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  • 《國際產業》英特爾是盤子?台積電對「這設備」很務實

    【時報編譯柯婉琇綜合外電報導】台積電高層周二重申台積電「A16」先進製程節點不一定需要使用艾司摩爾(ASML)下一代先進晶片製造設備「高數值孔徑極紫外光曝光機」(High-NA EUV)。 台積電4月底在加州聖塔克拉拉(Santa Clara)的一場活動上宣布其「A16」新製程將於2026年下半年投產。  High-NA極紫外光曝光機有助使晶片設計縮小多達三分之二,但價格昂貴許多,晶片製造商必須在其優點和成本增加之間權衡得失,同時也必須考量艾司摩爾較成熟的技術是否已經夠用且更為可靠。 台積電業務發展資深副總裁張曉強(Kevin Zhang)周二在阿姆斯特丹的會議上表示,台積電A16製程的工廠可能設計為可引進High-NA極紫外光曝光機,但這還不確定,「我喜歡這項技術,但我不喜歡這個價格」,「艾司摩爾的新技術何時投入使用,我認為這將取決於最佳經濟效益為在何處,以及我們能達成的技術平衡」。  據外媒報導,每套High-NA極紫外光曝光機要價超過3.5億歐元(約3.78億美元),遠高於艾司摩爾常規型EUV機器的2億歐元。  台積電是艾司摩爾常規型EUV設備的最大用戶。  張曉強4月底在加州就曾透露台積電不認為需要使用艾司摩爾新的High-NA極紫外光曝光機來打造A16晶片。  英特爾日前宣布將成為第一家使用此款尖端設備的公司,用來來打造自家的14A晶片。

  • 《半導體》上櫃初登場漲逾37% 家碩蜜月行情甜

    【時報記者林資傑台北報導】晶圓傳載解決方案廠家登(3680)旗下半導體設備子公司家碩(6953)今(13)日以每股216.8元轉上櫃掛牌,開盤即以大漲35.94%的295元開出,隨後漲幅擴大至37.33%、觸及298元,早盤維持約33%強勁漲勢,上櫃蜜月行情甜蜜。 家碩原名家登自動化,為2016年7月自家登的精密機械部門分割成立,主要提供應用於極紫外光(EUV)及高階製程的光罩傳載自動化技術解決方案,產品包括光罩潔淨、交換、檢測、微環境儲存及智慧倉儲管理等,銷售台灣、美國、以色列、愛爾蘭、中國大陸等地。 家碩2023年合併營收12.07億元、年增15.19%,營業利益2.6億元、年增7.31%,配合業外收益年增32.63%助攻,使稅後淨利2.28億元、年增達12.21%,全數改寫新高,每股盈餘(EPS)8.36元。毛利率48.51%、營益率21.54%,亦分創新高及次高。 家碩2024年首季合併營收3.31億元,季增達73.42%、年增12.82%,營業利益0.57億元,季增達1.11倍、但年減16.74%。受惠業外顯著轉盈挹注,稅前淨利0.69億元,季增達近6.23倍、年增7.73%,稅後淨利0.51億元,季增達近3.16倍、但年減1.4%,每股盈餘1.87元。 家碩受客戶訂單遞延出貨影響,2023年第四季營運明顯轉弱。不過,隨著全球半導體需求復甦,首季營運表現明顯回神。而首季業外顯著由虧轉盈,主要受惠匯兌收益挹注。展望後市,法人看好家碩今年營運可望維持雙位數成長佳績。 家碩指出,隨著5G通訊技術成熟和AI能力激增,智慧手機、高速運算(HPC)、物聯網和車用市場持續提升,推動光罩相關產品需求上揚,極紫外線(EUV)光刻技術成為先進半導體製程標配。 對此,家碩近年專研開發先進EUV光罩傳載整合解決方案及物理氣相沉積(PVD)相關設備,希望藉此延伸和優化高階光罩相關方案,以提供更多高端產品。 為強化市場競爭力,家碩亦致力提升旗下產品技術含量,如開發自動光學檢查(AOI)光罩潔淨檢測和搭載人工智慧(AI)的檢測技術,此舉將有助提高檢測效率、並進一步提升產品質量。同時,家碩也計畫建廠擴產和積極擴展海外市場,以滿足未來市場需求。 此外,因應美國晶片法案、歐盟晶片法案等全球政治情勢變化,各國政府紛紛推動半導體供應鏈在地化,家碩也同步調整供應鏈策略,以更靈活適應全球市場新規則。 家碩表示,未來將持續藉「整合光罩傳載、交換、檢測、汙染防制、清潔及儲存管理等技術」、「PVD設備應用拓展」、「積極跨入高頻通訊車載電子領域」等面向,為客戶提供光罩儲存充氣倉儲和光罩清洗機的全方位解決方案,對營運後市動能樂觀。

