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  • 三星DRAM全球市占率高達45.7% 創7年來新高

    韓聯社報導,根據市場調研機構Omdia27日發布的一組數據,三星電子2023年第四季度同步動態隨機存取存儲器(DRAM)全球市占率為45.7%,位居榜首,繼2016年第三季度(48.2%)之後時隔7年創下最高值。 2023年第四季,三星電子DRAM的市占率環比(與上期相比)提升7個百分點,與排名第二的SK海力士(31.7%)的差距拉大到14個百分點。美光以19.1%位列第三。 同期,三星電子DRAM銷售環比和同比(與上一年同期)分增21%和39%,時隔6個季度首次由負轉正。分析指出,第五代雙倍數據速率(DDR5)內存和高頻寬內存(HBM)等高附加值產品銷售大增,拉動整體銷售增長。

  • 《半導體》南亞科營運逐月逐季佳 Q2損益兩平有難度

    【時報記者葉時安台北報導】南亞科(2408)周五舉行新春茶敘,由總經理暨發言人李培瑛主持,DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM需求,加上DDR4轉換DDR5,今年預期需求將逐步改善、價格也有機會持續逐季上漲,不過仍須關注大環境變數,公司營運上,價格回升恐沒這麼快,第二季要損益兩平恐有挑戰,不過今年逐月逐季改善可期,而公司計畫1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品預計2024年導入生產;3D堆疊技術研發進行中,用於開發高密度RDIMM產品,目標伺服器市場。 南亞科總經理李培瑛表示,過去十年記憶體市場相對穩定,在經歷疫情、地緣政治等影響,使得全球經濟逐步走向負面衝擊,DRAM已連跌兩年,坦言壓力不小,然幸運地從去年第四季已看到市場微幅復甦。整體市況來看,DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM需求,加上DDR4轉換DDR5,今年預期需求將逐步改善、價格也有機會持續逐季上漲,尤其今年上半年上漲機會較大,下半年同樣有機會,但仍需持續關注各種變數,如全球經濟變化之整體經濟影響、客戶產能需求推出狀況等,其中歐洲戰爭、中美衝擊等地緣政治都可能持續影響市場需求復甦力道。  南亞科連續5個季度虧損,去年EPS降至2.4元,連兩年走跌,市場關注南亞科何時轉盈,南亞科總經理李培瑛提到,DRAM在兩年多期間價格跌深,從2.7跌至1美元,雖然價格已回升,但要爬回高檔仍相對有挑戰,從公司營運來看,今年有機會逐月逐季改善,但年中第二季公司要達到損益兩平恐較有難度,不過公司持續朝目標努力。  南亞科也分析供需狀況,供應商加速生產HBM及高密度DDR5,有利產能去化及調整DDR4及LPDDR4庫存,預估今年將恢復供需平衡。各利多因素,AI伺服器激勵雲端需求,而美國雲端企業的IT支出是觀察重點;AI PC、AI手機也將提升DRAM搭載量;消費性市場需求也將相對健康,今年有機會穩定成長。  南亞科2024年資本支出預算案決議,因應新廠興建、1B製程技術製程轉進等,公司董事會通過資本支出預算以不超過新台幣260億元為上限,其中生產製造設備類預算約占一半。公司董事會也通過股東會將於2024年5月29日召開。  南亞科技營運計畫,1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品預計2024年導入生產;3D堆疊技術研發進行中,用於開發高密度RDIMM產品,目標伺服器市場。南亞科2024年預期全年位元成長率20%以上,將逐季成長。南亞科新廠營建也如期進行,預計2026年完工;量產依市場需求發展而定。  南亞科營運應用方面,消費型電子產品占約60%以上,PC、伺服器等運算類應用約占20%,手機約20%。  南亞科也提到,1B製程技術(相較1A技術)可使單片晶圓產能提升30%,有助於節能減碳;DDR5產品預期可比DDR4平均功率下降約16%,且效能可提升兩倍。

