根據外電報導,SK海力士計劃開發4F2(方形)DRAM,與競爭對手三星十分相似。這是一種經過大量研究的單元陣列結構,其中電晶體以垂直方式堆疊,即所謂的「3D DRAM」。
三星和SK海力士目標是10奈米製程以下的 DRAM 應用 4F2 技術。相關人士認為,採用VG或3D DRAM製程設計,可將EUV製程成本降一半。
根據外電報導,SK海力士計劃開發4F2(方形)DRAM,與競爭對手三星十分相似。這是一種經過大量研究的單元陣列結構,其中電晶體以垂直方式堆疊,即所謂的「3D DRAM」。
三星和SK海力士目標是10奈米製程以下的 DRAM 應用 4F2 技術。相關人士認為,採用VG或3D DRAM製程設計,可將EUV製程成本降一半。
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