  • 《國際產業》韓媒:英特爾包下ASML高階EUV產能 直到明年這時候

    【時報編譯張朝欽綜合外電報導】據韓媒《The Elec》報導,英特爾已獲得艾司摩爾(ASML)正在製造的大部分極紫外光EUV設備,直至明年上半年。  消息人士稱,ASML今年將生產5套EUV設備,這些設備將全部交給英特爾。  他們還表示,由於ASML高數值孔徑EUV設備的產能約為每年5至6台,這意指英特爾將獲得所有的初始庫存。  此外消息人士預計,三星和SK海力士將在明年下半某個時候才能獲得該設備。  他們還說,英特爾在宣佈重新進入晶片代工業務時,已搶先購買了這些設備。 ASML的高NA EUV設備是晶片製造商製造2奈米製程晶片的必備設備。NA代表數值孔徑,表示光學系統收集和聚焦光線的能力,數值越大,越有利於聚集光。高數值孔徑EUV設備的NA從0.33提高到0.55,意指該設備可以繪製更精細的電路圖案。  為贏得客戶,英特爾正以更快的速度採用高NA EUV設備。

  • 先進製程猛吃電 晶圓廠大數據節能

     輝達引領下,全球展開AI應用的強烈需求,預期台灣供應鏈近幾年將大吃AI紅利,但AI應用除了前後端耗電,在生產晶片時也需要龐大電力,甚至是綠電,尤其是先進製程需要半導體廠的EUV曝光機,讓相關供應鏈開始推動節電計畫。  2024年全球都在瘋AI,不過產業專家透露,目前在相關供應鏈的生產端並沒有太新的技術可以省電,企業都是透過各自的辦法去節電,或者擴增再生能源,以降低用電以及增加綠電比例。  其中聯電建立大量的數據收集感測器,透過工業4.0的大數據監控,即時掌控各廠、各設備的能耗,透過調整測試設備的運轉模式,降低用電,並評估是否加裝節能元件,並汰換掉耗能的設備。  此外,也會持續檢討能耗的數據,進一步挖掘節能潛力,期望以生產效率極大化、環境衝擊極小化的綠色營運模式,在2025年挑戰節電15%、節水15%、減少廢棄物25%的目標。  晶圓代工大廠台積電,同樣是台灣最大的用電戶,在2022年的永續報告書自行揭露電力消耗約210億度,占全台電力消費約7.5%,由於先進製程7nm以下需要使用EUV曝光設備,1台曝光機均日消耗約3萬度電,主要是EUV光源能源轉換效率極低,轉換率僅0.02%,若要生產先進製程晶片,耗電就成了必要之惡。  台積電也持續在節能措施著手,依製程技術定義5大節能團隊,全面推動生產機台以及廠務設備的各項節能措施,並透過大數據分析持續優化EUV機台參數,降低每片晶圓所需用電量,同時與供應商合作研究,挖掘EUV節能的可能性,在2022年成功降低EUV生產每片晶圓耗電量的22%,年省6000萬度電,在2022年節省了7億度電。  台積電在2018年啟動的新世代機台節能行動專案,截至2022年累計有195項節能方案應用在超過百種先進製程機台,結合跨廠導入節能措施,預期從2016年至2030年,新增的節能措施累計節能率將達到18%。