  • 《國際產業》彎道超車三星?韓DRAM飆股 40位專家喊進:續看漲2成

    【時報編譯柳繼剛綜合外電報導】彭博社報導,投資人看好Nvidia最主要供應商之一SK海力士後市,即使這家韓國記憶體大廠的股價已大漲一波,但應該還是不會算太貴。  彭博社統計,從2023年初迄今,在這14個月的時間內,SK海力士股價已飆升95%,遠遠超過記憶體同業三星電子以及美光。若以未來獲利的預估本益比來看,SK海力士只有11倍,三星為15倍,費城半導體指數則在27倍左右。  讓SK海力士不斷創新高的利器,就是HBM(高頻寬記憶體)產品。藉著在HBM的全球主導地位,SK海力士也變成人工智慧AI主要概念股之一,並漸漸超車三星電子。 韓國資產管理公司DS認為,投資組合中若沒有納入SK海力士的話,投資報酬率可能就不會太高。全球大型科技類股的股價愈墊愈高下,市場也希望SK海力士能一直上漲。  HBM記憶體產品在經過高效能DRAM堆疊下,可與訓練人工智慧AI的加速器和處理器齊作業。另外,較不受傳統記憶體的周期性需求與市場訂價所影響,販賣HBM晶片商品更賺。  全拜這種高價位人工智慧AI產品之賜,也讓連續4季都陷入虧損窘境的SK海力士,在去年最後1季,也就是10至12月的3個月期間,終於從賠錢轉變成賺錢。  彭博社認為,SK海力士日前與台積電合力研發下一代HBM晶片,就是要拉大跟三星與美光之間的競爭差距。不過,SK海力士以及台積電對此消息都不發表評論。  摩根大通表示,SK海力士尋求與台積電通力合作,市場也臆測SK海力士想要獨霸HBM天下,也可看出HBM的需求強勁。因此,目前SK海力士兇猛的漲勢,可望延續下去。  經彭博社彙整各方意見,有40位全球分析師都是給予SK海力士買進評等,只有3位建議持有,但沒人說要賣出的。另外,根據這些目標價位,未來12個月SK海力士投報率為20%。  不只股市,SK海力士連期貨選擇權也看多。彭博社計算後發現,今年平均看多的期權交易量,要比去年大增57%以上。15日交易最多的合約商品,是最晚到了3月中旬時,SK海力士還有4%上漲空間。  大客戶Nvidia即將在2月21日公布最新季報以及提供未來財測。市場也會利用此機會,來了解人工智慧AI的最新進度。分析師預估,Nvidia在2024財年的最後一季,營收應可上看近204億美元,足足比上一年同期多增兩倍以上。  彭博社認為,藉著在HBM的龐大競爭優勢,SK海力士在DRAM產業的市占率可望大舉攀升。因為跟AI處理器設計者,像是與Nvidia之間綿密的合作關係,SK海力士在DRAM產品HBM中,短期內無法撼動其主導地位。  根據調研單位Polaris Market Research預測,全球半導體記憶體市場的規模,將從2022年1,314.9億美元,膨脹到2032年4,040.2億美元左右。此外,在2023至2032年這10年當中,CAGR(複合年成長率)將可見12%左右的強勁表現。

  • 《半導體》威剛1月營收雙揚 Q1獲利續拚高檔

    【時報記者葉時安台北報導】記憶體模組大廠威剛(3260)公告1月合併營收達35.65億元,月增13.35%、年增63.75%。董事長陳立白看好,今年上半年DRAM與NAND Flash價格漲勢明確,客戶備貨意願持續升溫,推動上半年營運維持成長,預期本季獲利可望續站高檔。  陳立白也重申,持續看旺記憶體產業正向發展,看好AI晶片將於下半年逐季放量,記憶體的需求也將隨著AI應用逐季逐年增加。DRAM方面,由於價格調升與庫存回歸正常水位,上游供應商雖逐步恢復產能利用率,但在獲利與未來應用需求考量下,預期上游的DRAM產能配置將以HBM及DDR5等高毛利率產品為主,短期內對產業趨勢與價格走勢都不至於有大幅影響。 另一方面,NAND Flash供給端仍維持減產與限量出貨策略,上半年都可見價格逐季上揚,NAND Flash上游也將於下半年開始結束連續2年虧損,正式進入轉虧為盈的局面。整體而言,記憶體供需兩端仍相當健康,今年將是記憶體產業穩健且多頭走勢的一年。  受惠客戶訂單回溫,威剛1月各產品營收均較2023年12月成長,NAND Flash相關包括SSD、記憶卡與隨身碟產品營收月增近2成。單月DRAM產品占整體營收比重為44.09%,SSD比重達30.15%,記憶卡、隨身碟與其他產品為25.76%。

