應用材料於國際光電工程學會(MSPIE)先進微影上,推出系列圖案化產品與解決方案以滿足埃米時代晶片需求。並與全球頂尖邏輯晶片製造商如英特爾、三星電子等緊密合作,開發採用其 Sculpta 圖案成形技術的創新應用。

Sculpta 技術原理是透過延伸拉長圖案特徵來減少 EUV 雙重圖案化步驟,使特徵端點間距更接近,從而減少橋接缺陷並提高良率。目前 Sculpta 不僅被部署於生產線上,也在開發更多非 EUV 雙重圖案化的應用,如消除橋接缺陷、降低製程複雜度與成本等。

為解決 EUV 線邊緣粗糙度問題,應材推出 Sym3 Y MagnumTM蝕刻系統,可在同一反應室內結合精密沉積與先進蝕刻技術,使 EUV 線路圖案在轉移至晶圓前變得更平順,改善良率並降低線路電阻。該蝕刻系統已獲 DRAM 和先進邏輯製程廣泛採用。

置放誤差是 EUV 圖案化的主要挑戰之一。應材收購 Aselta 公司,利用其輪廓技術可收集更多量測資料,讓工程師更精確控制晶片特徵大小與置放位置。該技術已與應材部分量測設備進行整合,提供端到端解決方案。

應材自 2012 年起將圖案化作為公司研發重點,已在該領域投入超過 40 億美元。該公司預計其服務的圖案化市場規模,將從 2013 年 150 億美元大幅成長至 2023 年的 800 億美元以上,市占率也將從 10% 提高至超過 30%。

透過持續推出創新材料工程與量測技術應用,應材致力協助全球晶片製造商面對 EUV 與高數值孔徑 EUV 微影技術在 2 奈米以下圖案化應用中所带來的各種挑戰,持續領先業界為客戶提供最优解決方案。

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