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  • 英特爾4奈米 同功耗效能增20%

     英特爾近期於美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會公布4奈米Intel 4製程的技術細節。相較於7奈米Intel 7製程,Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,同時達成二項關鍵目標,一是滿足包括Meteor Lake等開發中產品的需求,二是推進先進技術和製程模組。英特爾預期先進製程持續推進,2025年將重回製程領先地位。  英特爾表示,Intel 4於鰭片間距、接點間距、低層金屬間距等關鍵尺寸,持續朝向微縮的方向前行,並同時導入設計技術偕同最佳化,縮小單一元件的尺寸。透過鰭式場效電晶體(FinFET)材料與結構上的改良提升效能,Intel 4鰭片數量從Intel 7高效能元件庫的四片降低至三片,能夠大幅增加邏輯元件密度,並縮減路徑延遲和降低功耗。  英特爾說明,Intel 7已導入自對準四重成像技術(Self-Aligned Quad Patterning,SAQP)和主動元件閘極上接點(Contact Over Active Gate,COAG)技術來提升邏輯密度。前者透過單次微影和二次沉積、蝕刻步驟,將晶圓上的微影圖案縮小四倍,且沒有多次微影層疊對準的問題。  後者則是將閘極接點直接設在閘極上方,而非傳統設在閘極的一側,進而提升元件密度。Intel 4更進一步加入網格布線方案(gridded layout scheme),簡單化並規律化電路布線,提升效能同時並改善生產良率。  隨著製程微縮,電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小,導線的電阻和線路直徑呈現反比,如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。  Intel 4採用新的金屬配方稱之為強化銅(Enhanced Cu),使用銅做為導線、接點的主體,取代Intel 7所使用的鈷,外層再使用鈷、鉭包覆。此配方兼具銅的低電阻特性,並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位,進而讓電路失效的電遷移(electromigration)現象,為3奈米Intel 3製程和未來更先進製程打下基礎。  在極紫外光(EUV)微影技術部份,英特爾不僅在現有解決方案中的最關鍵層使用EUV,而且在Intel 4的較高互連層中使用EUV,以大幅度減少光罩數量和製程步驟。  其降低製程的複雜性,亦同步替未來製程節點建立技術領先地位及設備產能,英特爾將在這些製程更廣泛地使用EUV,更將導入全球第一款量產型高數值孔徑(High-NA)EUV系統。

  • 英特爾4奈米下半年量產 效能比7奈米增逾20%

    英特爾(Intel)4奈米預計今年下半年量產,將採用極紫外光(EUV)系統,與7奈米相比,在相同功耗可提升效能逾20%。 英特爾近期於美國檀香山舉行的VLSI國際研討會,公布4奈米(Intel 4)製程的技術細節。英特爾今天發布新聞稿表示,相較於7奈米(Intel 7),Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,高效能元件庫密度是2倍。 英特爾指出,Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸,持續朝向微縮的方向推進,同時導入設計技術偕同最佳化,縮小單一元件的尺寸。 透過鰭式場效電晶體(FinFET)材料與結構上的改良提升效能,英特爾表示,Intel 4單一N型半導體或是P型半導體,其鰭片數量從Intel 7高效能元件庫的4片降低至3片。綜合上述技術,Intel 4不僅能夠增加邏輯元件密度,並縮減路徑延遲和降低功耗。 英特爾指出,Intel 4加入網格布線方案,簡單化並規律化電路布線,提升效能,同時改善生產良率。Intel 4採用新的金屬配方強化銅,使用銅做為導線、接點的主體,取代Intel 7所使用的鈷,外層再使用鈷、鉭包覆。 英特爾並廣泛使用EUV減化製程,可大幅度減少光罩數量和製程步驟。英特爾表示,Intel 4進展順利,將依計畫於今年下半年量產,以滿足電腦客戶端產品Meteor Lake的需求。 英特爾更指出,將導入全球第一款量產型高數值孔徑(High-NA)EUV系統,並將於2025年重回半導體製程領先地位。