  • TrendFocre:2024年Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%

    AI需求高漲,帶動伺服器對記憶體的搭載容量。TrendFocre指出,2024年Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%,Enterprise SSD則預估年增13.2%。 TrendFocre預期,AI智慧型手機與AI PC的市場滲透率,會在2025年略有明顯成長,屆時將帶動平均單機搭載容量同步上升。

  • 《科技》AI需求高 DRAM搭載容量伺服器最威

    【時報記者葉時安台北報導】2024年市場持續聚焦AI議題,供應商也陸續推出AI高階晶片,隨著運算速度的提升,TrendForce表示,2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應用,如智慧型手機、伺服器、筆電的單機平均搭載容量均有成長,又以伺服器領域成長幅度最高,Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%;Enterprise SSD則預估年增13.2%。而AI智慧型手機與AI PC的市場滲透率預期應會在2025年略有明顯成長,屆時將再帶動平均單機搭載容量同步上升。 首先從智慧型手機來看,由於手機晶片商主要著眼於運算效能的提升,尚無實際AI應用推出,故話題發酵程度有限。同時,2023年記憶體價格因市場供過於求而快速崩跌,在價格來到相對低檔的吸引力,推升2023年DRAM於智慧型手機單機平均搭載容量年增17.5%,而NAND Flash單機平均搭載容量年增達19.2%,容量已能滿足使用者需求。因此,2024年在尚未有新應用推出的預期下,不論DRAM或NAND Flash於智慧型手機的單機平均搭載容量的年成長幅度將放緩,分別預估為14.1%及9.3%。  伺服器方面,伴隨AI伺服器需求持續增加,AI高階晶片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及雲端服務業者(CSP)自研ASIC陸續推出或開始量產。但由於Training AI Server是目前市場主流,其擴大採用的記憶體是以有助於高速運算的DRAM產品為主,故相較於NAND Flash,DRAM的單機平均搭載容量成長幅度更高,Server DRAM預估年增率17.3%,Enterprise SSD則約13.2%。  筆電方面,Microsoft所規範AI PC的CPU算力需達40TOPS以上,目前符合該規格的有Qualcomm Snapdragon X Elite、AMD Ryzen 8000系列(Strix Point),及Intel的Lunar Lake,但搭載上述CPU量產的筆電預計要到今年下半年才會陸續推出,因此對拉高記憶體容量的幫助有限,且AI PC硬體規格主要標準要求是加大DRAM容量至16GB,SSD則並未規定必須提升至1TB。因此,預估DRAM於筆電的單機平均搭載容量年增率約12.4%,後續隨著AI PC量產後,2025年成長幅度才會更明顯。至於Client SSD雖有單機平均搭載容量有上升趨勢,但受NAND Flash價格大幅回升影響,年增率預估僅9.7%。

