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  • 漢磊 擴增SiC產能

     漢磊(3707)公告自結獲利,9月合併營收6.59億元,歸屬母公司稅後淨利0.43億元,每股淨利0.13元,累計第三季合併營收19.35億元,歸屬母公司稅後淨利1.10億元,與去年同期相較營運由虧轉盈且獲利持續好轉,每股淨利0.24元。  漢磊氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代化合物半導體產能逐步開出,為台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠,轉投資嘉晶是國內唯一擁有量產GaN磊晶與SiC磊晶的供應商。漢磊股價29日以152.5元作收,股價續創波段新高,短線不跌破5日線可望續創新高。

  • 《科技》研調:2025年GaN於快充市場滲透率 估逾5成

    【時報記者沈培華台北報導】近期蘋果(Apple)發佈用於全新MacBook Pro的140W USB-C電源適配器,並首次採用GaN技術,顯示出百瓦級大功率快充產品進入成長期,將加速第三代半導體消費應用的發展。根據TrendForce研究指出,在GaN功率電晶體價格不斷下降(目前已逼近約1美元),以及技術方案愈趨成熟,預估2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。 TrendForce進一步表示,從目前快充市場功率規格來看,2020年GaN快充市場以55W~65W為主流功率段,約占GaN元件銷售72%,其中又以65W為主流。在百瓦級大功率產品,2020年市占率僅約8%,但市場前景備受期待,越來越多廠商陸續推出大功率快充產品,以應對消費者日益增加的用電需求,目前最高功率已達140W。 值得注意的是,汽車市場的快充輸出介面逐漸成為標配,在大功率車充市場正逐漸興起的趨勢下,未來數位產品能耗與電池容量限制,將再推升第三代半導體GaN與SiC的大規模應用。 TrendForce指出,在百瓦級大功率快充產品領域,GaN技術市場滲透率已高達62%,主要由納微半導體(Navitas)與英諾賽科(Innoscience)供應,其中納微半導體銷售市占率超過7成,已成功應用於倍思、聯想、閃極等廠商旗下產品。另外,為了增加使用效率及縮減體積,PFC+LLC拓撲結構已成為百瓦級大功率快充主流方案,由SiC二極體搭配GaN開關管,以提高PFC級(功率因數修正電路; Power Factor Correction)開關頻率,進而使得GaN+SiC寬能隙半導體組合方案迅速被各大廠商採納。 對此,倍思於2020年推出全球首款120W GaN(納微半導體供應)+SiC(APS供應)快充產品,取得市場巨大反饋,泰科天潤、美浦森、安森美等SiC元件廠也陸續達成在Power Delivery快充領域的大量出貨。

  • 這檔股閃崩27%!大多頭警告財報藏陷阱 美股迎麻煩

    Refinitiv 的數據顯示,標普500指數成分股當中的117家企業,有84%繳出的財報高於市場預期,預計第三季整體的利潤將增加35%,也意味著目前美股走勢背後仍有強大財報支撐,讓上周道瓊、標普500指數一度創下新高。不過,華爾街大多頭警告,要投資人繫上安全帶,未來美股將迎來狂風暴爾。 據CNBC報導,國民證券(National Securities)首席市場策略師Art Hogan認為,在業績方面,進其好消息似乎稍為勝過壞消息,但是未來的道路將非常崎嶇。以美國社交軟體巨頭Snapchat母公司Snap為例,上周四報告收入未達預期,並下調了指引,理由是廣告業務出現問題和全球供應鏈中斷。自宣布以來,Snap股價已下跌近27%。Art Hogan表示,總需求超過了供給,如果沒有東西可賣,那就不會增加太多的廣告預算。 Snap則是在財報會議指出,歸咎於蘋果iPhone最新隱私權政策對廣告業務的衝擊比預期更大,該公司並警告,全球供應鏈中斷與勞力短缺壓抑數位廣告需求。 Art Hogan警告,這將是所有投資人在生涯當中,聽到最多的企業財測下修。Art Hogan指出,財測紛紛下修,跟供應鏈瓶頸、通膨問題以及勞動力短缺有關。 Art Hogan希望長期投資人抵制對波動做出反應的衝動,並認為他們應該採取槓鈴式投資方式,一方面是成長股,另一方面是周期性股票。Art Hogan指出,任何企業給出的財測都不會是長期投資人進行大規模調整投資組合的時候。 Art Hogan雖然對於接下來美股財報的狀況來說會面臨挫折,但他仍對於美股前景樂觀,並將標普500指數的年底目標設定在4700點,較上周收盤高出3%,該指數10月以來已經上漲超過5%。