  • 不用High-NA EUV!張曉強指A16 AI晶片優於預期

    台積電(2330)於北美技術論壇,首揭「A16」的晶片製造技術,並將於2026年下半年投入生產。台積電資深副總經理張曉強表示,由於AI晶片客戶需求,台積電A16晶片製造流程速度較預期更快;此外,他不認為需要使用ASML的高數值孔徑的新型High-NA EUV 曝光機便能打造A16。 張曉強強調,由於人工智慧晶片客戶之成長需求,推進台積電發展最新技術腳步。A16正式在技術藍圖出現,結合台積電超級電軌(Super Power Rail)架構與奈米片電晶體(Nanosheet),預計於2026年量產。值得留意的是,A16架構首批採用者極有可能是AI晶片客戶、而非智慧型手機業者。

  • 《興櫃股》家碩5月13日轉上櫃 22日起底價188.52元競拍

    【時報記者林資傑台北報導】晶圓傳載解決方案廠家登(3680)旗下設備子公司家碩(6953)暫定5月13日上櫃掛牌,上櫃前現增發行2717張、對外承銷2310張,其中1848張將於22~24日以底價188.52元競拍,並於26日開標,剩餘新股將於4月30日至5月3日公開承銷,每股承銷價暫訂216.8元。 家碩原名家登自動化,為2016年7月自家登的精密機械部門分割成立,主要提供應用於極紫外光(EUV)及高階製程的光罩傳載自動化技術解決方案,產品包括光罩潔淨、交換、檢測、微環境儲存及智慧倉儲管理等,銷售台灣、美國、以色列、愛爾蘭、中國大陸等地。 家碩2023年合併營收12.07億元、年增15.19%,營業利益2.6億元、年增7.31%,配合業外收益年增32.63%助攻,使稅後淨利2.28億元、年增達12.21%,全數改寫新高,每股盈餘8.36元。觀察本業獲利「雙率」,毛利率48.51%、營益率21.54%,分創新高及次高。 家碩2024年首季自結合併營收3.31億元,季增達73.42%、年增達12.82%,繳出亮眼表現。展望後市,由於半導體供應鏈具高技術門檻和嚴格的認證要求,家碩卓越技術能力已成功打入全球晶圓製造領導廠商供應鏈,在大環境成長加持下,公司對營運後市樂觀看待。 家碩表示,公司技術涵蓋光罩儲存與管理、穩壓充氣、微塵控制、光罩檢測與夾取、光罩清潔等多項核心關鍵,打造同業難以超越的高技術門檻。且半導體設備具高技術門檻且認證不易特點,公司憑藉著優異的技術能力,已打入全球晶圓製造領導廠商供應鏈。 據台灣半導體產業協會(TSIA)調查,2024年台灣IC產業產值估增至約5.01兆元、年增達15.4%,高於全球的13.1%。隨著3奈米技術去年進入量產,全球半導體產業競爭加劇,尤其在EUV產能投資方面,隨著製程推進和光罩層數增加,預期可望帶動家碩業務成長。