  • 《半導體》力成今年拚逐季揚 H2強勁復甦

    【時報記者葉時安台北報導】力成(6239)對整體經濟有四大擔憂,今年上半年景氣以保守看待,第一季業績將是全年低點,不過今年上半年可望比去年上半年得宜,並預估今年全年業績將逐季成長,並預期下半年經濟較為顯著的回升,包括AI題材帶動、手機換機潮,力成HBM專案開發也進行中,力成有機會在今年第四季與明年第一季陸續量產HBM產品。 展望第一季,力成對整體經濟有四大擔憂,如供應鏈重組趨勢、地緣政治隱憂、歐美通膨仍高、大陸經濟持續停滯。受到全球供應鏈重組趨勢,朝向區域化,短鏈化發展,全球貿易前景不確定性升高。地緣政治也持續存在隱憂,區域戰爭短期間內不易解決,衝擊能源供應,影響產業民生。而主要歐美國家通膨壓力雖略有降溫,惟仍偏高,牽動經濟與金融情勢;加上占全球經濟活動15%的大陸,經濟持續停滯,通貨緊縮問題日益惡化,影響全球經濟復甦。  力成整體將以保守看待2024年上半年景氣,不過今年上半年可望比去年上半年得宜,第一季業績將是全年低點,今年全年業績將逐季成長,並預期下半年經濟較為顯著的回升。力成去年資本支出約70億元,而今年受惠HBM等投資,年度資本支出有望回到100多億元水準,也視情況適當調升,明年資本支出更超出150億元可期。  力成DRAM領域,PC、手機、消費性產品需求,在首季為傳統淡季,但仍可期待急單效應,支撐業績較去年同期為佳。而資料中心、高效能運算應用預期在今年第二季後企業將有較積極的支出成長,AI相關應用如AI server、AI PC、AI手機等將在下半年帶動記憶體需求。力成HBM專案開發也進行中,力成有機會在今年第四季與明年第一季陸續量產HBM產品。  力成NAND&SSD領域,手機換機潮與AI帶動的相關應用,預期將推升NAND業務於今年第二季後逐步回升,SSD需求也將於2024年回升,SSD組裝業務將在穩健中尋求持續成長的契機。  力成邏輯(Logic)領域,今年第一季需求開始回升,預期在第二季將出現成長契機,主要需求動能來自智慧手機、AI、HPC、電動車等應用。邏輯封裝新產品採用覆晶封裝、扇出型封裝、電源模組等,將逐步提升力成邏輯產品營收比重。  力成子公司超豐(2441)方面,半導體庫存已回到健康水位,2024年同樣預期將恢復成長。其中AI應用快速發展,帶動電子產品升級,相關產品需求將逐步回升;台系IC設計公司持續投入車用電子開發,也將有利於車用電子產品比例增加。超豐因應半導體供應鏈的轉移,國外客戶訂單比重將持續增加,超豐也持續開發國際型客戶,增加產品多樣性,使營收穩定成長。

  • 製造業大回神 台經院營業氣候測驗點全上揚

    反映產業最新景氣的台灣經濟研究院營業氣候測驗點,26日公布2023年12月的調查結果,製造業、服務業與營建業營業氣候測驗點同步走高,為2023年作一個完美的收場。 台經院向廠商進行的調查問卷顯示,製造業對當月及未來半年景氣看法,經模型試算後,2023年12月製造業營業氣候測驗點為96.78點,較上月增加3.54點,結束先前連續兩個月下滑態勢,轉為上揚。 服務業對景氣的看法部份,2023年12月服務業營業氣候測驗點為93.60點,較上月增加1.78點,呈現連續兩個月上揚態勢。 營建業部份,2023年12月營業氣候測驗點為105.91點,較11月上揚3.78點,也呈現連續兩個月上揚的態勢。 台經院景氣預測中心指出,製造業看景氣是影響近期最關鍵的部份。儘管地緣政治不穩、高利率環境等因素仍影響內外銷市場需求,且時序進入電子業淡季,終端市場需求尚未顯著回溫,但是DRAM業受惠於國內外廠商減產效果浮現,帶動DRAM價格回升,使下游客戶預期價格上揚,刺激訂單增加,提高相關廠商產能利用率,故雖有接近二成的電子機械業廠商看壞當月景氣表現,但較上月調查相比已明顯轉好。 製造業對未來半年景氣看法上,市場最聚焦的半導體供應鏈去化告一段落,加上國際雲端服務供應商(CSP)業者投入特定應用積體電路(ASIC)晶片研發,帶動高階晶片代工與先進封裝測試需求增加,且DRAM市場供過於求改善,DRAM價格上揚,有助於相關業者稼動率回升,故有三成以上的電子機械業者看好未來半年景氣表現。

