AMD搶攻AI商機,最新發表的MI300X HBM密度為輝達H100的2.4倍,頻寬為H100的1.6倍,性能超越行業先行者;業內人士認為,在Chiplet(小晶片封裝)、HBM(高頻寬記憶體)等領先技術助拳之下,MI300X更有望與輝達H200平分秋色。而HBM3/3e使用DDR5晶圓堆疊,在AI伺服器需求持續強勁之下,供需格局轉佳,台廠DDR5供應鏈可望受惠。

台灣DDR5受惠供應鏈則包含連接器之嘉澤與優群、模組廠威剛及十銓;十銓表示,AI一定會用到更多記憶體,更多的DRAM及更大的存儲SSD需求,樂觀看待明年整體記憶體產業表現;而在明年HBM/DDR5產能比重提升下,亦有利DDR3/4供需轉佳,南亞科、封測廠南茂、力成有望受惠。估計需求逐步止穩、明年上半年合約價逐季向上。

HBM在AI浪潮推動下,與CoWoS成為市場熱議焦點,但鮮為人知首款採用高頻寬記憶體(GPU)的顯卡,卻是2015年由AMD發表之Radeon R9 Fury X,AMD可謂是HBM設計方案的開山鼻祖,手握相當多的HBM技術專利。

HBM為垂直堆疊的DRAM,與DRAM相比提供更快資料傳輸速度,更高的頻寬和更大容量。歷經改良迭代,目前HBM3e為HBM3的擴展(Extended)版本;自SK海力士於今年8月宣布成功開發出HBM3e,三星於上個月亦宣布推出名為「Shinebolt」的HBM3e,對DDR5晶圓需求日漸爆發。

高頻寬記憶體為產業帶來新藍海,HBM3/3e由DDR5晶圓堆疊,明年在PC/Server之DDR5採用度快速上升之下,法人估計,2023~2027年DDR5位元需求年複合成長率達80%。歷經產能供過於求,廠商皆謹慎保守,顆粒廠達損平前,產能增開速度不會太快。

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