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  • 十銓科技 T-CREATE EXPERT DDR5 記憶體 榮獲 2024 德國 iF 設計大獎

    十銓宣布旗下創作者品牌 T-CREATE EXPERT DDR5 桌上型記憶體,榮獲 2024 年度有設計界奧斯卡之稱的德國 iF 設計大獎。 該產品於 72 個國家,破萬件參賽作品中嶄露鋒芒、脫穎而出,再度證明十銓團隊精湛研發實力及出色的設計美學,並結合極致效能和高質感外觀,滿足創作者全方位的需求,產品各方面皆備受國際專業評審肯定。 T-CREATE EXPERT DDR5 桌上型記憶體採用一體式孔散熱片及專業導熱墊,擁有最卓越的效能和穩定性,以確保創作者能淋漓盡致的發揮創意,並由十層 PCB 板、客製化耐高溫電容、陽極鋁合金散熱及專利IC分級測試驗證技術打造而成,讓系統能處理龐大且複雜的作業及運算需求,帶領各專業創作者人士盡情揮灑超群絕倫之作。

  • 《科技》三星行動AI體驗世代 美光記憶體助攻

    【時報記者葉時安台北報導】世界行動通訊大會MWC 2024在西班牙巴塞隆納舉行,Micron美光宣布其低功耗LPDDR5X記憶體和通用快閃記憶體UFS 4.0行動解決方案應用於三星Galaxy S24系列部分機種,為全球行動裝置使用者帶來強大的AI體驗。Galaxy S24系列搭載三星Galaxy AI生成式AI工具,實現無障礙溝通並盡可能實現創意自由。 資料密集與能源密集型功能將挑戰智慧型手機硬體規格的極限,美光LPDDR5X記憶體和UFS 4.0行動解決方案則提供關鍵的高效能與能源效率,使在邊緣裝置實現AI體驗成為可能。三星Galaxy S24系列部分機種,包含S24 Ultra、S24+和S24等,搭載美光強大行動解決方案中的最新產品LPDDR5X和UFS 4.0。美光LPDDR5X是業界唯一運用先進1B製程節點的行動解決方案,而美光UFS 4.0則具備領先效能與能源效率,可因應當今AI驅動的智慧型手機中與日俱增的資料量。  三星Galaxy AI提供雙向、即時的語音和文本翻譯等智慧功能,即使使用者在通話中也能使用,使溝通更為順暢。Galaxy S24系列首次導入 Google搜尋圈(Circle to Search)功能,使用者可直覺地透過手勢如圈選或標示螢幕上的圖像或文字等,更加快速、仔細地查看搜索結果,無需轉換不同應用程式。該系列還搭配Galaxy ProVisual Engine創意與攝影工具,運用AI協助使用者在內容創作過程中的每一步均能取得最大效益。  美光日前在世界行動通訊大會上推出UFS 4.0升級版行動解決方案,其新一代通用快閃記憶體儲存(UFS)4.0行動解決方案已正式送樣,該產品具備突破性的韌體功能,並採用全球最精巧的的9x13公釐(mm)UFS封裝。暨新品發布後,美光也宣布與三星合作,延續了美光於行動解決方案的領導地位,強化智慧型手機使用者的邊緣AI體驗。  上述UFS 4.0解決方案以先進232層3D NAND為基礎,容量高達1TB並提供同級最佳的效能,能源效率亦提升25%,足以為使用者提供更長的電池續航力,即使是使用AI、AR、遊戲和多媒體等較為耗電的應用程式也無須擔憂,為旗艦智慧型手機帶來更快、反應更靈敏的使用體驗,可支援AI手機的嚴苛需求。  美光UFS 4.0提供更快速的資料密集型體驗,其循序讀取與寫入速度高達每秒4300 MBps及4000 MBps,較前幾代產品效能翻倍。有了更快的速度,使用者能夠更快速地啟動他們最常使用並用來提高生產力或是創造力的新興AI應用程式。生成式AI應用程式中的大型語言模型載入速度可提高40%,在與AI對談時能獲得更流暢的體驗。

  • SK海力士2023Q4轉盈 積極增加HBM設備投資

    SK 海力士(SK Hynix)在高附加價值產品的擴大銷售,及整體市況回溫下,2023年第四季營業利益達3,460億韓元(約2.6億美元),時隔一年轉虧為盈。 SK Hynix 第四季營業利益由虧轉盈、優於市場預期,庫存水準亦季減10%,反映其 DDR5 及HBM產品具競爭優勢、貢獻比重亦高。 法人指出,SK海力士與美光積極增加高頻寬記憶體(HBM)設備投資,包括晶圓、TSV 及封測,帶動傳統製程產能升級至先進製程,2024年下半年 限縮傳統製程供給,將有利推升 DDR3、DDR4價格漲幅。

