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  • 內外資加持 宏捷科、全新齊步漲

     功率放大器(PA)族群最近股價強勢,且波段以宏捷科(8086)、全新(2455)表現最為亮眼,發揮帶頭作用,中信投顧看好,全新受惠智慧機回溫帶動營運,Wi-Fi 7、光通訊題材助威,給予「增加持股」投資評等,宏捷科則獲摩根士丹利證券、群益投顧簇擁,30日大漲6.51%、收139元。  全新第三季營收7.68億元,季增29.3%、年增47.2%,毛利率40%,每股稅後純益(EPS)0.78元,整體營運表現符合預期。全新10月營收3.2億元,持續改寫近期高點,加上急單持續且變成常態,中信投顧預計,全新第四季能維持成長。此外,根據供應鏈說法,中信投顧認為,急單將至少維持到農曆年前,預期全新2024年首季營運可望淡季不淡。  目前市場預期智慧機2024年出貨將有所成長,同時,由於5G滲透率提升,亦將使PA需求增價,加以資料中心內部光纖傳輸蓬勃發展,中信投顧看好全新2024年營收成長力道。  法人指出,全新2024年於美系客戶供應比重提升,以及2025年打入iOS前後感測裝置下,營運展望正向。此外,光通訊受到AI應用需求推動,明年成長性可觀,加上Wi-Fi 7導入將推升GaAs PA用量,未來成長動能明確。  摩根士丹利證券指出,宏捷科最近調升財測預期,主要是因為來自客戶訂單動能益發強勁,就此觀之,推測宏捷科2024年將調升GaAs產品報價;同樣值得注意的是,過去一年至一年半期間,宏捷科還向客戶提供免費晶圓,但大摩最新調查發現,考量到訂單強勢回流,宏捷科來年可能取消掉此「優惠」。  摩根士丹利看好,宏捷科今年已經展現毛利率強於預期的好表現,未來的漲價舉措將進一步推升毛利率擴張。此外,群益投顧認為,近期中低階機種需求受旗艦機種帶動而增溫,預估宏捷科本季表現將優於預期。