  • 《熱門族群》威剛挾業績利多奔月 記憶體股短多續揚

    【時報-台北電】記憶體模組廠威剛(3260)公布去年獲利成長近8成,並看好今年記憶體市況。威剛今領軍上攻,率先收復月線關卡。記憶體製造廠華邦電(2344)將在2月6日召開法說會,今早一度強勢上攻,南亞科也穩步墊高。 威剛受惠記憶體漲價,去年每股稅前盈餘7.22元,較2022年呈翻倍成長。今早股價跳空開高領漲,今早一度攻上百元大關並站上月、季線關卡,目前則稍壓回到月線附近呈現高檔整理。 展望2024年,威剛認為,記憶體供應商減產與產能排擠效應發酵,加上AI應用將在下半年不斷擴大,看好記憶體價格表現。 華邦電早盤一度大漲上攻月線,盤中壓回到平盤,低檔仍持續墊高,站穩5日均線及季線。 DRAM大廠南亞科先前已召開法說會,總經理李培瑛指出,今年記憶體價格將逐季上揚,公司減產幅度會逐步降低,位元出貨同步成長,營運可望逐季好轉,期望在下半年努力讓單月、單季損平並轉盈。 威剛看旺今年,看好記憶體原廠減產與產能排擠效應發酵,且AI應用將在下半年開始不斷擴大,相關伺服器、PC與智慧手機等需求都將接踵而至,DRAM與NAND Flash兩大記憶體價格可望維持一整年多頭格局。 研調機構集邦科技(TrendForce)也對今年市況看法偏樂觀,預計DRAM、NAND合約價漲勢有望延續至今年第四季。在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下,漲勢延續均取決於供應商是否持續且有效的控制產能利用率。 針對今年第1季價格趨勢,集邦科技維持先前預測,DRAM合約價季漲幅約13~18%;NAND Flash則是18~23%。並預估DRAM、NAND Flash第2季合約價季漲幅皆收斂至3~8%。第3季進入傳統旺季,兩者合約價季漲幅有機會同步擴大至8~13%。第4季如供應商能夠維持有效的控產策略下,漲勢應能延續,預估DRAM合約價季漲幅約8~13%。(編輯:沈培華)

