路透引述3名內情人士報導,三星電子生產的第五代高頻寬記憶體晶片(HBM3E)已通過輝達測試,可應用於輝達AI處理器。消息稱雙方尚未簽訂供應合約,但可望在近日簽約,最快在今年第四季開始為輝達供貨,意味著三星即將趕上對手SK海力士的腳步。

消息稱三星這回通過輝達測試的是8層HBM3E晶片,但三星生產的12層HBM3E尚未通過測試。

路透在今年5月曾引述消息報導,三星自去年起便努力想成為輝達HBM3晶片供應商,無奈三星生產的HBM3及HBM3E因過熱及耗電問題,遲遲無法通過輝達測試。三星為此重新調整晶片設計,終於讓HBM3晶片在近日通過輝達測試,將應用於中國市場的較低階處理器。

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