  • 死命追台積電!南韓跪求晶片「第一命脈」 三星、總統都出動了

    三星電子昨(6/30)日宣布量產GAA技術3奈米製程,搶先台積電和英特爾成為全球第一家量產3奈米製程的晶圓廠。為了確保半導體供應穩定,三星少主李在鎔和總統尹錫悅相繼出訪歐洲與荷蘭總理及半導體設備龍頭艾司摩爾(ASML)會面,就半導體產業技術合作進行討論。 綜合韓媒報導,尹錫悅6月29日出席北約峰會與荷蘭總理呂特(Mark Rutte)舉行會談。尹錫悅稱,艾司摩爾等荷蘭半導體設備商的投資有助穩定供應鏈,確保南韓半導體企業供應穩定。呂特也表示,「雙方在半導體領域合作有互補性」。 尹錫悅希望韓國企業能夠參與荷蘭的核電建設。雙方同意推進工作級別會談,在核電產業實現雙邊合作。 除此之外,李在鎔6月中旬與艾司摩爾執行長Peter Wennink等多位高層會談,並達成協議。報導稱,將引進今年生產的EUV曝光機和擬明年推出的High-NA(高數值孔徑)EUV曝光機。 High-NA EUV曝光機是競爭2奈米製程的一大關鍵,更高的精密度,設計零件更多;每台單價估為5000億韓元,價格為現有EUV曝光機的兩倍。今年稍早英特爾宣布已經簽署合同,購買5台該設備,計畫用於2025年生產1.8奈米晶片,而台積電也表示,將於2024年擁有該設備。 艾司摩爾每年僅有50台EUV設備產能,交貨週期為1年半,雖然三星實際將設備投入半導體生產的時間未定,但考量到交貨時間,預計2024年開始使用。

  • 強攻7奈米晶片研發 陸中科院廣發英雄帖

     美國制裁下,大陸近年積極推進本土半導體供應鏈建設,但先進設備與高階人才取得仍是難題。日前傳出,中國科學院公布博士後研究人員招聘啟事,重點鎖定在7奈米晶片的研發項目上。  集微網報導,中國科學院上海高等研究院日前公布博士後研究人員招聘啟事,一旦獲聘,將參與Sub-7nm先進積體電路器件同步輻射表徵及應用研究等課題。  該項7奈米技術課題,為大陸國家級重點研發計畫:「大科學裝置前沿研究」2021年度的立項專案,由上海高等研究院負責牽線籌組,專案實施週期為5年。報導指出,這則招聘啟事或許顯示該專案已經實質啟動。  另據天津南開大學資訊顯示,該校講席教授羅鋒已承擔上述相應課題,展開極紫外光刻技術(EUV)光阻劑合成製造與刻蝕評估,企業方面的合作者,包括大陸晶圓製造龍頭中芯國際旗下的北方集成電路創新中心,以及北京超弦存儲器研究院。  自2019年美國加強對半導體產業的制裁後,大陸愈來愈難以取得先進設備與製程技術,儘管靠著自身龐大需求與官方砸錢補助企業,晶片產量與市場規模不斷成長,但對外依賴度仍高。2021年大陸進口晶片總量為6,354.8億個,年增16.9%,進口金額近4,326億美元,年增23.6%,均創下歷史新高。  譬如,中芯國際因被美國指與解放軍有關聯,禁止美企向中芯提供10奈米以下的技術和設備,直接影響中芯在先進製程的研發進度。在美國施壓下,中芯僅能從荷蘭ASML買到製造傳統晶圓的DUV(深紫外光)曝光機,而非製造7奈米晶圓的EUV曝光機。  另一方面,當前大陸各地大蓋晶圓廠,也暴露出相關人才缺乏的問題,尤其是有經驗的工程師。資料顯示,2022年大陸半導體行業的人才缺口將超過20萬人,這也是大陸一直頻對台灣、韓國人才挖角原因。