  • 《科技》首季需求淡恐續減產 DRAM、NAND估再漲價2成

    【時報記者葉時安台北報導】今年首季受到工作天數影響,記憶體市場展望,SMART Modular季度分析,首季受到傳統淡季影響,預估今年第一季需求不會明顯增加。而供應商為達損益平衡,第一季預估會持續減產以拉抬產品售價,因此短期供給小於需求的狀況不變。首季供應商維持減產計畫,但減產幅度較上季縮小。整體DRAM平均銷售價格(ASP)季增率(QoQ)預估成長18-23%;NAND Flash預估合約價仍可持續上揚15%至20%。 回顧2023年,全球經濟受到整年持續的通貨膨脹及地緣政治緊繃情勢的影響而大幅放緩。儘管由於地域性衝突尚未停歇,加上全球主要經濟體在大選前呈現不穩定的政治氛圍,2024年的經濟前景仍充滿不確定性,但業界領袖們持續發表樂觀看法,已透露出各領域製造業有望邁向穩定成長的跡象。  值得注意的是,記憶體產業預估將一甩近年來的低迷,呈現正面態勢並強勁反彈,這股復甦力道歸功於AI相關技術的持續進展,有助於擴大工業和消費電子領域對密集型記憶體應用的需求。  邁入2024年,SMART Modular針對記憶體市場主要應用的價格更新和市場前景。以市場概況來論,受傳統淡季影響,預估今年第一季需求不會明顯增加。而供應商為達損益平衡,第一季預估會持續減產以拉抬產品售價,因此短期供給小於需求的狀況不變,供應商於2023下半年連續兩個季度降低DRAM稼動率,並暗示2023年第四季的晶圓產出已進入谷底,截至2023年第四季為止,DRAM及NAND Flash產能利用率僅達到先前各自高峰時期的75%-80%與60%-65%。供應商資本支出主要將用於1b/1c nm製程擴充,以及HBM/200L 3D NAND相關需求。  記憶體2023年DRAM的價格漲幅相對NAND Flash平穩,預估2024年DRAM漲勢將趨於活躍。2024年第一季將鎖定DDR4及DDR5成為漲價主力,而DDR3產能及需求穩定,漲幅會相對平緩。短期整體交易需求仍屬平淡,由於終端市場存在觀望氣氛,今年第一季和第二季將是考驗市場的關鍵時刻。  伺服器市場,2024年第一季伺服器出貨受淡季影響,出貨量預估為440萬台。由於傳統伺服器(Conventional Server)還在進行去化庫存,預期2024年下半年需求才有機會回升。今年首季市場上將同時出現庫存去化與新平台出貨兩種現象,並持續看好AI伺服器帶來的動能,2023年AI伺服器(包括搭載GPU、FPGA、ASIC等零組件)出貨量已逾120萬台,年增率高達37.7%。2024年AI伺服器預計將成長逾38%,市場占比將超過12%。影響記憶體狀況,HBM的ASP相較於其他DRAM產品高出數倍,對供應商的營收有明顯挹注,預估2024年HBM營收年增長率將高達172%。  PC/NB市場,2024年第一季PC出貨量來到5360萬台,年成長7.8%,但整體出貨量仍屬低迷,第二季之後較為樂觀。關於AI PC題材,搭載Intel CPU Meteor Lake的AI PC新機將在上半年陸續進入市場,市場需求可望於下半年發酵。軟體方面,Microsoft針對AI應用開發的Copilot已於2023年第四季底正式進入銷售階段。而商用PC預估於2024年進行汰換更新,這波換機潮將有助於拉抬PC出貨動能。  統整DRAM首季市場展望,DRAM和NAND Flash供需比(Sufficiency Ratio)皆從2023下半年開始反轉。DRAM在第一季供需比預估來到-6.9%。而受惠於PC及手機回補庫存帶動短期需求,部分上游供應商在2023年第四季分別提升DRAM及NAND Flash工廠稼動率。首季供應商維持減產計畫,但減產幅度較上季縮小。整體DRAM平均銷售價格(ASP)季增率(QoQ)預估成長18-23%。  至於NAND Flash第一季市場展望,NAND Flash首季供需比(Sufficiency Ratio)預估來到-21.5%。NAND Flash資本支出相較於2023年減少約7-9%,目前仍未見大幅擴產現象。第一季也受到傳統淡季影響,NAND Flash需求可能下滑,但由於上游強力主導供需調節,預估合約價仍可持續上揚15%至20%。除上游供應商減產措施外,企業級固態硬碟(SSD)的需求有望成為後續NAND Flash出貨成長的關鍵。

