【時報記者林資傑台北報導】美國商務部8日宣布將提供台積電(2330)最高66億美元投資補助及50億美元貸款,DIGITIMES分析師陳澤嘉表示,儘管台積電獲補助金額低於英特爾、導入先進製程時間亦晚於英特爾,但憑藉在先進製程的大量生產經驗,仍可望維持良好的競爭優勢。

美國商務部3月18日宣布提供英特爾(Intel)85億美元補助及110億美元優惠貸款,成為美國晶片法案補貼最大贏家。先前,格羅方德(GlobalFoundries)、Microchip等美國半導體業者雖亦獲得晶片法補貼,但與英特爾獲得的補貼規模相去甚遠。

陳澤嘉觀察,英特爾及台積電陸續獲得美國政府補助,2案補貼合計達151億美元,占美國晶片法案對半導體製造補貼390億美元的近4成,凸顯美國意圖強化先進半導體製造能力的決心。而台積電與英特爾目前的投資計畫,將有助美國建立半導體先進製程生產能力。

而在宣布將提供台積電高額補助後,美國商務部也同步透露,台積電承諾將在亞利桑那州投資興建第3座晶圓廠、更新第2座晶圓廠投資計畫,使台積電亞利桑那州總資本支出增逾250億美元,累計將逾650億美元。

陳澤嘉指出,考量美國半導體建廠時程、員工招募與訓練、客戶製程需求等因素後,台積電亞利桑那Fab 21 P1廠原規畫量產技術已由5奈米製程轉為4奈米,量產時程遞延至2025年上半年。

而原規畫2026年量產3奈米製程的Fab 21 P2廠,因應美國客戶需求,將增加生產更先進的2奈米製程,量產時程預計於2028年。陳澤嘉認為,台積電規畫2025年在新竹寶山Fab 20量產2奈米製程,因此2028年將2奈米製程順利導入Fab 21 P2廠的升級機率相當高。

至於台積電規畫Fab 21 P3廠2030年前完工、導入2奈米及以下先進製程,陳澤嘉表示,由於2奈米製程2025年進入量產、1.4奈米製程可望在2027~2028年在台量產,只要廠務建設、機台進駐、人員招募與訓練順利,Fab 21 P3廠可望在2030年前順利導入1.4奈米製程。

不過,根據英特爾IDM 2.0戰略規畫,Intel 3製程已在2023年下半年完成開發,2024年將進入量產,成為美國率先量產3奈米製程業者。至於Intel 18A製程,陳澤嘉預估將在2025年進入量產,使英特爾成為美國本土首家生產2奈米以下製程的半導體業者。

陳澤嘉觀察,英特爾在5奈米以下先進製程量產時點將早於台積電Fab 21、甚至可望在2030年前在美國量產Intel 10A製程,相似的先進製程量產時點皆可望早於台積電Fab 21,將可提早為美國建立先進製程生產能力。

不過,考量台積電生產7奈米以下先進製程經驗疊加仍占優勢,且客戶高度客製化產品經驗豐富,陳澤嘉認為台積電在美國仍可望持續保有競爭力,全球市場競爭力可望維繫。後續則可關注尚未公布的三星電子獲投資補貼金額、及三星電子未來宣布的相應投資計畫。

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