  • MEGANE ICHIBA眼鏡市場 概念店盛大開幕

     日本銷售No.1「MEGANE ICHIBA眼鏡市場」自2020年3月插旗台灣,截至2021年10月止全台會擴展到19家分店,為提供台灣各地的民眾更便利的服務,眼鏡市場推出全新概念店,邀請知名網紅YouTuber阿翰擔任剪綵出席佳賓,主要介紹「nosefree」系列商品,更推出台灣限定新款新色紀念商品。另,在日本熱銷400萬支以上的FREE FiT系列商品只要1,990元起就能入手,搭配鏡片自由選配,通通追加0元不變貴,現在買比日本買還划算。  高村總經理表示,為慶祝新店舖開幕,日本與台灣團隊共同開發,針對台灣人的臉型&喜好設計,推出台灣限定新款新色紀念商品,讓台灣的消費者可以同時享受機能兼具時尚感眼鏡的多元魅力。  順應台灣五倍券的發行,更加碼祭出憑消費券消費3,000元以上再打95折優惠,街邊門市至10月17日也有周年慶好康加碼,消費滿3千送150,滿6千折300,百貨、街邊門市消費滿1,500元再送超可愛的帆布手提袋,要買要快。現在只要親臨新開幕的門市,桃園大江購物中心店、微風南山atre店、新竹大遠百店、遠百信義A13店、新光三越台南新天地本館店,來店即送眼鏡哥眼鏡姐的拭鏡布,送完為止,現場還有折價券摸彩活動,現抽現折。網址:https://www.meganeichiba.com.tw/。

  • 集邦估2021年全球GaN功率元件出貨量排名 納微以29%奪冠

    根據集邦科技研究顯示,受惠於消費性快充產品需求快速上升,如手機品牌小米、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進,使氮化鎵(GaN)功率市場成為第三代化合物半導體產業中產值上升最快速的類別,預估2021年營收將達8300萬美元,年增率高達73%。 廠商方面,納微半導體(Navitas)將以29%的出貨量市占率超越Power Integrations,拿下今年全球GaN功率元件市場第一名。憑藉其特色GaN快充IC設計方案和良好供應鏈合作關係,進而成為消費市場GaN功率晶片第一大供應商,目前已與全球頂級手機OEM廠商及PC設備製造商展開合作,包括戴爾、聯想、LG、小米、OPPO等。 Navitas今年快充IC訂單持續增加,此前在台積電Fab2的6吋廠投片,下半年將轉進至8吋廠以緩解產能緊缺問題,而三安集成也是其意向代工廠。另外,對於其他GaN應用市場,資料中心也可能成為Navitas優先切入點,預計2022年會投入相應產品。 Power Integrations作為老牌電源晶片廠商,在GaN功率市場長期作為絕對主導地位,今年推出了基於PowiGaN技術的新一代InnoSwitch 4-CZ系列晶片,搭載至Anker 65W快充充電器等產品,取得市場一致好評。另外,近期發布的首款集成AC-DC控制器和USB PD協定控制的單晶片產品,或成為推升其今年營收成長的又一大關鍵動能,預估將以24%出貨量市占率位居全球第二。 中國廠商英諾賽科(Innoscience)今年出貨量市占率一舉攀升至20%,躍升為全球第三,主要受惠於其高、低壓GaN產品出貨量大幅增長,其中,快充產品更首次進入一線筆電廠商供應鏈。與此同時,蘇州8吋晶圓廠已步入量產階段,IDM模式優勢將在GaN產業高速發展中逐步顯現。