  • 負面因素衝擊DRAM價格 南亞科:正常市場波動

    面對各項負面因素衝擊,市場預期第3季DRAM價格將會跌超過8%,多於預期,對於這樣的情況,南亞科總經理李培瑛則是很有信心,他表示雖然市場在面對通膨、封城及戰爭等影響,下半年挑戰會稍微高一些,但對於DRAM來說是屬於正常的波動,且南亞科有多元化的營運及產品線,在市場也建立了800多位客戶,從交期到品質都能提供很好的服務,所以預期南亞科能夠相對性的穩定迎接未來市場回復的狀況。 南亞科董事長吳嘉昭也補充,影響到市場需求最重要的因素是好幾年以來美國嚴重的通膨,5月份時美國通膨率達到8.6%,甚至英國、歐盟在4月份時,通膨率也分別達到9%及7.4%,再加上俄烏戰爭又加速通膨上升,使市場買氣收手,然後又因為疫情的關係,導致部分廠商無法生產,所以造成市場上短期的波動,不過南亞科當前專注在地區型的產品,因此預期影響不會太大。 至於在導入EUV製程方面,李培瑛表示,目前南亞科與其他同業的規劃一樣,會是在未來的世代,EUV在DRAM產業的導入會稍微慢一點,主要是因為DRAM應用的特性不同,加上廠房興建需要3年時間,目前製程的準備從第1代到第3代都不需要EUV就可以做到,雖然現在已經準備在做開發,但預期會在第4才導入,且初期的需求不會太大,所以在取得設備上不至於有太大的問題。 李培英也說明,雖然EUV的用電雖然高了點,但南亞科在用電的需求都已經取得了核備,再加上南亞在用電部分積極推展綠能及再生能源,也購買了未來10年的再生能源,所以在用電、用水方面都不是問題。

  • 台積電猛踩死敵痛點 最強設備快到手!高層親曝內幕

    台積電為全球晶圓代工龍頭,但在先進製程領域上面臨三星、英特爾等大廠的強烈競爭,誰先取得更先進的晶圓代工設備,就有機會在技術能力掌握領先優勢,台積電上周透露將在2024年取得艾司摩爾(ASML)的極紫外光微影設備(EUV)的新一代版本高數值孔徑EUV,有趣的是,英特爾先前才宣布他們是第一家取得該設備的廠商,預計2025年之前投入生產。 路透社報導,台積電研究發展資深副總經理米玉傑上周在台積電技術論壇表示台積電2024年將取得最先進微影設備的最新版本,以因應客戶的創新需求。儘管米玉傑並未透露該設備將於何時投產,但台積電掌握最新一代的EUV設備也成為市場焦點。 此外,台積電業務開發資深副總經理張曉強說明,台積電2024年還不準備運用新的高數值孔徑EUV設備來生產,主要使用目的是跟夥伴進行研究。 值得一提的是,英特爾先前才表示,他們將是第一家收到該設備的廠商,並預計2025年前投產。若台積電真的能在2024年取得該設備,代表他在此事將超車英特爾,兩強較勁一來一往令人莞爾。 半導體產業調查機構TechInsights經濟學家G. Dan Hutcheson表示,EUV技術已成為走在行業頂端的重要關鍵,高數值孔徑EUV則是推進半導體技術的下一個重大創新,「台積電2024年擁有這種設備的重要性,在於他們更快速接觸到最先進技術。」 然而,台積電股價近期表現相當疲軟,今(20日)盤中再破底觸及495元,創下一年半以來的低點,且若以今年最高688元計算,台積電股價已重挫將近30%,市值慘摔超過5兆。

  • 台積電剉咧等?三星搶到「額外」EUV設備 韓媒爆內幕

    三星集團副會長李在鎔訪歐行程受半導體業界關注,尤其他前往半導體設備廠荷蘭艾司摩爾(ASML)的舉動,被認為是在確保極紫外光(EUV)微影設備供應穩定,不僅如此,韓媒透露,三星已經從ASML取得額外的EUV設備,讓三星在研發先進製程技術上有機會超越台積電。 Business Korea報導,三星發聲明證實,李在鎔與包括執行長Peter Wennink在內的多位艾司摩爾高層會面,其中EUV設備能否順利供應是討論重點,三星也強調,EUV設備是發展先進製程不可或缺的重要設備。 報導指出,三星取得額外的EUV設備,但並未透露相關細節。不僅如此,李在鎔14日也與荷蘭總理Mark Rutte會面,他要求Mark Rutte提供協助,確保艾司摩爾能穩定供應半導體設備。 報導提到,三星需要確保ASML能夠穩定供應EUV設備,才能超車台積電搶下全球晶圓代工龍頭寶座,然而ASML是唯一一家EUV設備供應商,且每年產製的數量有限,這也讓各家廠商搶破頭。 先前華爾街日報也披露,台積電部分客戶已收到通知,由於晶圓製造設備到貨延遲,明後年的產能增加可能不如預期。研調機構IBS更預估,受到需求暴增、設備不足的因素影響,2024年先進製程晶片的供應缺口恐高達20%。