  • 台積電今日法說變法會?這半導體大廠拋不祥訊號 網崩潰:還有1檔AI妖股快開獎

    護國神山台積電今(18)日法說即將登場,發表第1季財報表現與後市展望,由於費半昨日狂殺3.25%,能否成半導體產業救星受關注。但半導體設備大廠、荷蘭艾司摩爾(ASML)第1季財報率先出爐,因訂單較上季驟減近3分之2,導致營收、獲利雙摔,且第2季展望遠遜於外界預期,半導體需求有降溫隱憂,加上AI第1妖股之稱的美超微,財報即將出爐,同樣引發網友討論,擔心恐成ASML之後,第2家爆雷的半導體大廠。 ASML公布首季營收52.9億歐元,年減21.6%,低於分析師預期的54.7歐元,淨利12.2億歐元,更年減逾37%之多,新訂單36.1億歐元,不僅遠低於預期的46.3億歐元,且較去年第4季以91.9億歐元的訂單額創下新高,季減率逾6成。 至於第2季財測部分,ASML營收預估57~62億歐元,同樣低於預期的64.6億歐元,第2季毛利率持平為50%~51%。 由於在美國政府的壓力下,ASML始終無法向中國大陸出售最先進的極紫外光(EUV)設備,該公司預估,在出口管制措施下,將影響今年約15%的中國大陸銷售額。且光是第1季,ASML向中國客戶銷售的曝光機占營收比重高達49%、約當20億歐元,潛在衝擊甚鉅。 ASML是最先進晶片設備的全球唯一供應商,主要客戶包括台積電、三星和英特爾等一線晶圓廠,並用於代工生產輝達或蘋果等公司設計的晶片,因此一旦設備採購減少,就顯示半導體行業周期轉衰。 大華國際投顧分析師鄭瑞宗則表示,這波加權自1/17的17161點,最高漲到4/10的20833點,共計大漲3722點,期間台積電自581漲到826元,共計大漲245元,貢獻指數約2082點,佔同期大盤漲點56%。 台積電的權重太高,讓台股這波行情即使上漲近1900點,大家都沒有感覺,9成的人股票都下跌套牢,甚至00940、00939一掛牌就破發,提醒加權指數與台積電掛勾明顯,高檔修正恐怕才剛開始,反倒是很多中小型股,都已經跌1~2個月,較有機會止跌反彈。 不過,外資圈對台積電仍不改看好論調,法說會前已紛紛將目標價推高至900元以上,目前以匯豐證券的993元最高,若將樂觀情境納入考量,大摩甚至已喊出長線有望登1080天價。 至於美超微部分,則有華爾街分析師將目標價從600美元,一口氣調高至1500美元,預測美超微第1季營收41~45億美元,高於華爾街共識的40億美元,且第2季還可能季增,2026年EPS上看50美元,全年營收300~400億美元間。 ※免責聲明:文中所提之個股內容,並非任何投資建議與參考,請審慎判斷評估風險,自負盈虧。

  • 《熱門族群》ASML報憂重挫 概念股鬱卒啦

    【時報-台北電】艾司摩爾(ASML)首季財報不如預期,衝擊其昨日在美股股價崩跌7.09%,並引發輝達(NVDA)、超微、美光等半導體股走跌,使得費半指數收挫3.25%。今日台股相關概念股也聞訊走低,盤中包括京鼎(3413)跌約4.5%、信紘科(6667)跌逾3%,家登(3680)、帆宣(6196)跌約2.5%、弘塑(3131)跌逾2%,而漢唐(2404)、辛耘(3583)等也跌約1.5%,未能跟上台積電(2330)引領台股逆轉勝行列。 ASML首季營收52.9億歐元、年減27%,低於預期的54.7億歐元;另,預估第2季營收57~62億歐元,也低於預期的64.6億歐元,但認為下半年會比上半年好,全年業績與去年持平,明年可望強勁成長。ASML昨夜在美股重挫7.09%、收907.61美元,也拖累今日台股相關概念族群表現。 ASML的台廠供應鏈,主要有EUV光罩盒供應商家登、EUV機台次系統模組代工廠帆宣、EUV機台晶圓真空吸盤供應商意德士、零組件供應商公準等,而其他圍繞在先進製程的耗材、設備供應商如中砂、京鼎等。 法人指出,美股進入超級財報周,將牽動台廠科技股表現,惟考量熱錢外流,恐壓抑大盤走勢,中期走勢保守看待。而台積電法說今日將登場,市場多預期有望釋出正向展望,因此半導體設備、CoWoS、檢測廠仍可望吸引資金進駐,逢回可擇優布局。(編輯:李慧蘭)

