TrendForce指出,HBM4預計規劃於2026年推出,目前包含NVIDIA以及其他CSP(雲端業者)在未來的產品應用上,規格和效能將更優化。

受到規格更往高速發展帶動,將首次看到高頻寬記憶體(HBM)最底層的Logic die(又名Base die),採用12nm製程wafer,該部分將由晶圓代工廠提供,使得單顆HBM產品,需要結合晶圓代工廠與記憶體廠的合作。

隨著客戶對運算效能要求的提升,HBM4在堆疊的層數上,除了現有的12hi(12層)外,也將再往16hi(16層)發展,更高層數也預估帶動新堆疊方式fybrid bonding的需求。

HBM4 12hi產品將於2026年推出,而16hi產品則預計於2027年問世。

TrendForce觀察,針對HBM4,各買方也開始啟動客製化要求,除了HBM可能不再僅是排列在SoC主晶片旁邊,亦有部分討論轉向堆疊在SoC主晶片之上。

雖然目前所有選項仍在討論可行性中,並尚未定案,但TrendForce認為,未來HBM產業將轉為更客製化的角度發展,相比其他DRAM產品,在定價及設計上,更加擺脫通用型(Commodity)DRAM的框架,呈現特定化的生產。

#主晶片 #DRAM #HBM #晶圓代工廠 #客製化 #TrendForce