  • 台積電死敵也搶ASML最強EUV!外媒爆驚人天價 大到用三架747運送

    近年來,台積電、三星、英特爾在先進製程大戰打得火熱,為搶下晶圓代工市場,對極紫外光(EUV)設備需求大增。外媒報導,獨家供應半導體微影設備大廠艾司摩爾(ASML)新一代 High-NA EUV 設備飆出新天價,由於機台比前一代還要大30%,至少需要三架波音 747分批運送,預估一台要價約 4 億美元(約台幣119億元);有專家形容,買下High-NA EUV 設備就像擁有一把好槍,能搶得市場先機。 路透報導,ASML表示,去年第 4 季High-NA EUV設備訂單已有5台 ,預計於2024年交付。先前業內人士推估,下單一台動輒上百億台幣的最新EUV 肯定是大咖客戶,包括台積電、英特爾和三星。 ASML新一代 High-NA EUV 設備,因為精密度更高、設計零件更多,比前一代體積大 30% 左右,重量超過 200 公噸的雙層巴士大小,至少需要三架波音 747 分批運送,估每台價格4 億美元。將用於生產下一代晶片,晶片終端領域可涵蓋手機、筆電、汽車、AI 等。 微影製程技術是決定晶片上電路有多小的關鍵決定因素,High-NA有望減少66%尺寸大小。在晶片製造中越小越好,因為在同一空間中封裝的晶體管越多,晶片的速度就越快、能效越高。 產業調查機構 TechInsights專家 Dan Hutcheson 認為,High-NA EUV機台可為一些晶片製造商帶來顯著優勢,有點像誰擁有最好的槍,誰就能搶得先機。一旦錯失這設備,將從此失去競爭力。 台積電今年拉高資本支出至400~440億美元,相關支出多數用於先進製程,除了加速建廠2奈米及更先進製程晶圓廠,也極積投入相關半導體設備預訂採購。

  • 家登第一季獲利 同期新高

     隨著全球半導體廠新增產能陸續開出,晶圓載具及光罩盒今年以來持續供不應求且調漲價格,包括台積電、英特爾等國際大廠全力擴建支援極紫外光(EUV)先進製程產能,極紫外光光罩盒(EUV Pod)拉貨動能強勁,晶圓傳載方案廠家登(3680)受惠於接單強勁,第一季稅後淨利1.94億元創下同期新高,每股淨利2.32元優於預期。  家登公告第一季合併營收季減14.4%達10.25億元,較去年同期成長58.9%,毛利率季減0.7個百分點達46.5%,較去年同期提升13.5個百分點,營業利益季減15.7%達2.41億元,與去年同期相較成長逾3.9倍,歸屬母公司稅後淨利季減4.4%達1.94億元,較去年同期成長逾5.5倍,每股淨利2.32元。  家登第一季合併營收為歷年同期新高,稅後淨利亦為歷年新高及季度獲利歷史第三高,第二季接單維持強勁,4月合併營收月減10.6%達3.66億元,較去年同期成長120.6%,累計前四個月合併營收13.90億元,較去年同期成長72.9%。法人看好家登今年晶圓載具及光罩盒產能已被客戶預訂一空,營運將維持逐季成長。  家登董事長邱銘乾在營運報告書中指出,家登於去年完成EUV Pod最後一塊全球關鍵客戶拼圖,再次成功取得全球先進製程半導體領導廠關鍵訂單,家登量身打造EUV Pod專屬生產基地,並克服所有障礙,相容於全球各國不同的產線配置與在地自動化機台,完成全球布局,未來成長可期。  邱銘乾表示,家登成熟及先進製程專用12吋前開式晶圓傳送盒(FOUP)已正式通過全球大客戶認證,取得訂單並進入量產階段,並隨著良率進步不斷提高產能。  晶圓載具去年下半年開始,隨著原物料短缺及成本上揚,致使市場開始供不應求,家登視危機為轉機,提供客戶降低供應鏈險的最佳選擇,並由後進者一躍於領先者行列,逐步擴展全球市占。  邱銘乾表示,全球半導體高階製程資本支出持續增加,EUV設備機台供不應求,家登今年光罩載具成長將帶動整體集團獲利表現。  再者,晶圓載具預期爆發成長,家登12吋FOUP針對全球關鍵客戶不同製程需要開發完成對應產品,今年在關鍵客戶銷售上已取得大量出貨實績並挹注營收,隨著愈來愈多前後段客戶採用家登12吋FOUP,目前產能已被客戶全年預訂,代表今年在晶圓傳載市場取得關鍵地位的重要里程碑。