  • 台記憶體廠 憂DRAM漲勢受阻

     韓國記憶體大廠SK海力士透露,因市況好轉,考慮在第一季增產部分特殊DRAM,市場擔心稼動率回升,破壞以往記憶體大廠減產提價共識,恐不利後續DRAM漲勢。  觀察16日記憶體族群股價,包括鈺創、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等,股價跌幅逾2%,表現較大盤弱勢。  惟業界人士認為,包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產能,多往1-alpha/beta先進製程升級,以滿足獲利較佳DDR5及高頻寬記憶體(HBM)需求,預期利基型DRAM後市仍呈正向趨勢。  SK海力士執行長郭魯正先前在2024年拉斯維加斯消費性電子展(CES)表示,市況改善是該公司在第一季考慮增產特殊DRAM的原因。  在NAND型快閃記憶體方面,郭魯正表示,雖然最壞狀況應該已經結束,但產業復甦速度較慢,因此,會等到年中過後,再考慮增產。  此話一出後,令部分投資人擔憂原廠DRAM稼動率回升,不利後續DRAM漲勢。但據台系記憶體界重量級人士透露,「SK海力士要增產的產品,主要是應用在AI上的HBM,也增加一點DDR5,但會持續減產DDR4。」  且由於三大廠產能多往1-alpha/beta,增加DDR5及HBM供給,在產能排擠效應下,利基型DRAM報價將逐步轉佳,整體DRAM市況也將逐步改善。  故研判SK海力士增產特殊DRAM之說,對於整體DRAM後續報價的影響性,也無不利影響。  TrendForce指出,目前觀察各大供應商廠區內有一定的生產量,倘若要生產更多的HBM、DDR5,因使用製程較為先進,故需要更多設備,因此,2024年第一季DDR3及DDR4產能,預期會較2023年下降。  然而,因市場迭代考量,高階產品需求持續往DDR5轉進,DDR3及DDR4需求亦會相對放緩,故此一產能分布,與市場趨勢發展是一致的。  回顧記憶體價格變化,2022年第四季至2023年第三季,記憶體市況慘澹,促使三星、SK海力士及美光連袂減產,到了2023年第四季,DRAM、NAND型快閃記憶體報價終於開始反彈,漲勢延續到2024年第一季,後續漲價動能持續受市場密切關注。

  • 國外大廠有意擴產DDR5、HBM 記憶體台廠:暫不影響DDR4報價

     記憶體產業復甦明確,包括旺宏、南亞科、創見、鑫創、廣穎、鈺創、商丞等七家公司,去年12月營收呈現月增,且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續漲。然全球第二大記憶體生產商SK海力士計劃階段性擴產,為記憶體市況投下變數。  海力士透露,公司可能於第一季縮小DRAM減產幅度,NAND Flash生產策略可能視情況在第二季或第三季跟著調整。  針對記憶體大廠有意擴產,國內記憶體廠商則認為,海力士擴廠應集中在DDR5和HBM(高頻寬記憶體)產品為主,因為台灣目前產品主攻DDR4,不致影響產品報價。  TrendForce日前報告指出,2024年第一季DRAM合約價季增約13~18%,NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。TrendForce表示,原廠在2024年需求展望不明之際,持續減產,維持產業供需平衡,第一季DRAM漲幅,以Mobile DRAM的18~23%最大,主因在於買方傾向於合約價於歷史相對低點時建立安全庫存水位,持續放大備貨需求。  在Server和PC DRAM上,由於DDR5滲透率持續提升,原廠亦持續擴大利潤較佳的DDR5出貨占比,本季漲幅均為10~15%。  至於台廠著墨較深的Consumer DRAM,雖進入產業淡季影響終端銷售,但原廠強勢拉抬報價致使買方提前備貨,其中,DDR4產能受高頻寬記憶體(HBM)和DDR5排擠,本季漲幅為10~15%,DDR3則在庫存水位較高下,本季漲幅均為8~13%。  在NAND部分,儘管適逢傳統淡季,需求呈現下降趨勢,但為避免缺貨,買方持續擴大NAND Flash產品採購以建立安全庫存水位,而供應商為減少虧損,對於推高價格勢在必行,各項產品多有雙位數漲幅。惟NAND Flash Wafer由於短期漲幅已高,加上第一季需求尚未全面復甦,模組廠開始銷售Wafer庫存,鎖定獲利及維持營運現金流,導致買方追價意願降低。第一季NAND Flash Wafer合約價季漲幅收斂,TrendForce預估約8~13%。