  • 地緣政治僵局有解?台日聯手出招 幕後關鍵曝光

    美中爭霸從貿易戰打到科技戰,美國去年9月禁止高階晶片出口中國,日本今年5月跟進,公布半導體設備出口限制,使得中國8月出手反制,限制鎵、鍺出口,一舉將戰線從技術設備人才,拉到「化合物半導體」,同時加速台日半導體產業抱團。CTWANT記者調查,10月26日登場的台北國際光電週,以化合物半導體為重頭戲,參展規模150家創新高、6個國家地區,光是台日兩國就有超過70家科技廠大陣仗參與。 在半導體產業發展初期,日本一度超越美國,使得美國1986年祭出「美日半導體協議」,加上台灣及南韓半導體產業崛起後,使得日廠全球市佔率節節敗退,近年疫情引爆晶片荒及美中科技爭霸,全球供應鏈在地緣政治危機下重組,給了日本趁勢重返半導體大國的機會,不但去年8月由八家大廠組建國家晶片隊「Rapidus」,今年6月也重修「晶片戰略」,訂下2030年產值達3.3兆元的目標。 日本的半導體產業以設備及關鍵原料為主,掌握半導體產業鏈中的最上游,握有全球半導體關鍵生產原料主導權,而這次日本加入美國陣營,禁止半導體設備出口中國,反遭中國限制鎵鍺出口,這對日本「化合物半導體」影響,引來業內高度關注。 工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨指出,「現在用於電腦、手機運算的是矽半導體、屬於第一類半導體;化合物半導體是第二、三類半導體,用於加速傳導,應用有所差異」。化合物半導體中的砷化鎵(GaAS)為第二類,用於手機、基地台功率放大器,碳化矽( SiC)、氮化鎵(GaN)等為第三類,碳化矽多用在電動車、工控的動力系統,氮化鎵則用在功率大、電壓高的潔淨能源電源供應器。 日本第一大碳化矽(SiC)功率半導體製造商三菱電機,日前宣布加大兩座SiC晶圓廠投資,其位於熊本縣合志市的工廠有6吋晶圓產能,正在擴張中,這座晶圓廠距離台積電約10分鐘車程。去年市場盛傳,台積電在第三類半導體領域鴨子划水,對此台積電董事長劉德音曾回應,「第三類半導體產值偏小,無法與矽基(SILICON BASE)半導體相比。」 三菱電機總工程師多留谷政良,在8月23日台北自動化展中接受本刊訪問時表示,「儘管矽、碳化矽半導體在製程與應用上有所差異,但基本道理相似,因此人才是同一批」,台積電迅速發展後對半導體人才需求更緊迫,帶動當地大學院校積極培育半導體工程師,多留谷政良評估,「這部分人力缺口要能補上,至少要5年時間」,此期間台日半導體人才勢必緊密交流。 事實上,今年7月間,三三會組成北海道經貿參訪團赴日,與日方討論最為熱烈就是半導體產業議題。三三會理事長林伯豐表示,「日本曾經是半導體製造的強國」,1986年日本生產的半導體產品全球市佔率曾高達45%,上個月的日本行,特別提出應在晶圓材料、廠務設備、人才,以及共同研發電動車、物聯網、人工智慧、元宇宙應用,尋求新南向市場的合作。 此外,工研院與日本德山、國內筑波科技共同合作的化合物半導體實驗室也在8月初正式成立,號召化合物半導體自主材料生產技術平台,從事粉體製程及晶體驗證,從原料、磊晶到封裝測試。 而10月26日登場的台北國際光電週,將以「次世代化合物半導體國際研討會」及「化合物半導體產業領袖高峰會」為主角,台日廠首度在化合物半導體領域大規模參與。主辦單位台灣光電科技工業協進會(PIDA)執行長羅懷家指出,台灣、日本在化合物半導體領域的合作將加深、加速。 台北國際光電週展覽繞著化合物半導體製程而設「化合物半導體」、「精密光學」、「光電檢測」、及「矽光子與雷射」4大主題。羅懷家指出,化合物半導體製程的材料、壓力、溫度要求與矽不同,並預告可能發表國際大廠競逐的8吋碳化矽(SiC)標準,應用在高頻高速的電動車、高鐵動力系統。同時日商Disco將演示以雷射切割晶圓技術、有別於以往用鑽石線切割,京瓷(Kyocera)展出化合物半導體封裝,日本NTT先進科技公司展出化合物半導體設備商。 化合物半導體展區國內參展廠商包括環球晶(6488)、穩懋(3105)、中鋼碳素(1723)、光電檢測閎康(3587),光學佳凌(4976)、明基BenQ等;台灣超微高學的AI光學設備能把晶圓放大數百萬倍檢測表面裂痕,甚至可以做到「透視」內部瑕疵,「原理跟哈利波特『隱形斗篷』一樣,是利用折射」。 一位科技業內人士觀察,日本對此番化合物半導體發展相當積極,因當局亟欲振興國內經濟,希望能夠抓住電動車動力系統、智慧製造、AI應用商機;在1980日本半導體黃金年代的從業人士們面臨退休,在鼓勵終生工作的氛圍下,有餘裕與眼界再投入產業以及促進台日雙方合作。 更多 CTWANT 報導

  • 國防訂單挹注 英特磊2023拚轉盈

     三五族大廠英特磊IET-KY(4971)24日受邀參加法說會,董事長高永中表示,磷化銦(InP)客戶庫存持續消化導致上半年虧損,但營運谷底已過,7月營收表現可視為下半年基本盤,且國防用銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)訂單穩定填補缺口,預估全年仍有望轉盈,營收年減幅度則將力拚控制在5%~15%。  英特磊美國晶片法案(CHIPS Act)申請補助進度也曝光,高永中透露,公司在申請流程中第一期的意向聲明(statement of interest)已在5月通過,但該計畫要先有資本支出投入,才會有政府的補助,為籌措資金,董事長決議將發行可轉換公司債(CB),預計籌資2.2億元,規劃發行時間可能落在10月中下旬。  英特磊今年上半年營收2.86億元、年減39.31%,累計稅後虧損1,981.4萬元、每股稅後虧損0.54元,高永中指出,主因就是公司近年來主力產品HBT及PIN,客戶庫存消化緩慢、量產訂單減少,固定生產成本無法攤提下降所致。  而公司下半年營運也逐漸走出陰霾,7月營收6,798.3萬元、月增25.9%、年增11.14%,高永中認為,7月營收表現可視為下半年的基盤,若InP需求提前回溫或機台正式出售,則有望更上層樓,而全年營收雖稍微下修年初小幅年增的看法,但仍希望年減幅度可控制在約5%~15%。  InP磊晶晶片第二季營收占比也大幅萎縮至15%,遠低於過去幾季4成~5成的水準,不過,英特磊除現有2~4吋晶片外,也正進行較大尺寸(6吋)的PIN及HBT研發與認證,加上GaAs、GaSb等軍工產品在地緣政治風險升溫下取得不錯成績,故公司對今年轉虧為盈仍有信心。  高永中表示,GaSb紅外磊晶片訂單已排至明年以後,上半年已新增機台、縮短交貨期,今年相關收入勢必較去年顯著成長,而國內外訂單均持續增高,另外用於高端國防及航天pHEMT量產訂單也正常出貨中。

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