  • imec展示最新High-NA EUV技術

     比利時微電子研究中心(imec)於國際光學工程學會(SPIE)舉行的先進微影成形技術會議上,展示其High-NA(高數值孔徑)微影技術的重大進展,包含顯影與蝕刻製程開發、新興光阻劑與塗底材料測試、以及量測與光罩技術優化。imec與台積電、英特爾等國際大廠有密切合作,業界預期先進製程在2025年之後將進入埃米(angstorm)時代,High-NA技術將是量產關鍵。  High-NA微影技術將是延續摩爾定律的關鍵,推動2奈米以下的電晶體微縮。imec致力於打造High-NA微影生態系統,持續籌備與極紫外光(EUV)微影設備製造商艾司摩爾(ASML)共同成立High-NA實驗室。該實驗室將會聚焦全球首台0.55 High-NA EUV微影設備的原型機開發。  imec執行長Luc Van den hove表示,imec與ASML合作開發High-NA技術,ASML現在正在發展首台0.55 High-NA EUV微影掃描設備EXE:5000系統的原型機。與現有的EUV系統相比,High-NA EUV微影設備預計將能在減少曝光顯影次數的情況下,實現2奈米以下邏輯晶片的關鍵特徵圖案化。  為了建立首台High-NA EUV原型系統,imec持續提升當前0.33 NA EUV微影技術的投影解析度,藉此預測光阻層塗佈薄化後的成像表現,以實現微縮化線寬、導線間距與接點的精密圖案轉移。同時,imec攜手材料供應商一同展示新興光阻劑與塗底材料的測試結果,在High-NA製程中成功達到優異的成像品質。同時也提出新製程專用的顯影與蝕刻解決方案,以減少微影圖案的缺陷與隨機損壞。  針對22奈米導線間距或線寬的微影應用,imec已經模擬了EUV光罩缺陷所帶來的影響,包含多層光罩結構的側壁波紋缺陷,以及光吸收層的線邊緣粗糙現象。imec先進微影技術研究計畫主持人Kurt Ronse表示,這些研究成果讓業界了解High-NA EUV微影製程所需的光罩規格。  此外,透過與ASML和材料供應商合作,imec針對負責定義圖案結構的光罩吸收層開發了新興的材料與架構。

