中國正以舉國之力拚半導體產業,在國家隊重金投入後,帶動長江存儲等中企在記憶體領域直追全球霸主韓國,NAND技術當前更只落後韓企兩年,未來有望藉由新型封裝等方式超車韓國。

韓媒Business Korea引述業內人士表示,中國正在記憶體領域追趕韓國,在DRAM方面,韓企對中企雖仍保持五年以上的技術差距。但在門檻較低的NAND Flash技術上,差距正快速縮小,中企距離韓國頂尖企業僅有兩年的差距,且目前追趕速度愈來愈快。

報導指出,中國政府與國企的大量銀彈支援,成為中國半導體企業堅強後盾,去年長江存儲等中國存儲晶片業者來自官方與國資的投資補貼將近人民幣500億元。當前長江存儲的232層NAND技術,幾乎逼近領軍韓企三星和SK海力士的規模,前者據傳有236層,後者最大層數為238層。

不久前,美國加州法院判決長江存儲控告美光科技及全資子公司美光消費產品公司侵犯其專利,等於是直接展示中國廠商在NAND快閃記憶體上突飛猛進的成果。

業內人士表示,在中國政府持續投入下,記憶體等領域中韓差距縮小的速度將會加速。另有觀點認為,隨著摩爾定律逐漸遇上物理極限後,中國可能會抓住另一種機遇,透過高效封裝的方式提升晶片競爭力。

報導指出,當前中國在半導體封裝領域市占僅次於台灣,且去年在IDC封裝企業榜中,有長電科技、通富微電、華天三家中企進入前十位,相較之下,韓國則沒有企業上榜。

另有業內人士指出,就算中企有大幅進展,但他們仍使用過時與較舊型的製造設備來生產晶片,這可能代表中企產品的產量、良率較低,較沒有市場競爭力。美國目前聯合日本與荷蘭擴大限制半導體設備輸出中國,艾司摩爾對於當前荷蘭政府規定表示,規定有涉及最先進的DUV設備,但並非所有浸潤式DUV設備都無法出口中國。

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