美國商務部6日宣布，韓國電池巨頭SK海力士將獲得聯邦政府最高4.5億美元（約新台幣147.5億）的補助，用於建設該集團設於美國印第安納州的先進晶片封裝廠。
商務部表示，SK海力士和商務部已經簽署不具約束力的初步備忘錄（PMT），文中提到美方將對SK海力士發放最高4.5億美元的聯邦政府補貼，用於在印第安納州興建高頻寬記憶體（HBM）封裝工廠及研發設施。美方還將向SK海力士提供5億美元貸款，以及最多可達其在美資本支出25％的投資稅收抵免。
補貼具體金額今後將根據美國《晶片和科學法》的資助機會通知（NOFO）敲定。SK海力士的補貼資金比例為11.6％，雖低於三星電子（14.2％），但高於台積電（10.2％）和英特爾（8.5％）。
SK海力士4月曾宣佈，將投資38.7億美元在印第安納州西拉斐特修建下一代高頻寬記憶體生產基地，並計劃于2028年下半年開始量產。
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