  • ASML大擴產 台供應鏈吃補

     全球半導體廠今年拉高資本支出擴大先進製程及成熟製程產能,關鍵微影設備大缺貨,交期長達24~30個月,艾司摩爾(ASML)上周法人說明會中宣布將啟動大擴產計畫,同步提高極紫外光(EUV)及深極外光(DUV)產能。  其中,0.33數值孔徑(NA)EUV曝光機今年55台出貨目標可望達成,2025年產能目標將由原本預估的70台拉高至90台。  ASML今年產能已全滿,設備供不應求情況會延續到明年之後,在手訂單已排到2023年下半年。法人看好家登(3680)、帆宣(6196)、公準(3178)、意德士(7556)、翔名(8091)等ASML供應鏈合作夥伴今年營運續締新猷,且接單量能可望逐年大幅成長到2025年。  雖然包括俄烏戰爭及中國疫情封城等外在變數已衝擊消費性電子銷售,但車用及工控等晶片需求持續轉強,半導體產能仍然供不應求,包括台積電、英特爾、三星、聯電等均拉高資本支出積極擴產。ASML執行長溫彼得(Peter Wennink)在法說會中表示,市場對於先進和成熟製程節點的需求持續強勁,EUV及DUV曝光機訂單及出貨需求仍高於目前產能。  溫彼得說明,雖然當前的總體經濟環境仍充滿不確定性,但客戶在先進製程及成熟製程的擴產動作並未放緩,ASML今年EUV機台出貨目標55台,DUV機台出貨目標240台。其中,目前DUV機台產能只能滿足60%訂單,未出貨在手訂單已超過500台,新訂單交期長達兩年。  ASML原本預期至2025年EUV機台年產能將達70台,DUV機台年產能達375台,但法說會中指出將大幅拉高產能,至2025年EUV機台年產能預計將提升至90台,DUV機台希望可拉升至600台。同時,ASML預期0.55高數值孔徑(High-NA)EUV曝光機在2025年可認列5台營收貢獻,2026~2027年的年產能計畫擴增達20台。  ASML正在尋求供應鏈合作夥伴的產能支援,以達到2025年的擴產目標,相關擴產計畫將會在今年第四季對外說明。法人指出,帆宣與ASML合作多年並承接次系統模組代工訂單,公準提供精密零組件,意德士晶圓真空吸盤供應商,翔名提供黃光製程備品耗材,家登是最大的極紫外光光罩盒(EUV Pod)及晶圓傳送盒供應商,可望直接受惠。

