【時報記者林資傑台北報導】全球車用處理領導者恩智浦(NXP)今(16)日宣布攜手晶圓代工龍頭台積電(2330),推出業界首款採用16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(MRAM),測試車輛樣品已完成並在評估階段,初期樣品預計2025年初提供給主要客戶。 隨著汽車製造商朝向軟體定義汽車(SDV)轉型,車廠需在單一硬體平台上支援多世代軟體更新。結合恩智浦的高效能S32車用處理器與採用16奈米FinFET技術的快速且高度可靠下一代非揮發性記憶體(non-volatile memory),就能提供支援這類轉變的理想硬體平台。 恩智浦指出,MRAM只要約略3秒就能更新20MB的程式碼,相較於快閃記憶體需約1分鐘,能最大限度縮短軟體更新導致的停機時間,並讓汽車製造商消除因長時間模組編程而造成的瓶頸。 此外,MRAM還能提供高達百萬次的更新周期,較快閃記憶體和其他新興記憶體技術高出10倍,為車輛任務剖面(mission profile)提供高度可靠的技術。 軟體定義汽車讓汽車製造商能透過空中下載(OTA)更新,推出全新的舒適、安全以及便利功能,延長車輛使用壽命並提升其功能性、吸引度與獲利能力。隨著基於軟體功能在車輛中越趨普及,更新頻率將會增加,MRAM的速度和穩健度變得極為重要。 台積電的16 FinFET嵌入式MRAM技術憑藉其百萬周期耐用度、支援銲錫迴焊(solder reflow)、以及攝氏150度下還能保留數據達20年,超越車載應用嚴格要求。 台積電業務開發資深副總經理張曉強表示,恩智浦內部的創新者總是能迅速認識台積電新製程技術的潛力,尤其是在要求嚴格的車載應用方面。很高興看見台積電領先的MRAM技術被運用於恩智浦S32平台,幫助實現下一代軟體定義汽車。 恩智浦半導體執行副總裁暨車用處理事業部總經理Henri Ardevol表示,恩智浦與台積電已成功合作達數十年,向來持續為汽車市場提供高品質的嵌入式記憶體技術。MRAM是恩智浦S32車用解決方案系列的突破性新生力軍,支援下一代車輛架構。
晶圓代工龍頭台積電(2330)3日宣布推出大學鰭式場效電晶體(FinFET)專案,目的在於培育未來半導體晶片設計人才並推動全球學術創新。此專案開放大學院校師生與學術研究人員使用業界最成功的FinFET技術之製程設計套件(PDK),將其晶片設計學習經驗提升至先進的16奈米FinFET技術。 同時,此專案也提供大學院校領先的晶片研究人員使用16奈米N16製程,7奈米N7製程的多專案晶圓(Multi-Project Wafer,MPW)服務,將具有影響力的創新研究加速導入實際應用。 台積電表示,已與亞洲、歐洲、及北美的服務夥伴攜手合作,提供大學院校相關資源以支援教學用途及測試晶片的研究專案,內容包括以台積電16奈米N16製程為主的教學用設計套件,包括教育設計案例、訓練資料、以及教學影片,引領學生從傳統平面式電晶體結構進入到FinFET世代。 針對具有影響力的研究專案,包括應用於邏輯、類比與射頻的研究設計,台積電提供16奈米N16製程、7奈米N7製程等設計相關套件,支援透過MPW服務生產的測試晶片。 台積電業務開發資深副總經理張曉強表示,台積電向來著眼未來,無論是具有技術突破性的前瞻研究,或培育下一代創新者的未來人才。台積電藉由提供大學FinFET專案開放台積電的16奈米及7奈米技術,為研究人員及學生們開啟了全新舞台以探索各種想法,進而激發他們對令人振奮且快速成長的半導體領域的好奇心與熱情。
【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工龍頭台積電(2330)今(3)日宣布推出大學FinFET專案,開放大學院校師生與學術研究人員使用業界最成功的鰭式場效電晶體(FinFET)技術製程設計套件(PDK),將晶片設計學習經驗提升至先進的16奈米FinFET技術。 同時,此專案也提供大學院校領先的晶片研究人員使用16奈米及7奈米製程的多專案晶圓(MPW)服務,將具影響力的創新研究加速導入實際應用,盼藉此培育未來半導體晶片設計人才、並推動全球學術創新。 台積電說明,將與亞洲、歐洲及北美的服務夥伴攜手合作,提供大學院校2大資源支援教學用途及測試晶片研究專案。首先是以台積電N16製程為主的教學用設計套件,包括教育設計案例、訓練資料、以及教學影片,引領學生從傳統平面式電晶體結構進入到FinFET世代。 其次,針對具有影響力的研究專案,包括應用於邏輯、類比與射頻的研究設計,台積電將提供16奈米(N16)及7奈米(N7)製程設計相關套件,支援透過多專案晶圓服務生產的測試晶片。 台積電業務開發資深副總經理張曉強表示,台積電向來著眼未來,藉由提供大學FinFET專案開放16奈米及7奈米技術,為研究人員及學生們開啟全新舞台以探索各種想法,進而激發對令人振奮且快速成長的半導體領域的好奇心與熱情。 作為業界最完備且充滿活力的設計生態系統,開放創新平台(Open Innovation Platform)全力支援台積電技術與生產製造。台積電表示,設計生態系統服務夥伴已準備就緒,和參與大學FinFET專案的學者建立聯繫。