  • 《興櫃股》家登小金雞家碩5月中轉上櫃 2024年展望樂觀

    【時報記者林資傑台北報導】晶圓傳載解決方案廠家登(3680)旗下設備零組件子公司家碩(6953)預計5月中旬轉上櫃掛牌,公司15日舉行上櫃前業績發表會,對2024年營運展望維持樂觀。董事長邱銘乾表示,家碩將積極拓展海外市場,並預計於南科三期興建5000坪工廠,以因應未來需求成長。 家碩原名家登自動化,為2016年7月自家登的精密機械部門分割成立,主要提供應用於極紫外光(EUV)及高階製程的光罩傳載自動化技術解決方案,產品包括光罩潔淨、交換、檢測、微環境儲存及智慧倉儲管理等,銷售台灣、美國、以色列、愛爾蘭、中國大陸等地。 邱銘乾透露,家碩的成立是由於家登半導體設備及載具員工產生管理衝突,面臨營收下滑、員工穩定度不佳狀況,因此透過分割成立家碩,提供具吸引力的獎酬打造精實經營團隊,2020年收購昇和精技,將業務延伸至高溫AIN物理氣相沉積(PVD)真空濺鍍和相關設備。 家碩憑藉在光罩領域的堅實技術背景,在光罩儲存與清潔設備的設計與製造取得領先,並透過攜手家登成立的半導體供應鏈聯盟,開發出具備交換、傳送與儲存等多功能技術整合的大型EUV光罩儲存管理設備,成功獲得客戶認證採用,為營運挹注新動能。 邱銘乾指出,家碩與大客戶長期共同開發技術,為高度客製化產品、客戶不會輕易更換,並搭配母公司家登極紫外光罩盒(EUV Pod)銷售,具技術專利保護,欲經艾司摩爾(ASML)重新認證不易,加上此領域屬於利基市場、較少廠商投入,為家碩擁有的競爭優勢。 家碩2023年合併營收12.07億元、年增15.19%,營業利益2.6億元、年增7.31%,配合業外收益年增32.63%助攻,使稅後淨利2.28億元、年增達12.21%,全數改寫新高,每股盈餘8.36元。觀察本業獲利「雙率」,毛利率48.51%、營益率21.54%,分創新高及次高。 家碩2024年首季自結合併營收3.31億元,季增達73.42%、年增達12.82%,繳出亮眼表現。展望後市,由於半導體供應鏈具高技術門檻和嚴格的認證要求,家碩卓越技術能力已成功打入全球晶圓製造領導廠商供應鏈,在大環境成長加持下,公司對營運後市樂觀看待。 邱銘乾認為,海外晶圓廠的擴建是必然市場趨勢,家碩與家登將跟隨客戶腳步積極拓展海外市場,並已取得南科三期土地規畫興建5000坪工廠,預估下半年開工、2~2.5年後可望進入量產,足以滿足短期成長需求,目前尚無赴美投資設廠計畫。

  • 《半導體》台積電:設備復原率逾7成 EUV等主要機台未受損

    【時報記者林資傑台北報導】台灣東部近海3日上午發生深度僅15.5公里的芮氏規模7.2的淺層強震,規模為近25年最大。晶圓代工龍頭台積電(2330)晚間表示,在事發後10小時內,晶圓廠設備復原率已逾70%、晶圓18廠等新廠更已逾80%,包括所有極紫外(EUV)光刻設備等主要機台皆無受損。 此次強震於新竹、龍潭和竹南科學園區的最大震度為5級,台中和台南科學園區則為4級。台積電表示,台灣晶圓廠工安系統正常,為確保人員安全,依內部程序啟動相關預防措施,部分廠區在第一時間進行疏散,並在確認安全後回到工作崗位,詳細影響正在確認中。 基於在地震應變和災害預防上擁有豐富經驗與能力,並定期進行安全演習以確保萬全準備,台積電指出,在地震發生後僅10小時內,晶圓廠設備的復原率已超過70%,晶圓18廠等新建晶圓廠的復原率更已超過80%。 雖然部分廠區的少數設備受損並影響部分產線生產,但台積電表示,包括所有極紫外(EUV)光刻設備等主要機台皆無受損,已有資源到位以加速達到全面復原、且持續復工中,並與客戶保持密切溝通。台積電將繼續密切監控,並適時與客戶直接溝通相關影響。

