全球第二大記憶體晶片製造商韓國SK海力士18日宣布與台積電簽署合作備忘錄,聯手開發下一代高頻寬記憶體(HBM),計畫於2026年投入量產。韓國媒體分析,本次合作旨在應對人工智慧(AI)需求爆炸性增長所帶來的競爭壓力,並重新塑造三星電子、SK海力士和台積電三方間的競爭格局。

聲明指出,SK海力士與台積電雙方已簽署技術合作備忘錄,以共同開發HBM4為核心,並加強在先進封裝技術方面的合作。SK海力士表示,與台積電合作後,將以構建IC設計廠、晶圓代工廠、記憶體製造廠三方技術合作的方式,「力求突破記憶體性能的極限」。

SK海力士是全球目前唯一一家先進HBM晶片開發商。隨著AI發展逐漸擴大,對HBM晶片的需求也隨之爆發。《韓國經濟新聞》指出,三星電子在高頻寬記憶體和代工生產方面,分別為SK海力士和台積電的主要對手,本次跨國合作目標在於合力對抗來自三星的競爭。

合作中,雙方計畫首先提高HBM封裝底部的基礎晶片性能。HBM將基礎晶片(即單獨的DRAM晶片)堆疊在頂部,並利用矽穿孔(TSV)技術將其垂直連接。SK海力士於第五代HBM(HBM3E)時使用自家製程,但第六代HBM4計畫使用與台積電合作的前端製程,以提高性能和能源效率、滿足客戶需求。

此外,雙方還將加強整合SK海力士的HBM和台積電的CoWoS先進封裝技術,以滿足HBM相關客戶的需求。CoWoS是台積電領先全球的技術,是一種將邏輯晶片和高頻寬記憶體連接在一起的封裝方法,目前主要用於應對大量運算需求。

SK海力士AI基礎設施社長金柱善表示:「我們將透過與台積電合作開發最高性能的HBM4,並積極拓展與全球客戶的開放性合作。今後將提升客製化記憶體平台的競爭力,鞏固我們在人工智慧記憶體業界的全方位供應商地位」。

台積電資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示:「多年來,台積電與SK海力士已經建立穩固的合作夥伴關係。展望新一代HBM4,我們相信兩家公司也通過密切合作提供最佳的整合產品,成為人工智慧領域創新的關鍵動力。」

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