【時報記者張漢綺台北報導】問:好的材料分析公司需具備哪些技術能力?汎銓(6830)在材料分析的技術優勢?
答:好的材料分析公司不僅要有領先的技術能力,最重要的是要能持續研發出有絕對競爭優勢的技術;汎銓長期以來透過與國外研發平台、學術研究單位聯繫互動的機會,做分析技術研發方向的判斷,超前布局半導體元件未來3到10年的發展路徑所需的驗證分析技術。
例如:GAA結構元件,我們在2019年就已經完成相關的分析技術準備,在我們的大客戶2022年向我們提出分析需求時,我們已經準備好完整的分析技術與產能,當時客戶對於我們的GAA分析服務十分滿意。最近的例子是,在今年初,光阻液廠家在美國的SPIE會議報告High NA EUV光阻的研究進展,報告中使用的高解析度TEM 照片就是多年來與汎銓合作的成果。經由提早與全球最領先的技術平台合作,我們早已參與下一世代High NA EUV曝光機使用MOR(金屬層氧化物)EUV光阻的研發,建立相關分析設備與工法。
目前汎銓在材料分析的技術優勢,包含低溫原子層鍍膜、導電膠與原子層導電膜,這幾項是屬於有絕對競爭優勢的技術,用來解決EUV光阻與LK材料的分析難處;而全新結構的2nm的GAA樣品,則需要超薄試片製備與自動量測等分析技術,這些技術都是客戶依賴汎銓的特殊工法技術,且汎銓早已建立完整的專利保護。
問:隨著半導體技術製程推進,材料分析有那些新挑戰?汎銓如何因應?
答:半導體產業持續追求PPAC的提昇;新的製程相對於前一代的製程,在效能、功耗、面積、成本要有一定的優勢,這樣才能算是新的製程節點,而要達到這些好處,要採用新的設備、新的材料跟新的製程參數來達成。28奈米以前使用傳統平面MOSFET,到16奈米之後採用MOSFET,2奈米採用GAA結構,除了尺寸縮小、堆疊結構不同以外,這些電晶體用的材料,以及他們彼此之間互連的線路,也逐漸採用更新的導體與絕緣層材料。在每一個世代節點的製程開發時,被要求去分析這些不同的新材料,以及越來越小的複雜結構,對於材料分析公司來說,就是一個新的機會以及挑戰。舉例來說,在7奈米之後,EUV一次曝光取代DUV多重曝光,有諸多好處,所以越來越多EUV曝光被應用在更新的製程節點上。然而EUV光阻天性鬆軟,容易受到離子、電子損傷而形變甚至坍塌。
進行TEM觀察時,就需要汎銓獨特的低溫ALD形成保護膜來保護,在分析的時候能夠不變形,能夠維持原來的樣貌。另外,為了降低後段金屬繞線的RC delay,最先進的半導體製程,採用越來越低K值的Low K材料來做絕緣層,也因為這樣Low K材料內充滿空隙,在離子束與電子束進行樣品切割及觀察時,會造成材料的高度減少,這樣的人為誤差,會造成製程研發人員的誤判。
汎銓的低溫ALD、導電膠、原子層導電膜的技術專利可以克服這樣的人為誤差,真實的呈現樣品原來的高度,讓客戶可以看到真實的情況,而不會誤導他走錯方向。半導體製程未來還是會持續的去追求PPA的提升,一樣會應用到新的材料跟越來越細微的結構;對汎銓來說,這個挑戰是持續下去的,也會持續克服這些材料分析的挑戰,持續在先進製程研發之中扮演領航者的角色。(4-2)
發表意見
當您使用本網站留言服務時,視為已承諾願意遵守中華民國相關法令及一切使用網際網路之國際慣例。若您是中華民國以外之使用者,並同意遵守所屬國家或地域之法令。
您同意並保證不得利用本留言服務從事侵害本公司或他人權益及相關違法或未經本公司事前同意之行為(以下簡稱禁止行為),否則您除應自負文責外,並同意本公司逕行移除或修訂您的留言內容或限制您的留言權利或封鎖您的帳號,絕無異議。前述禁止之行為,包括但不限於: