充幾乎已經成為5G智慧機的標準配備,且為加快充電速度,品牌廠及行動配件廠開始將GaN元件應用在快充當中,不過由於GaN元件能負荷更高電壓,因此與其搭配的PWM IC亦相當重要。  法人看好,通嘉PWM IC可望在2022年開始大啖GaN快充市場,且在當前電源管理IC供貨吃緊情況下,通嘉產品單價有機會維持高檔,在營收增加的同時,以及高毛利率加持,代表通嘉獲利表現將可望更上一層樓,全年業績有機會持續衝高。  觀察近期產能狀況,由於電源管理IC主要使用的8吋晶圓產能吃緊狀況並未改變,使電源管理IC有機會成為少數能夠繼續轉嫁報價的產品線,讓電源管理IC廠在2022年營運依舊保持成長動能。

  • 意法半導體推出首款PowerGaN產品 高效節能更纖薄

    服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出了屬於STPOWER產品組合的新系列氮化鎵(GaN)功率半導體產品,能大幅降低各種電子產品的能量消耗並縮小尺寸。主要應用於消費性電子產品,例如,充電器、PC外接電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電內部電源。全球消費性電子產品的產量很大,若提升效能便可大幅減少二氧化碳排放。 在高功率應用中,意法半導體的PowerGaN元件亦能為電信電源、工業驅動馬達、太陽能逆變器、電動汽車及充電器帶來益處。 意法半導體汽車和離散元件產品部副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo Merli表示,商用GaN產品是功率半導體的下一個戰場,ST將釋放這激動人心的技術潛力。ST推出隸屬STPOWER產品組合之新系列的首款產品,為消費、工業和汽車電源應用帶來突破性的效能表現。ST將逐步擴大PowerGaN產品組合,讓全球客戶都能設計出更高效、更小巧的電源。 氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)是一種寬能隙複合半導體材料,其電壓耐受能力優於傳統矽材料,且不會影響導通電阻效能,故可降低開關損耗。此外,GaN產品的開關效能亦相較矽基電晶體高,進而取得極低的開關損耗。開關頻率更高,故應用電路可採用尺寸更小的被動元件。上述所有優勢讓設計人員得以減少功率轉換器的總損耗(減少產生的熱)並提升效能。因此,GaN可讓電子產品小型化,例如,採用GaN電晶體的PC電源適配器比當今普及的充電器尺寸更小而且重量更輕。

  • 《半導體》上季登頂 中美晶去年營收近700億創次高

    【時報記者任珮云台北報導】中美晶(5483)公布12月的合併營收達59.8億元,月減率3.7%,年增率9%。2021年全年的合併營收為688.4億元,與2020年相較,增加12.1%,全年營收創歷史次高。第四季的合併營收為180.8億元,季增率3.2%,年增率突破15%,單季營收創歷史新高。中美矽晶太陽能十二月的營收為6.5億元,月減率6.4%,年增率16.1%,全年太陽能業務營收合計76.3億元,年增26.1%,表現亮眼。 中美晶旗下的半導體子公司環球晶圓2021年全年合併營收達611.3億元,首次突破600億,環球晶圓對母公司中美矽晶全年的營收挹注高達近九成。至於中美晶對未來太陽能展望,公司表示,隨公投結果出爐,確立了未來台灣將往節能減碳方向邁進,政府亦宣佈將於2050年實現淨零排放,台灣再生能源裝置量有望持續增長。極端氣候亦迫使世界各國正視綠色電力的重要性,隨著能源轉型政策興起,潔淨能源成為焦點,其中又以有著成熟的技術與親民價格的太陽能為發展重點之一,成長趨勢越趨明確。惟疫情帶來的缺料缺工隱憂仍在,中美矽晶將持續嚴格控制成本,並積極議價、掌握材料漲幅以因應各項挑戰。 中美晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶及轉投資事業宏捷科(8086)、朋程(8255)、兆遠(4944)共同進軍第三代半導體,今年集團將碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbo3)列為「重中之重」發展方向,規劃產能翻倍。除了台灣將碳化矽及氮化鎵長晶、切片產能翻倍外,也會在美國增加碳化矽磊晶產能;氮化鎵也與碳化矽雙軌並進,產能都同步加倍。 去年底為擴大布局氮化鎵(GaN)市場,中美晶也宣布參與Transphorm私募案,斥資1500萬美元(約新台幣4.2億元)入股Transphorm。策略聯盟將有助於Transphorm擴大GaN磊晶片的供應鏈,而此投資不僅使環球晶圓與Transphorm成為合作夥伴,環球晶圓也同時成為Transphorm的GaN磊晶片供應商、增加Transphorm產能;此外,中美晶也將成為Transphorm 特定GaN磊晶片與功率產品的經銷商,促進Transphorm GaN產品的銷售。Transphorm是GaN功率元件及磊晶產品的領導者,實績豐富並擁有垂直整合製程及全球最完整的GaN功率專利組合之一。

  • 台灣半導體展 創新材料震撼眼球

     由國際半導體產業協會(SEMI)主辦的台灣國際半導體展(SEMICON Taiwan)28日登場,共涵蓋逾2,150個展位,其中化合物半導體特展更為全台規模最大,攤位數量相較去年成長11%。  SEMI表示,透過完整展示氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)創新材料應用,化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。  半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」,邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者,針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。  SEMI表示,在新興應用科技快速普及的驅動下,功率暨化合物半導體需求蓬勃發展,各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起,SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求,透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會,進一步強化整體產業鏈生態系統,促進合作並且引進優秀技術人才,全方位推動台灣產業布局。  SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出,全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下,近幾年呈現快速擴張,相關投資將在2021年增長約20%至70億美元並創歷史新高,2022年也預計將再增長至約85億美元。  在此態勢之下,SEMI也將持續串聯產、官、學、研界,透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合,期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後,化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。  聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示,過去幾十年來,矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高,SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角,在此主流發展趨勢下,相關商機備受期待。  聯電協理鄭子銘表示,台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係,故相當具有優勢。在技術方面,聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程,鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件,全方位鎖定最新市場商機。  漢磊副總張載良指出,寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一,漢磊看好未來寬能隙半導體市場,積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發,更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來,將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展,鞏固如在矽半導體產業的優勢。

  • 鴻鎵攻GaN快充 搶5G通訊、電動車商機

    全球第二大、全台最具影響力的半導體盛會-SEMICON Taiwan2021國際半導體展28日登場,「化合物半導體」是四大焦點之一。鴻鎵科技展出氮化鎵(GaN)功率元件及對應的快充電源產品參考設計方案,可完整提供38W至120W快充電源;其5G通訊GaN/SiC磊晶片已送樣客戶驗證,預計2022年完成驗證,並以1200V氮化鎵功率元件的研發,進軍電動車市場。 鴻鎵與日本NTTAT持續合作,布局氮化鎵元件,迎接電動汽車產業及5G通訊的快速起飛。研發團隊在日本NTT-AT GaN磊晶技術基礎上,致力於GaN FET元件應用開發,短短不到三年的時間,已經擁有高達35個GaN FET相關專利,運用於GaN快充、5G基地台RF(射頻元件)、激光雷達(LiDAR)等重要產品。 鴻鎵表示,氮化鎵技術是38W-100W雙口快充最佳選擇,可滿足手機筆電大廠需要輕薄短小的電源機身設計,合乎省電節能減碳國際趨勢。據研究機構Trend Force預測,2022年智慧手機產量將高達13.9億支,目前蘋果、三星、小米等手機品牌業者,已陸續取消附贈充電器,直接造成快充需求快速成長。 而GaN應用在快充市場的滲透率也逐年跳升,預測2025年將達到60%以上,GaN快充市場銷售額將以55W-65W為主流,目前2020年55W-65W市占率已達七成。鴻鎵科技氮化鎵功率元件全面布局在電源,主攻5G通訊、電動車,公司看好明年業績有機會出現爆發性成長。

上市Top5

上漲
下跌
漲停
跌停

上櫃Top5

上漲
下跌
漲停
跌停

主要市場指數

回到頁首發表意見