  • 《國際產業》輸慘台積電 英特爾:今年賠最多 打平要到「這年」

    【時報編譯柯婉琇綜合外電報導】英特爾周二向美國證券交易委員會(SEC)提交文件,披露旗下晶圓代工事業「Intel Foundry」營業虧損擴大,對於這家正試圖從台積電手中奪回技術領先地位的晶片大廠而言,無疑慮是一大挫敗。周二英特爾盤後股價大跌逾4%,報42.11美元。 英特爾表示,晶圓代工事業2023年營運虧損達70億美元,較2022年度的虧損52億美元擴大。該部門2023年營收189億美元,較2022年的274.9億美元大減31%。 執行長基辛格(Pat Gelsinger)向投資人表示,2024年將是英特爾晶片製造業務營運虧損最嚴重的一年,預計該部門約到2027年本業實現損益兩平。 基辛格並坦承晶圓代工事業受到錯誤決定的影響,包括在一年前未採用荷蘭艾司摩爾(ASML)的極紫外光(EUV)設備。雖然這些機械的成本可能超過1.5億美元,但與先前的晶片製造設備相比更具成本效益。 基辛格表示,由於這些失誤,英特爾已將約三成的晶圓委外交由台積電等外部代工廠生產,目標是將這個佔比降至約20%。 英特爾現在已經轉而採用EUV微影設備,隨著舊機器逐步淘汰,這些EUV設備將覆蓋越來越多的生產需求。 基辛格表示,在引進EUV後,我們認為英特爾現在在價格、性能和恢復領先地位方面都極具競爭力。在引進EUV之前,我們承擔巨大成本,且缺乏競爭力。 英特爾擬斥資1000億美元在美國4個州建造或擴建晶片工廠。該公司的扭轉事業計畫取決於能否說服外部公司採用其晶片製造服務。 英特爾向投資人表示,作為該計畫的一部分,公司將開始把晶圓代工事業當作獨立部門來公布財務報告。 為了追趕主要競爭對手台積電和三星電子,英特爾近幾年來持續大舉投資晶圓代工事業。台積電2023年營業利益達295億美元。三星電子去年營業利益崩跌84.8%,為6.57兆韓元。

  • 慘輸台積電!英特爾晶圓製造部門慘賠70億美元 盤後崩4%

    英特爾2日向美國證交會(SEC)申報資料,其旗下晶圓製造部門2023年營運虧損70億美元,較2022年虧損52億美元是進一步失血。該部門營收也較2022年大跌31%至189億美元。消息衝擊其股價盤後重挫逾4%至42.11美元。 執行長基辛格(Pat Gelsinger)說,今年將是英特爾晶圓製造部門營運虧損最慘重的一年,預期要到2027年才能損益兩平。 他表示,該部門營運惡化是因為連串錯誤決策所拖累,包括在一年前反對使用艾司摩爾的極紫外光刻機(EUV)等。雖然EUV要價逾1.5億美元,但卻較目前使用的光刻機更能節省成本。 由於類似的錯誤決策,讓英特爾要把其整體晶圓生產數量中的約30%,委託給台積電等外部合約製造商。他表示英特爾現在的目標,是要把委外生產的比率降低至大約20%。英特爾已經在更換使用EUV來取代較老舊的設備。

  • 英特爾打錯算盤!晶圓代工部慘賠70億美元 股價重摔

    英特爾2日向美國證交會(SEC)申報資料,其晶圓代工部門去年營業虧損70億美元,原因之一是錯誤地沒使用最先進設備來降低生產成本。目前已糾正失誤,預計今年虧損達至頂逢後,營運將逐步好轉,可望2027年損益兩平。股價3日盤前重挫近5%至41.8美元。 該部門2023年營業虧損70億美元,較2022年虧損52億美元進一步失血,營收大跌31%至189億美元。 執行長基辛格(Pat Gelsinger)坦承今年將是該部門營業虧損最慘重一年。以目前到2030年規畫來看,未來營運會逐步好轉,大概在這個規劃期的中段就能損益兩平。外界以此估算不再虧損的時間點可望落在2027年。 他表示該部門營運惡化是因為連串錯誤決策所造成,包括在一年前反對使用艾司摩爾的極紫外光刻機(EUV)。現在回頭來看,雖然1台EUV售價逾1.5億美元,但卻較目前使用的光刻機更節省成本,並能生產最先進晶片。 類似錯誤決策,讓英特爾要把其整體晶圓生產數量,撥出約30%委託給台積電等外部合約廠商代工。 基辛格表示英特爾現在目標,是把委外生產比率降低至約20%。為配合此目標,已經在更換使用EUV來取代較老舊的設備。 他指出在後EUV時代,英特爾在定價上會有非常大競爭力來奪回業界領導地位。 英特爾看好晶圓代工部的營業利益率進一步成長,主要是透過擴大生產自家晶片產品比率、拓展先進封裝業務、不斷擴大外部晶圓代工事業、提高產能使用率、節省成本和擴大生產規模等方式。 英特爾2021年3月宣布新設獨立的晶圓代工服務(IFS),旨在讓投資人更了解其產品與晶圓代工等各個事業的價值。2日申報資料是其首次公布該部門的銷售業績。