  • 《科技》今年全球GaN功率市占率 納微半導體拚奪冠

    【時報記者任珮云台北報導】根據TrendForce研究顯示,受惠於消費性快充產品需求快速上升,如手機品牌小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進,使GaN功率市場成為第三代半導體產業中產值上升最快速的類別,預估2021年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。 廠商方面,納微半導體(Navitas)將以29%的出貨量市占率超越Power Integrations,拿下今年全球GaN功率市場第一名。憑藉其特色GaN Fast power ICs設計方案和良好供應鏈合作關係,進而成為消費市場GaN功率晶片第一大供應商,目前已與全球頂級手機OEM廠商及PC設備製造商展開合作,包括戴爾、聯想、LG、小米、OPPO等。2021年其快充IC訂單持續增加,此前在台積電(TSMC)Fab2的6吋投片,下半年將轉進至8吋廠,以緩解產能緊缺問題;三安集成(San’an)也是其意向代工廠。另外,對於其他GaN應用市場,資料中心也可能成為納微半導體的優先切入點,預計2022年會投入相應產品。 Power Integrations(PI)作為老牌電源晶片廠商,在GaN功率市場長期作為絕對主導地位,今年PI推出了基於PowiGaN技術的新一代InnoSwitch4-CZ系列晶片,搭載至Anker 65W快充等產品,取得市場一致好評。另外,近期發布的首款集成AC-DC控制器和USB PD協定控制的單晶片產品,或成為推升PI今年營收成長的又一大關鍵動能,預估將以24%出貨量市占率位居全球第二。 值得一提的是,中國廠商英諾賽科(Innoscience)今年出貨量市占率一舉攀升至20%,躍升為全球第三,主要受惠於其高、低壓GaN產品出貨量大幅增長,其中,快充產品更首次進入一線筆電廠商供應鏈。與此同時,蘇州8吋晶圓廠已步入量產階段,IDM模式優勢將在GaN產業高速發展中逐步顯現。目前英諾賽科正積極拓展其他領域應用例如Lidar、車載充電機(OBC)、LED電源等,豐富的產品組合將有望助其進一步擴大明年市占。 觀察目前中國政府對第三代半導體的扶植,其力度正不斷增強,加上中美貿易摩擦使華為及中國下游應用企業重新審視供應鏈安全風險,此為中國第三代半導體材料、元件業者帶來驗證與國產替代的良機,進一步推動中國第三代半導體產業的發展。根據TrendForce調查,2020年中國約有25筆第三代半導體投資擴產項目(不含GaN光電),總投資額超700億元,年增180%。 產業鏈最核心的SiC基板材料,目前中國商業化產品仍以4吋為主,且正往6吋邁進,與國際先進水準差距不斷縮小,然單晶品質差距仍然明顯,高性能基板自給率較低。據TrendForce統計,截至2021上半年,中國已有約7條矽基氮化鎵晶圓製造產線,另有至少4條GaN功率產線正在建設中;而SiC晶圓製造方面(包括中試線)至少已有14條6吋的產線。

  • 意法半導體推GaN閘極驅動器 提升工業自動化速度

    意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)新推出之STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大,上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns,能夠驅動GaN加強型FET高頻開關。 STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V,還適用於驅動N溝道矽基MOSFET,在驅動GaN元件時,可以靈活地施加最高6V閘極-源極電壓(Gate-Source Voltage,VGS),確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準。 此外,驅動器還整合一個自舉電路,可最大限度降低物料清單成本,簡化電路板布局。自舉電路使用同步整流 MOSFET開關二極體,使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值,讓驅動器只勳使用一個電源,而無需低壓降穩壓器(Low-Dropout Regulator,LDO)。 驅動器內建完備的安全保護功能,其中,高低邊驅動欠壓鎖定(UVLO)可以防止功率開關二極體在低效率或危險狀況下運行;互鎖保護則可以避免開關二極體交叉導通。其他保護功能包括過熱保護、省電關閉功能專用腳位。 STDRIVEG600適用於高壓PFC、DC/DC和DC/AC轉換器、開關電源、UPS電源系統、太陽能發電,以及家電、工廠自動化和工業驅動設備的馬達驅動控制等應用。

  • 《半導體》頎邦結盟聯電效益有限 外資降評砍價

    【時報記者林資傑台北報導】驅動IC封測廠頎邦(6147)宣布將與晶圓代工廠聯電(2303)換股策略結盟,惟歐系外資出具最新報告,認為雙方在面板驅動IC(DDIC)和射頻(RF)的結盟效應有限,且股本膨脹將稀釋獲利表現,將評等自「優於大盤」調降至「中立」、目標價自100元調降至87元。  頎邦股價昨(6)日開高衝上88.3元新高,但後因賣壓出籠反收黑下跌3.82%,受外資降評砍價、投顧法人同步中立看待短期營運影響,今(7)日開低挫跌5.26%至73.9元,在封測族群中表現偏弱。三大法人昨日同步調節賣超達1萬2471張。 歐系外資表示,頎邦認為與聯電換股結盟,中期將使公司面板驅動IC和射頻後段封測業務受惠。但面板驅動IC的後段封測訂單並非晶圓代工廠主導分配,且目前已是由頎邦及南茂雙雄主導的寡占市場,因此不會顯著改變整體競爭格局。  射頻業務方面,歐系外資亦認為,由於聯電及聯穎光電的射頻業務和規模遠低於領先的IDM廠和穩懋、宏捷科等其他化合物晶圓代工廠,認為頎邦與聯電在砷化鎵(GaAS)及第三代氮化鎵(GaN)射頻業務的策略結盟,將需要更長時間才能看到有意義的貢獻。  不過,歐系外資認為,聯穎光電向來最大客戶-中國大陸射頻業者卓勝微電子密切合作,可能為頎邦射頻業務帶來一些成長契機,將取決於卓勝微電子對濾波器、開關、功率放大器等射頻元件自打線封裝轉向凸塊(Bumping)封裝的時程規畫。  考量第三季較高的業外收益及漲價帶動定價轉佳,歐系外資將頎邦今年每股盈餘(EPS)預期調升1%,但效益將被股本膨脹抵銷,將2022~2023年每股盈餘預期調降5~9%,考量與聯電換股結盟效益有限,將評等自「優於大盤」降至「中立」,目標價降至87元。