  • 南亞科DDR5 拚Q2季底亮相

     南亞科搶攻DDR5市場有成,總經理李培瑛指出,南亞科DDR5預計第二季底~第三季初推出樣品,第三季底可以小量生產,初期將切入伺服器端及PC端市場。  南亞科10日公布去年第四季財務數字,並舉行線上法說會,李培瑛觀察,DRAM市場因為AI需求成長、高頻寬記憶體(HBM)及DDR4轉換DDR5的影響,市場需求逐季改善。  南亞科開發的DDR5 DRAM首顆頻寬將達5600 MHz,與市場需求同步;第2顆頻寬將會達到6400 MHz。在毛利高產品加入營收貢獻後,加上景氣逐漸回暖,營運將逐季上揚,下半年有機會轉虧為盈。  2023年第四季DRAM價格已確認開始反彈,2024年有機會持續呈現逐步上漲趨勢,但地緣政治風險、歐洲戰爭及美中貿易爭執,仍可能持續影響市場需求復甦力道。  李培瑛預期,各記憶體製造廠商會衡量公司庫存狀況及價格上揚情況,減少目前減產幅度,以改善營運,南亞科亦同。  南亞科同時將進行產品組合調整,他預期2024年存儲位元成長率會優於2023年,並希望盡速達到單月的損益兩平。  李培瑛也透露,南亞科有做HBM的經驗,因那時市場未準備好(ready),所以未做到底,在技術面練習過;以HBM的市場結構性來看,量仍小,且成本高,南亞科硬擠進去,並不是很好的策略。  南亞科2023年第四季營業收入為87億400萬元,較上季增加12.5%。第四季DRAM平均售價季增低個位數百分比,銷售量季增低十位數百分比。  2023年第四季營業毛損11億8,800萬元,毛利率-13.6%,較上季改善11.6個百分點。營業淨損為40億5,000萬元,營業利益率-46.5%,較上季改善9.6個百分點,營業外收入5億2,100萬元,稅後淨損為24億8,800萬元,淨利率-28.6%。單季每股虧損為0.80元。  累計2023年營業收入為298億9,200萬元,稅後淨損為74億4,800萬元,每股虧損為2.4元,每股淨值新台幣53.88元。  南亞科董事會原通過2023年資本支出預算185億元,實際支出132億元,其中44億元,將遞延至2024年。南亞科預估,2024年資本支出約200億元,尚待董事會決議核准。10奈米第二代製程技術(1B)8Gb DDR4與 16Gb DDR5產品規劃於2024年導入生產。

  • AMD藉HBM超車 台廠DDR5概念股受惠

     AMD搶攻AI商機,最新發表的MI300X HBM密度為輝達H100的2.4倍,頻寬為H100的1.6倍,性能超越行業先行者;業內人士認為,在Chiplet(小晶片封裝)、HBM(高頻寬記憶體)等領先技術助拳之下,MI300X更有望與輝達H200平分秋色。而HBM3/3e使用DDR5晶圓堆疊,在AI伺服器需求持續強勁之下,供需格局轉佳,台廠DDR5供應鏈可望受惠。  台灣DDR5受惠供應鏈則包含連接器之嘉澤與優群、模組廠威剛及十銓;十銓表示,AI一定會用到更多記憶體,更多的DRAM及更大的存儲SSD需求,樂觀看待明年整體記憶體產業表現;而在明年HBM/DDR5產能比重提升下,亦有利DDR3/4供需轉佳,南亞科、封測廠南茂、力成有望受惠。估計需求逐步止穩、明年上半年合約價逐季向上。  HBM在AI浪潮推動下,與CoWoS成為市場熱議焦點,但鮮為人知首款採用高頻寬記憶體(GPU)的顯卡,卻是2015年由AMD發表之Radeon R9 Fury X,AMD可謂是HBM設計方案的開山鼻祖,手握相當多的HBM技術專利。  HBM為垂直堆疊的DRAM,與DRAM相比提供更快資料傳輸速度,更高的頻寬和更大容量。歷經改良迭代,目前HBM3e為HBM3的擴展(Extended)版本;自SK海力士於今年8月宣布成功開發出HBM3e,三星於上個月亦宣布推出名為「Shinebolt」的HBM3e,對DDR5晶圓需求日漸爆發。  高頻寬記憶體為產業帶來新藍海,HBM3/3e由DDR5晶圓堆疊,明年在PC/Server之DDR5採用度快速上升之下,法人估計,2023~2027年DDR5位元需求年複合成長率達80%。歷經產能供過於求,廠商皆謹慎保守,顆粒廠達損平前,產能增開速度不會太快。

  • DRAM庫存高…Q4出貨成長恐有限

     DRAM市況於第三季復甦,全球產業營收季增18%,第四季因原廠漲價態度明確,第四季合約價漲勢確定,預估仍將上漲13%~18%,惟需求方面回溫程度,則不如過往旺季;整體而言,買方雖有備貨需求,但以目前來說,伺服器領域因庫存水位仍高,拉貨態度仍顯被動,預估第四季DRAM產業出貨成長幅度有限。  TrendForce表示,第三季三大原廠營收皆有所成長,由於AI話題延燒,對高容量產品需求維持穩定,加上1 alpha nm DDR5量產後,量價齊升,帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9%,約52.5億美元。  SK海力士受惠HBM、DDR5產品需求,出貨量連三季度成長,加上平均銷售單價季增約10%,營收約46.26億美元,季增幅度達34.4%,是原廠中成長最顯著的業者,與三星的市占率差距縮小至不及5個百分點。  美光平均銷售單價小幅下跌,然因需求回溫,出貨量增加,支撐營收季增幅度約4.2%,達30.75億美元。  產能規劃方面,三星針對庫存偏高的DDR4產品擴大減產,第四季減產幅度會擴大至30%,且認為旺季須待2024下半年,投片將於2024年第二季開始提升。SK海力士投片則率先於2023年底上升,搭配2024年DDR5滲透率提升,預期總投片量將逐季上升。美光庫存相對健康,2023年第四季投片已開始回升, 2024年投片量估仍會小幅上升,產能重心落在製程轉進。  台廠方面的南亞科主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏,價格仍呈下滑走勢,限縮其營收漲幅,營收達2.44億美元。  華邦電則在定價策略上較為積極,為拓展其DDR3業務,去化高雄廠新增產能,議價彈性大,故出貨有所成長,第三季營收上升至1.12億元。  力積電營收計算為其自身生產的消費性DRAM,不包含DRAM代工業務,受惠現貨價格上漲,使得需求小幅上升,帶動DRAM營收季增4.4%。

  • 換機潮、AI PC需求點火 DDR5滲透率衝刺 供應鏈吃補

     時序進入年底,晶片廠推2024年新規多搭載DDR5,加速DDR5滲透率提升,業者指出,記憶體與PMIC廠商機來了!包括換機潮、AI PC需求等,將增加記憶體容量與傳輸速率。  IC設計茂達、致新、DRAM製造廠南亞科、DRAM模組廠威剛、十銓、創見,PCB廠健鼎、競國、欣興、定穎投控等相關族群可望同受惠。  PC處理器改朝換代,全面支援DDR5規格,伺服器新平台亦將全面支援DDR5,預期2024年上半年DDR5滲透率可望超過DDR4,呈現黃金交叉。  茂達董事長王志信表示,DDR5電源管理IC已打入國內多家記憶體模組廠,隨著DDR5庫存去化結束,加上滲透率提高,2023年下半年,DDR5應用營收占比將提高至一成。  王志信更直指,2024年底DDR5滲透率將從目前15%提升至50%,成長便是來自PC規格升級,他也分享高階NB將升級至2顆風扇、單轉進階至對轉,趨勢皆有利公司營運成長。  致新也積極切入DDR5領域,董事長吳錦川分析,三星、SK等都是用最新一代的製程,才能做DDR5,良率調適緩慢,用先進製程困難度大。  目前DDR營收占致新整體比重僅個位數,不過,隨著記憶體供需恢復平衡,DDR4及DDR5之間價差逐步收斂,DDR5滲透率也將逐步拉高;法人預估有機會出現倍數成長。  記憶體族群中,南亞科先進製程第二代1B奈米級製程16Gb DDR5產品試產中,預計2024年驗證,第三季至第四季放量;記憶體模組廠威剛、十銓及創見已推出DDR5產品,出貨量也逐漸上升。,  十銓經營層在日前法說會中指出,電競DDR5起來的速度很快,已占公司DRAM30%,2024年DDR5滲透率可能會過半。  記憶體模組板則以健鼎、競國、欣興、定穎投控為主力供應商,就比例而言,以競國的27%營收比重最大,就絕對金額而言,健鼎相對較大。  記憶體模組板因新投入的廠商少,競爭態勢較為穩定,記憶體產業受惠於龍頭廠三星大幅度減少,2023年下半年價穩量增,上游記憶體模組板供應鏈雨露均霑。  據相關供應鏈統計,健鼎SSD及DRAM等記憶體模組板營收占比約20%;競國比率最高達27%,且為單季相對較高的應用,2023年下半年為接單主力,定穎應用在儲存裝置的比重第三季達7%,公司在法說會上,也看好記憶體模組應用,在2024年看升。

  • DDR5 PMIC爆棚 茂達吃補

     電源管理IC廠茂達(6138)22日舉辦法說會,董事長王志信指出,第三季起全數產品線營收皆有所回升,DDR5比重也續增,預估本季營運優於第三季,毛利表現會更佳。  茂達管理層提到,隨著庫存消化告段落,NB風扇、DDR5、區域調光(LOCAL DIMMING)等高毛利率產品提升。  展望2024年,預估將與第三季表現接近,主係農曆年變數,而公司也密切注意新產品、新應用需求,不過能肯定會較去年同期佳,因為沒有消庫存紛擾,預估將會達到兩位數以上之成長。  王志信表示,DDR5 PMIC自今年上半年尾聲開始重新拉貨,下半年估計將達營收比重1成以上;整體市場滲透率逐步提升,其中今年滲透率大約15%、明年將達到5成!  王志信強調,AI帶動之下,電競筆電需求仍較強勁,然而標準品復甦較為緩慢,不過亦預期整體需求開始往上走,緩步復甦。  AI PC尚處只聞樓梯響階段,市場看好英特爾明年推出後推升換機需求;惟王志信認為,整體PC全球需求約維持一年2.5億台之水準。伺服器端還未有市占率,但2025年將會有產品問世。  王志信強調,在外庫存已相當健康,自身庫存亦回到正常之水位。觀察終端應用需求,NB明年將會微幅成長;MB(主機板)相對NB更早恢復,並且更為穩定;目前VGA有急單出貨,隨著輝達、AMD新顯示卡上市,需求穩定,明、後年將會持續成長。  此外,針對晶圓代工價格,王志信分析,經過缺貨後,市場已恢復至買方市場,藉由比價找新來源,因此茂達於價格上會有競爭力。  王志信透露,某代工廠已釋出降價意願,利於未來成本下降。  茂達持續開發新產品,Vcore因為產品開發困難度,客戶導入需要更長時間,初期投報率較低,但具有技術指標,明年中就會有量測結果,並與品牌廠ODM展開合作。  Wifi6和Wifi7 PMIC也進入認證階段,明年就會逐步發酵、挹注營運。

  • 生成式AI需求點火 HBM、DDR5明年聲勢旺

     生成式AI需求大爆發,全球DRAM大廠不約而同看好高頻寬記憶體(HBM)與DDR5明年的出貨成長動能,這兩項產品是現階段行業中,少數維持在損平點以上的產品線。  產業界人士分析,由於生成式AI浪潮興起,HBM成為GPU晶片以外,半導體晶片的當紅炸子雞,尤其是HBM後段的3D堆疊架構,限制了供給成長速度,供不應求的壓力,正逐漸浮上檯面。此外,PC產業正醞釀將AI硬體帶入PC設計,市場預期,2024年將有各種AI PC設備推出市場,如單純邊緣端或混合雲端、邊緣的AI設備等。  儘管供應鏈尚未對AI PC做出完整定義,不過,零組件的規格升級將是必然趨勢。由於AI PC帶動資料處理量大幅提升,高速傳輸晶片勢必須同步升級,例如Thunderbolt 3升級至Thunderbolt 4/5、USB 3升級至USB 4,而傳輸介面也須由PCIe 3.0升級至PCIe 4.0/5.0;因此,DRAM規格由DDR4升級至DDR5,將是必要的選擇。  業者指出,由於HBM、DDR5為所有產品中利潤最佳組合,因此,各大記憶體業者明年皆將資本的支出重心,放在1α或1β奈米投片量的提升及3D封裝設備。  市調機構預估,全球所有DRAM製程產出(顆粒數)比例中,1α或1β奈米的製程比重到2024年第四季將達47.6%,預料到2025年將逾50%。  在生成式AI需求趨動下,全球HBM產值估計,將從2022年11億美元,成長至2027年的52億美元,年複合成長率達36.3%。

  • SK 海力士宣布 開始供貨 LPDDR5T

    SK海力士宣布,開始供貨 LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)16GB 產品,此為迄今最快行動 DRAM,每秒有 9.6Gpbs(每秒 9.6 千兆)傳輸速度。 SK 海力士指出,LPDDR5T 可最大幅提升智慧手機性能,速率可達前所未有高度。 LPDDR5T 的 16 GB 套裝產品,可在國際半導體標準化組織(JEDEC)規定最低電壓 1.01V~1.12V(伏特)標準範圍執行。數據處理速度為每秒 77GB,相當於每秒傳輸 15 部全高解析度(Full-HD,FHD)電影。

  • AI帶旺HBM飛速成長「7檔概念股搶搭順風車」法人最看好這檔

    5G、人工智慧已是大勢所趨,單靠CPU與GPU聯手逐漸不夠用了,永誠國際投顧分析師楊少凱認為,除了要依靠熱、網通等等題材之外,記憶體族群也將扮演要角。 台灣已是美光全球最大生產基地,美光也是全台最大雇用外商,未來的潛力不容忽視;記憶體廠商南亞科(2408)、華邦電(2344)、威剛(3260)也不約而同認為,記憶體最壞的時機已過,隨著大廠減產,明(2024)年市況也可望好轉。 據集邦(TrendForce)調研數據指出,AI伺服器可望帶動記憶體需求成長,以現階段而言,一般伺服器的DRAM普遍配置約為500至600GB左右,而AI伺服器在單條模組上則多採64至128GB,平均容量可達1.2至1.7TB之間,未來甚至會推升到 2.2至2.7TB,發展可期。 一般的 DRAM介面位元寬來說大概為64至128位元,但 高頻寬記憶體(HBM)透過 DRAM堆疊的方式就將位元寬提升到了1,024位元以上,不只大幅增加可作業的容量空間還縮小了整體的占用空間,最重要的是它具有較低的功耗,滿足大型AI模型和高性能計算需求。 AI伺服器不僅帶旺HBM,促使DDR5需求急速上升,其概念股包括南亞科(2408)、群聯(8299)、宜鼎(5289)、愛普*(6531)、力成(6239)、威剛(3260)、優群(3217)等。法人最看好南亞科,預計明年營收將年成長雙位數,毛利率將回升逾20%。 ※免責聲明:文中所提之個股內容,並非任何投資建議與參考,請審慎判斷評估風險,自負盈虧。

  • 創見推全新DDR5記憶體模組

     創見宣布推出全新系列工業級DDR5 5600記憶體模組,符合JEDEC國際標準設計規範,採用Major原廠等級DRAM晶片,並通過廠內100%可靠性測試,可協助企業在網通、AI伺服器與現代資料中心等高階工業應用。  創見指出,該公司最新DDR5記憶體模組速度最高提升至5600MT/s,擁有超高頻寬、低功耗優勢,相比DDR4 3200傳輸效能大幅增長,提升巨量資料的穩定傳輸速度。兩組完全獨立的32位元子通道傳輸架構,縮短資料載入時間,減少系統存取延遲。  有別於DDR4世代,DDR5工作電壓降低至1.1V,並搭載電源管理IC(PMIC),更能有效控制系統電源負載,電源轉換效率提高,提升訊號完整性,進而優化系統能源效率。  為實現更高工作效能,DDR5記憶體模組在容量、資料密度方面皆有所突破,但由於製程微縮技術,衍伸出較高的資料錯誤風險,因此,內建On-Die ECC資料糾錯機制,能夠偵測、修正儲存單位中的位元錯誤,有效提高資料正確性,改善訊號容錯率,強化高階應用在可靠度、可用性與可維護性等方面的能力。  此外,創見針對嚴苛工業應用環境挑戰,提供標準溫(0°C~95°C)和寬溫(-40°C~95°C)規格,確保最高穩定性與可靠度。

  • 美光推出高速7,200MT/sDDR5記憶體 效能大幅成長50%

    美光宣布推出 16Gb DDR5 記憶體,奠基於其領先業界的 1β 製程節點技術,美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200 MT/s,目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。 美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMOS 製程、四相位時脈及時脈同步,相較於前一代產品,效能可提升 50%,每瓦效能功耗可降低33%。

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