  • 應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環繞閘極電晶體技術

    半導體設備大廠應用材料推出多項創新技術,協助客戶運用極紫外光(EUV)持續進行2D微縮,並展示業界最完整的次世代3D環繞閘極(Gate-All-Around,GAA)電晶體製造技術組合。 晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術,使用EUV微影系統與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術最佳化(DTCO)與3D技術,巧妙地藉由最佳化邏輯單元布局來增加密度,而不需要改變微影間距。 第二種方法需要使用晶背電源分配網路與環繞閘極電晶體,隨著傳統2D微縮技術逐漸式微,未來預計能有效提升邏輯單元密度的比率。這些方法能幫助晶片廠商改善次世代邏輯晶片的功率、效能、單位面積、成本與上市時間(PPACt)。 應用材料半導體資深副總裁暨半導體產品事業群總經理帕布.若傑(Prabu Raja)表示,應用材料的策略是成為PPACt推動公司(PPACt enablement company),因此今天發表的七項創新技術,其目的就是要協助客戶運用EUV以持續進行2D微縮。我們也詳細說明GAA電晶體的製造方式與今日的FinFET電晶體有何不同,以及應用材料備妥為GAA的製造提供業界最完整的產品組合,包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案(Integrated Materials Solutions),以產生合適的GAA閘極氧化層與金屬閘極。 極紫外光(EUV)微影技術的出現,讓晶片製造商得以實現更小的線寬與更高的電晶體密度。然而,晶片製程不斷微縮,使得EUV技術面臨重大挑戰,因而帶動新的沉積、蝕刻與量測技術需求。 EUV光阻劑顯影後,必須透過一連串的中介層(又稱為轉移層與硬質光罩)蝕刻晶片圖案,才能將圖案轉移至晶圓上。目前這些薄層都是使用旋轉式技術進行沉積,應用材料推出專為EUV設計的Stensar先進圖案化薄膜(Advanced Patterning Film),則是使用應用材料的Precision化學氣相沉積(CVD)系統。相較於旋轉式沉積技術,應用材料的CVD薄膜能協助客戶調整EUV硬質光罩層的厚度並獲得蝕刻彈性,讓轉移至整個晶圓的EUV圖案達到近乎完美的均勻度。 應用材料也詳述了Sym3 Y蝕刻系統的特殊功能,能讓客戶在相同反應室中蝕刻與沉積材料,以改善要蝕刻到晶圓上的EUV圖案。Sym3反應室會小心地移除EUV光阻劑,再使用特殊方式重新沉積材料,以減少隨機誤差所造成的圖案偏差。改善後的EUV圖案可以提高良率與晶片功率和效能。身為DRAM導體材料蝕刻系統最大供應商,應用材料的Sym3技術不僅已廣泛應用於記憶體,更迅速獲得晶圓代工/邏輯製程客戶的青睞。 應用材料也展示了PROVision電子束(eBeam)量測技術,可穿透晶片的多層結構,準確量測整個晶圓的EUV圖案線寬,幫助客戶解決邊緣放置(edge placement)錯誤,這是其他量測技術無法做到的。在2021年,應用材料的電子束系統營收成長了將近一倍,並成為電子束技術第一大供應商。 新興的GAA電晶體體現了客戶如何利用3D設計技術和DTCO布局創新來補強2D微縮,因此即使2D微縮技術式微,仍能快速提高邏輯密度。創新的材料工程解決方案也改善了GAA電晶體的功率和效能。 在FinFET中,形成電晶體電氣路徑的垂直通道是藉由微影和蝕刻形成的,這些製程可能導致通道寬度以及通道表面粗糙程度不均勻,進而對功率和效能產生負面的影響,這是除了鰭高的物理限制外,客戶轉向GAA的主要原因之一。 GAA電晶體類似被旋轉了90度的FinFET電晶體,使通道變成水平狀而非垂直狀。GAA通道是利用磊晶和選擇性材料去除技術所形成,這些技術可讓客戶精確設計寬度和均勻性,以達到最佳的功率和效能。應用材料推出的第一個產品是磊晶系統,此後即一直是市場領導者。應用材料在2016年推出Selectra系統時,就開創了選擇性材料去除技術的先河,並且是市場的領導者,至今客戶使用的反應室已超過1,000個。 製造GAA電晶體的主要挑戰之一是,通道之間的空間只有10奈米左右,客戶必須在有限的空間內將多層閘極氧化層(gate oxide)和金屬閘極堆疊沉積在通道的四面。 應用材料針對閘極氧化層堆疊開發了IMS(Integrated Materials Solution)系統。更薄的閘極氧化層可以產生更高的驅動電流和電晶體效能。然而,較薄的閘極氧化層通常會導致較高的漏電流,從而浪費功耗並產生熱能。 應用材料新的IMS系統將等效氧化厚度縮減1.5埃(angstrom),使設計者能夠在不增加閘極漏電的情況下提高效能,或者在保持效能不變的情況下將閘極漏電減少10倍以上。此系統它將原子層沉積(ALD)、熱處理步驟、電漿處理步驟和量測技術整合在一個高度真空的系統中。 應用材料還展示了用於GAA金屬閘極堆疊工程設計的IMS系統,使客戶能夠改變閘極厚度,以調整電晶體的閾值電壓,滿足從電池供電的行動裝置到高效能伺服器等特殊運算應用的每瓦效能目標。它可在高度真空中執行高精度的金屬ALD步驟,實現預防大氣污染的目標。

  • 熱門股-帆宣 EUV委外訂單挹注

     帆宣(6196)公告2021年財報,全年合併營收達344.58億元、年成長37.2%,稅後淨利15.47億元,相較2020年大幅成長70.4%,每股淨利8.24元,獲利表現創下新高,帆宣預計將配全年現金股利4.5元。法人看好,帆宣2022年在半導體產業擴廠需求,加上極紫外光(EUV)委外訂單持續挹注,全年營運可望續創新高。  帆宣8日股價上漲2.77%至148.5元,表現相對其他電子股強勢,且守住半年線水位,觀察技術線型,日KD甫低檔黃金交叉,且已經進入成交量能已經縮小逾一個月,後續只要待國際股市回穩,加上電子股回復動能,股價將有機會恢復進攻力道。