  • 聯電 法人持續買超

     聯電(2303)受惠於7月調漲晶圓出貨價格,以及接單暢旺且現有產能全數滿載,7月合併營收月增5.9%達183.66億元,較去年同期成長18.5%,連續三個月創下單月營收歷史新高紀錄。累計前七個月合併營收達1,163.71億元,與去年同期相較成長13.9%,改寫歷年同期歷史新高紀錄。3日更宣布與頎邦換股策略合作,進行面板驅動IC、以及第三代化合物半導體GaN上下游整合。  聯電產能利用率超過100%情況將延續到年底,第四季不排除再度調漲價格。聯電股價3日以70.0元作收,技術線型呈現多頭排列,法人持續買超將推升股價續創波段新高。

  • 研調:新能源車需求助攻 至2025年GaN功率元件年CAGR達78%

    TrendForce表示,2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。 據TrendForce研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在於消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查,截至目前已有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。 而全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,其中前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業中又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。 TrendForce指出,因第三代半導體GaN及SiC基板(Substrate)材料生長條件相對困難,以及現行主流尺寸大致落於6吋並往8吋方向邁進,驅使價格相較傳統8吋、12吋Si基板高出5~20倍不等。由於多數材料仍集中於美國科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導體(STMicroelectronics)等IDM大廠手中;部分陸系業者如山東天岳(SICC)及天科合達(Tankeblue)等在中國十四五政策支撐下相繼投入,以期加速國產化自給自足目標。 台灣在第三代半導體發展進程方面,儘管歐、美、日等地發展較早且製作工藝較成熟,但TrendForce認為台灣相對處在有利位置。由於台灣本身具備長期矽(Si)開發經驗,並擁有完整上、下游供應鏈,加上近期在地化材料、設計與技術等政策牽引等優勢,驅動台灣目標成為半導體先進製造中心,使前段基板及磊晶產業鏈逐步成形,以及中後段晶片設計、製造及封測亦為主力項目。目前漢民集團的嘉晶(EPI)、漢磊科(EPISIL)與中美晶集團的環球晶(GW)、宏捷科(AWSC)、兆遠(CWT)、朋程(ATC)等兩大聯盟,透過合作策略希冀在稀缺的基板區塊發揮最大整合效益;此外,廣運集團與太陽能廠太極(TAINERGY)共同投資的盛新材料(TAISIC),除了目前在送樣驗證的4吋SiC基板,也積極投入6吋SiC基板的研發。

  • 《科技》GaN功率元件營收 今年拚增73%

    【時報記者張漢綺台北報導】5G及電動車引爆第三代半導體功率元件需求,根據TrendForce預估,GaN功率元件今年營收將達8300萬美元,年增率高達73%,看好第三代半導體前景,國內漢民集團與中美晶(5483)集團等兩大聯盟,透過合作策略希望在稀缺的基板區塊發揮最大整合效益。 隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如:基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用激增,亦推升第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁,其中又以GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。 根據TrendForce研究,GaN功率元件主要應用大宗在於消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%;而全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%。 若以應用來看,GaN功率元件前3大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%;據TrendForce調查,截至目前已有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。 至於SiC功率元件前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,其中新能源車產業中又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。 TrendForce指出,由於第三代半導體GaN及SiC基板(Substrate)材料生長條件相對困難,以及現行主流尺寸大致落於6吋並往8吋方向邁進,驅使價格相較傳統8吋、12吋Si基板高出5~20倍不等;且多數材料仍集中於美國科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導體(STMicroelectronics)等IDM大廠手中。 在台灣第三代半導體發展方面,儘管歐、美、日等地發展較早且製作工藝較成熟,但TrendForce認為,台灣相對處在有利位置。由於台灣本身具備長期矽(Si)開發經驗,並擁有完整上、下游供應鏈,加上近期在地化材料、設計與技術等政策牽引等優勢,驅動台灣目標成為半導體先進製造中心,使前段基板及磊晶產業鏈逐步成形,以及中後段晶片設計、製造及封測亦為主力項目。 目前漢民集團的嘉晶(3016)、漢磊(3707)與中美晶集團的環球晶(6488)、宏捷科(8086)、兆遠(4944)、朋程(8255)等兩大聯盟,透過合作策略希冀在稀缺的基板區塊發揮最大整合效益。 此外,廣運集團與太陽能廠太極(TAINERGY)共同投資的盛新材料(TAISIC),除目前在送樣驗證的4吋SiC基板,也積極投入6吋SiC基板的研發。 至於大陸部分,陸系業者如:山東天岳(SICC)及天科合達(Tankeblue)等在中國十四五政策支撐下相繼投入,以期加速國產化自給自足目標。

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