【時報記者葉時安台北報導】微矽電子(8162)在第三代半導體氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)的測試、薄化與切割技術上領先同業3~5年;隨著客戶產品需求之成長,可望帶動公司長期營運動能。微矽電子配合創新板上市前公開承銷,對外競價拍賣3436張,競拍底價32.41元,競拍時間自2月20日至22日,2月26日開標,暫定3月7日掛牌。

隨著半導體技術的不斷發展,元件變得更小、更快、更強大,第三代半導體測試技術必須能夠應對這些變化,確保半導體元件的性能達到設計要求。同時,第三代半導體測試技術可以支持新型元件和新技術的測試和驗證,有助於加速創新的推出。

微矽電子成立於1987年,公司以節能微營運發展核心,經過37年耕耘,公司專注於可提升電源轉換效率的功率元件與電源管理IC,提供完整的測試、薄化、封裝一站式整合性服務。經過多年來與第三代半導體客戶的共同合作開發驗證,微矽電子已取得國多家氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)客戶的採用。

微矽電子去年營收比重,半導體測試占72%、晶圓薄化占18%、半導體封裝占10%。微矽電子測試封裝產品線涵蓋GaN、SiC、MOSFET、IGBT、Diode、PMIC及MCU等,可提供客戶多樣性的產品測試封裝需求;此外,因應半導體市場對第三代半導體GaN及SiC為基材之產品需求增加,該公司亦具備第三代半導體相關之產品測試能力。

微矽電子除深耕於測試與封裝服務外,亦跨入晶圓薄化服務,包括為晶圓進行正面金屬鍍膜、晶圓背面研磨與金屬鍍膜,能幫助降低電流通過之阻值,以減少功率損耗,除了有效減少後續封裝體積外,並能減少熱能累積效應,滿足終端產品走向「節能」的趨勢。

根據TrendForce的預測,第三代功率半導體市場呈現強勁增長。從2021年的9.8億美元預測至2025年將達到47.1億美元,年複合成長率高達48%。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC),應用範圍涵蓋快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、充電樁、太陽能、風電、儲能系統等多個領域。第三代半導體已成為全球發展的重要趨勢,並在高壓、高頻、高電流、高功率和低功耗應用中發揮著關鍵作用。

半導體封測方面,根據工研院產科國際所統計,2024年受惠AI伺服器需求及通膨趨緩影響,全球半導體封測市場成長率預計在6.5%,達到385億美元的市場規模。

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