  • 專家傳真-半導體業復甦 將由記憶體領銜

     2024年預計國內外半導體業景氣將可擺脫2023年衰退的態勢,而在年初之際,部分產品尚處於庫存調整的尾聲,預計此些類別的景氣要到2024年下半年才可望明顯反彈,但目前可確定記憶體包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash將成為2024年首波復甦的半導體產品,特別是2023年第四季DRAM價格相對持穩,2024年漲價的焦點也將從NAND Flash擴散DRAM,例如DDR4、DDR5等;也就是當前記憶體市場已逐部擺脫週期底部的階段,且隨著供需關係獲得改善,產品報價也開始築底向上。  特別是記憶體占全球半導體業達20%,可視為半導體業風向標,在其景氣回溫釋放一定復甦信號,加上AI商機及其他科技商機催化消費電子新需求,顯見2024年記憶體市況的基本面將逐步改善;甚至中期來看,生成式AI市場迅速擴張,更可望帶動對於內含記憶體含量與價值的成長空間,長期來說,我國記憶體廠隨著商業務多元化布局、產品結構持續升級,仍可望扮演全球市場中少數的關鍵。  廠商減產、需求擴大,漲價有底氣  以DRAM來說,雖然2023年年末時序正值歐美假期,DRAM交易動能趨於平淡,但因庫存水位已明顯降低,且客戶端的備料及買賣意願增加,以及市場對於記憶體業2024年的共識為價格將持續上漲,故現貨端仍有零星購貨,部分料號價格小幅上漲,況且國際DRAM製造大廠對於供給端的釋出相對謹慎,仍處於減產的階段,故根據TrendForce集邦科技的預測資料可知,2024年第一季MobileDRAM季漲幅有望達18~23%,甚至不排除在寡頭市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況下,進一步墊高漲幅。  整體而言,有鑑於2023年以來迄今國內外DRAM大廠相繼減產終於讓晶片價格止跌,甚至又有來自於AI商機及先進電腦運算需求持續擴大,更增加業者醞釀漲價的底氣,故三星(Samsung)及美光(Micron)已規劃在2024年第一季將DRAM晶片價格調漲15~20%,顯然DRAM廠商持續藉由調整產線配置並擴大先進製程比重來維護獲利,因此市場普遍認為2024年第一季各大廠仍將繼續嚴格控制DRAM產能,進而激勵價格回升。  以NAND Flash而言,2024年第一季NAND Flash(eMMC/UFS)季漲幅有機會介於18%~23%,主要是隨著供需結構已經過一番調整,加上行業庫存落底,以及原廠減產效應作用,也由於智慧手機對於NAND Flash需求有所支撐,故全球該項記憶體的價格將延續先前2023年下半年的漲勢。值得留意的是,為了維持該項產業的正向發展,國際大廠透過價格上漲來達成獲利改善,將是各家NAND製造業者不得不採取的策略,寧願短期先放下市占率的搶奪,顯然逐步推高價格將勢在必行。  AI熱潮帶動HBM商機大爆發  事實上,觀察此波記憶體市場的商機,可尤其關注AI所帶來高頻寬記憶體(HBM)產品的成長潛力,畢竟儲存能力已成AI晶片性能升級的核心瓶頸,特別是HBM作為基於3D堆疊技術的高性能DRAM,等同打破記憶體頻寬及功耗瓶頸,顯然GPU性能的提升將不斷推動HBM技術升級,在此情況下,全球HBM市場規模將有機會從2023年的15億美元增至2030年的576億美元,等同此段時間的年複合成長率將達到68.3%。而有鑑於HBM量價齊升的商機浮現,全球三大DRAM廠商積極擴產,其中SK Hynix將於2024年擴產2倍,並導入10奈米技術,而三星、美光緊隨其後,同樣宣布大規模擴產,況且三大廠商也將積極讓HBM2進化到HBM3e、HBM4等,藉此讓HBM產品可持續升級來成為AI晶片算力提升的關鍵。  至於國內記憶體廠商,受惠於此波全球記憶體價格回升的大環境,加上台廠也在技術持續推進,例如南亞科自主開發DRAM10奈米製程將進入第二世代,預計2024年第二季開始驗證DDR4、DDR5產品,同時公司也持續設計LP DDR4跟LP DDR5產品,此將使得2024年國內記憶體業者營運績效將優於2023年。

  • 法人:第二季開始 DRAM漲幅將有所收斂

    研調機構TrendForce預估,2024年第一季DRAM報價漲幅達13~18%,連續兩季呈現雙位數的增長。法人指出,隨著市況好轉,記憶體大廠將逐步恢復產能,加上報價基期有所墊高,預期第二季開始 DRAM漲幅將有所收斂。 不過,法人指出,記憶體大廠增加的供給,主要集中在需求較佳的 HBM 及 DDR5,主要AI 帶動 HBM 需求大幅成長,且 Intel 伺服器 Eagle Stream 放量帶動 DDR5 需求提升。因此,排擠效應仍有助於 DDR4 持續去化庫存,並預期 2024年下半年庫存恢復正常水位。