晶圓代工龍頭台積電(2330)3日宣布推出大學鰭式場效電晶體(FinFET)專案,目的在於培育未來半導體晶片設計人才並推動全球學術創新。此專案開放大學院校師生與學術研究人員使用業界最成功的FinFET技術之製程設計套件(PDK),將其晶片設計學習經驗提升至先進的16奈米FinFET技術。 同時,此專案也提供大學院校領先的晶片研究人員使用16奈米N16製程,7奈米N7製程的多專案晶圓(Multi-Project Wafer,MPW)服務,將具有影響力的創新研究加速導入實際應用。 台積電表示,已與亞洲、歐洲、及北美的服務夥伴攜手合作,提供大學院校相關資源以支援教學用途及測試晶片的研究專案,內容包括以台積電16奈米N16製程為主的教學用設計套件,包括教育設計案例、訓練資料、以及教學影片,引領學生從傳統平面式電晶體結構進入到FinFET世代。 針對具有影響力的研究專案,包括應用於邏輯、類比與射頻的研究設計,台積電提供16奈米N16製程、7奈米N7製程等設計相關套件,支援透過MPW服務生產的測試晶片。 台積電業務開發資深副總經理張曉強表示,台積電向來著眼未來,無論是具有技術突破性的前瞻研究,或培育下一代創新者的未來人才。台積電藉由提供大學FinFET專案開放台積電的16奈米及7奈米技術,為研究人員及學生們開啟了全新舞台以探索各種想法,進而激發他們對令人振奮且快速成長的半導體領域的好奇心與熱情。
純晶圓代工廠製程由16nm開始從平面式電晶體結構(Planar Transistor)進入FinFET世代,發展至7nm製程導入EUV微影技術後,FinFET結構自3nm開始面臨物理極限。先進製程兩大龍頭自此出現分歧,台積電延續FinFET結構於2022下半年量產3nm產品,預計2023上半年正式產出問世,並逐季提升量產規模,2023年產品包含PC CPU及智慧型手機SoC等。而三星由3nm開始導入基於GAAFET的MBCFET架構(Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor),於2022年正式量產,初代產品為加密貨幣挖礦晶片,2023年將致力於第二代3nm製程,目標量產智慧型手機SoC。兩者3nm量產初期皆仍集中在對提高效能、降低功耗、縮小晶片面積等有較高要求的高效能運算和智慧型手機平台。
台積電與索尼合資在日本熊本蓋12吋晶圓廠,初期採用22~28奈米製程,日經中文網撰文指出,台積電採用的FinFET技術,如果按人類的成長階段來形容,FinFET是高中生,技術略輸給美國,美國則是大學生教師。 報導形容,台積電FinFET技術是高中生,至於日本的Planar FET技術則是結構最簡單的晶片,相當於初中生,因此,日本吸引台積電進駐的意義重大,未完成高中課程的日本,照理說得先向「高中生王者」台積電請教,至於美國半導體技術則是「大學生家庭教師」更上一層樓。 日本想吸引國外半導體企業設廠,或許也曾討論「美國和台灣誰是首選」,但是,台積電相對於IBM與英特爾,雙方合作的意義有所不同,報導分析指出,仍未完成高中課程的日本要掌握全環繞柵極技術(GAA:Gate-all-around),按常理來說也許存在困難,因此首先有必要先向台積電請教,再跟美國學習討教,這也是美日合作成立半導體研發中心的考量原因。 微驅科技總經理吳金榮則在《金臨天下》節目中指出,日媒這個比喻是不恰當的,台積電不是高中生,已經是博士後研究了。他強調,台積電技術領先全世界,儘管韓廠三星搶先宣布3奈米GAA技術量產,不過根據業界傳出來的消息,三星良率並不太好;至於台積電之所以會去日本,除了日本政府極力邀請外,另外一個關鍵是台積電的大客戶SONY在日本,台積電可以著眼未來SONY以及汽車電子的市場。 網友紛紛表示「台積電3奈米都要出來了還是高中生,日本人真嚴格」、「高中生然後最高製程市佔9成,難怪日本半導體輸光光,連實力都看不清」、「難怪日本半導體輸這麼慘」;但也有網友認為日媒說法合理「台積電技術輸美,強的是良率量產」、「真正關鍵技術都掌握在日美歐,台灣產業唯一就是良率好而已」、「跟美國比技術確實比較弱吧」、 「日媒重點在罵自己國家只有國中生程度」。