  • 家登通吃台積電、英特爾 訂單看到明年

     台積電(2330)擴大採用極紫外光(EUV)微影技術量產先進製程,英特爾(Intel)推進先進製程並導入EUV微影技術,Intel 4(4奈米)及Intel 3(3奈米)將在2022年及2023年開始生產。法人指出,傳載方案廠家登(3680)與台積電及英特爾合作多年,極紫外光光罩盒(EUV Pod)順利打進兩家半導體大廠供應鏈,訂單能見度可望放眼到2023年。  設備業者指出,家登EUV Pod已打進晶圓代工龍頭及三大DRAM廠供應鏈,家登因為與英特爾有多年合作經驗,英特爾資本(Intel Capital)曾投資過家登,此次英特爾在分析師大會中宣布今年開始啟動EUV製程量產,家登順利成為英特爾EUV Pod供應商。  家登不評論客戶接單情況,但家登董事長邱銘乾日前表示,隨著台灣及美國等半導體廠投入先進製程擴產,並大舉建置EUV產能,家登2022年EUV Pod出貨將隨著5奈米及3奈米等先進製程產能開出而放量出貨。  台積電於2021年技術論壇中指出,以EUV曝光機的累計裝機數量來看,到2020年已占全球總機台數量的一半,2021年到2022年拉高資本支出擴大5奈米及3奈米產能,EUV曝光機累計裝機數量占全球總機台數量比重將持續過半,且3奈米EUV光罩層數較5奈米倍增,對於EUV Pod需求大幅增加,家登直接受惠。  英特爾正在加快EUV技術布局,Intel 4製程下半年進入量產,Intel 3製程2022年下半年可開始生產。英特爾預計2024年完成Intel 20A(2奈米)及Intel 18A(1.8奈米)生產準備,並建置高數值孔徑(High-NA)EUV產能,可望擴大對家登採購EUV Pod。  家登公告,1月合併營收3.37億元,與2021年同期相較成長52.6%。家登看好2022年EUV Pod及前開式晶圓傳送盒(FOUP)出貨暢旺,因此對2022年營運維持樂觀展望。  法人表示,家登已是全球EUV Pod最大供應商,全球市占率超過七成,台灣及美國半導體大廠訂單到手,隨著EUV先進製程開始量產,家登直接受益,EUV Pod出貨量將在今年續創新高,訂單能見度已可看到2023年。

  • 台積電2025成全球最巨 6族群虎年回神成標配

    不畏南韓三星賣力追趕,台積電今年先進製程必備的EUV機台數將達84台,海放三星的51台,產業專家吳金榮看好台積電2025年營收戰1000億美元,成全球最大半導體公司。野村鴻運經理人許敬基則認為,獲利成長看逾2成的晶圓代工產業,一定是年後操作標配,其他如IC設計、散熱族群、伺服器、第三代半導體、Mini LED等產業,成長性同樣看佳。 微驅科技總經理吳金榮在蘋果新聞網分析,先進製程產能首重EUV機台數,目前台積電比三星多1倍,雖三星急起直追,仍預期台積電2025年成全球最大半導體公司。 吳金榮指出,台積電、三星及英特爾等全球3大半導體廠的競爭關係來看,台積電成本最低、英特爾最高,市場估英特爾成本甚至比台積電高出40~50%。台積電除挾成本優勢,製程領先度與客戶基礎也最多,客戶數甚至比三星的約100個還多出10倍。 至於EUV機台上,台積電2021年有62台,今年可達84台,相較三星僅由33台增至51台,兩者差距甚遠,若以台積電年複合成長率15~20%推估,2025年的年營收將達1000億美元。 野村鴻運經理人許敬基接受《今周刊》採訪時則指,即使美國Fed釋出貨幣緊縮訊息,但預估台股今、明年整體上市櫃公司獲利,即使在去年高基期下仍有個位數成長,獲利支撐有助於台股震盪走高,維持多頭格局,看好台股即使有5%到10%的回檔空間,但未來指數仍有機會創高。 整體而言,今年台股操盤要回歸獲利成長面,許敬基指出,預估獲利成長看逾2成的晶圓代工產業,一定是標配,其他如IC設計,今年可能有3到5成企業,獲利成長有機會超過3成;散熱族群、伺服器、第三代半導體、Mini LED等產業,成長性也看佳。

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