  • DRAM、NAND Flash看漲至Q4

     TrendForce指出,在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下,記憶體供應商若能謹慎控產,DRAM、NAND Flash季度合約價漲勢,將有望延續至2024年第四季。  DRAM產品合約價自2021年第四季開始下跌,連跌八季,至2023年第四季起漲。NAND Flash方面,合約價自2022年第三季開始下跌,連跌四季,至2023年第三季起漲。  提到2024年第一季合約價格,TrendForce預估,DRAM合約價季漲幅約為13%~18%;NAND Flash則是18%~23%。  TrendForce資深研究副總經理吳雅婷表示,目前市場對第二季整體需求看法仍屬保守,DRAM與NAND Flash供應商已分別在2023年第四季下旬,以及2024年第一季調升稼動率,加上NAND Flash買方也早在第一季將陸續完成庫存回補。  因此,DRAM、NAND Flash第二季合約價季漲幅估收斂至3%~8%。  第三季進入傳統旺季,需求端預期來自北美雲端服務業者(CSP)的補貨動能較強,在預期DRAM及NAND Flash產能利用率均尚未恢復至滿載的前提下,兩者合約價季漲幅有機會同步擴大至8%~13%。  其中,DRAM方面,因為DDR5及高頻寬記憶體(HBM)滲透率提升,受惠於平均單價提高,帶動DRAM漲幅擴大。  2024年第四季如供應商能夠維持有效的控產策略,漲勢應該可以延續,TrendForce預估,DRAM合約價季漲幅約8%~13%,NAND Flash合約價季漲幅則預估為0%~5%。

  • 《科技》DRAM、NAND價今年季季拚漲 關注需求、控產

    【時報記者葉時安台北報導】據TrendForce研究顯示,DRAM產品合約價自2021年第四季開始下跌,連跌八季,至2023年第四季起漲;NAND Flash方面,合約價自2022年第三季開始下跌,連跌四季,至2023年第三季起漲。在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下,故漲勢延續均取決於供應商是否持續且有效的控制產能利用率。TrendForce認為,第二季需求看法保守,單季合約價漲幅收斂;第三季旺季,合約價可望再度擴大漲幅;第四季仍可望小揚,關注供應商能夠維持有效的控產策略。 TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,針對第一季價格趨勢,TrendForce維持先前預測,DRAM合約價季漲幅約13~18%;NAND Flash則是18~23%。雖然目前市場對第二季整體需求看法仍屬保守,但DRAM與NAND Flash供應商已分別在2023年第四季下旬,以及2024年第一季調升產能利用率,加上NAND Flash買方也早在第一季將陸續完成庫存回補。因此,DRAM、NAND Flash第二季合約價季漲幅皆收斂至3~8%。  第三季進入傳統旺季,需求端預期來自北美雲端服務業者(CSP)的補貨動能較強,在預期DRAM及NAND Flash產能利用率均尚未恢復至滿載的前提下,兩者合約價季漲幅有機會同步擴大至8~13%。其中,DRAM方面,因DDR5及HBM滲透率提升,受惠於平均單價提高,帶動DRAM漲幅擴大。  第四季如供應商能夠維持有效的控產策略下,漲勢應能延續,預估DRAM合約價季漲幅約8~13%。須留意的是,DRAM合約價漲幅擴大的原因是來自DDR5與HBM產品市場滲透率上升,若僅觀察單一產品,例如DDR5,仍可能出現季跌,意即今年度的DRAM合約價上漲並非所有顆粒別全面上揚,而是產品別逐漸轉移之故。NAND Flash合約價季漲幅則預估0~5%。

  • TrendForce:DRAM、NAND Flash季度合約價漲勢有望延至第四季

    TrendForce指出,在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下,故漲勢延續均取決於供應商是否持續且有效的控制產能利用率。 記憶體供應商若能謹慎控產,DRAM、NAND Flash季度合約價漲勢,將有望延續至2024年第四季。 TrendForce預估,第一季DRAM報價季增13~18%和前季漲幅相同,至於第一季NAND報價則季增18~23%。

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