  • 綠電不足、未知碳費 恐衝擊台積業績

     電價審議委員會最快本周召開,由於目前台電售電越多虧損越大,因此4月份電價調漲已是共識,且工業用電將大幅調升,半導體等特大戶電價調幅恐逾2成,外界預期這將侵蝕台積電獲利,但專家表示,台積電怕的不是電費,在未來新製程的用電量只會更可怕,但增加的用電成本還不如客戶的綠電要求以及未知的碳費牌價。  台電統計在2023年全年售電共2300億度,其中工業用電為1640億度占7成,但全台灣特高壓用戶只有701家,合計用電793億度,半導體業用電量為379億度;另台積電永續報告書中提到,2022年的用電量為210.8億度,加上新製程,在2023年的用電量只會高不會低。  舉例來說,7奈米以下的先進製程都需用到EUV曝光機,1台EUV運轉24小時用電達3萬度,7奈米以下的客戶包括聯發科、AMD、高通、蘋果以及NVIDIA等知名大廠。未來3奈米晶圓廠年耗電量預計達到70億度,更先進的2奈米、1奈米廠年耗電可能突破百億度。  對此前資策會總監、資深產業顧問陳子昂表示,談省電對台積電來說太無奈,因為先進製程本來就會比較耗電;台積電最在意的是綠電及供電穩定,因為很早就簽署RE100,在2050年以前採用100%綠電,客戶也會要求台積電逐步採用綠電,因此台灣有95%以上的綠電都被台積電買走,但對台積電來說,目前的綠電供給還是不夠。  面對4月即將上漲的電價,陳子昂認為事情有輕重緩急,對台積電及其客戶來說電價調漲都在可控範圍,台灣的電價跟全世界比起來還算便宜,且電價成本在晶圓製造中的成本比重也不算太大,真正重要的是設備、人力,即使電價上漲20%,對台積電乃至其他半導體廠在攤提下成本也不會增加太多;因此首先要處理的是綠電來源、碳費牌價。

  • 應用材料拓展埃米時代 推圖形化解決方案

    應用材料於國際光電工程學會(MSPIE)先進微影上,推出系列圖案化產品與解決方案以滿足埃米時代晶片需求。並與全球頂尖邏輯晶片製造商如英特爾、三星電子等緊密合作,開發採用其 Sculpta 圖案成形技術的創新應用。 Sculpta 技術原理是透過延伸拉長圖案特徵來減少 EUV 雙重圖案化步驟,使特徵端點間距更接近,從而減少橋接缺陷並提高良率。目前 Sculpta 不僅被部署於生產線上,也在開發更多非 EUV 雙重圖案化的應用,如消除橋接缺陷、降低製程複雜度與成本等。 為解決 EUV 線邊緣粗糙度問題,應材推出 Sym3 Y MagnumTM蝕刻系統,可在同一反應室內結合精密沉積與先進蝕刻技術,使 EUV 線路圖案在轉移至晶圓前變得更平順,改善良率並降低線路電阻。該蝕刻系統已獲 DRAM 和先進邏輯製程廣泛採用。 置放誤差是 EUV 圖案化的主要挑戰之一。應材收購 Aselta 公司,利用其輪廓技術可收集更多量測資料,讓工程師更精確控制晶片特徵大小與置放位置。該技術已與應材部分量測設備進行整合,提供端到端解決方案。 應材自 2012 年起將圖案化作為公司研發重點,已在該領域投入超過 40 億美元。該公司預計其服務的圖案化市場規模,將從 2013 年 150 億美元大幅成長至 2023 年的 800 億美元以上,市占率也將從 10% 提高至超過 30%。 透過持續推出創新材料工程與量測技術應用,應材致力協助全球晶片製造商面對 EUV 與高數值孔徑 EUV 微影技術在 2 奈米以下圖案化應用中所带來的各種挑戰,持續領先業界為客戶提供最优解決方案。

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