隨著電動車(EV)日益普及,車廠為了開發成本更低、續航里程更長的車型,無不設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率,以增加競爭優勢。德州儀器(TI)推出新式強化型絕緣式閘極驅動器 UCC5880-Q1,協助工程師打造更安全且高效的SiC/IGBT 牽引逆變器,同時降低系統設計複雜度和成本,進而大幅增加電動車續航里程。
以往牽引逆變器多使用絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。不過,隨著半導體技術進步,碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)能夠提供比IGBT更高頻率的開關能力,還能透過降低電阻和開關損耗來提高效率,同時增加功率和電流密度,尤其對於功率>100kW和800V的匯流排,需要具備可靠絕緣技術、高驅動強度以及故障監控和防護功能的絕緣式閘極驅動器。
EV正在推動從加工處理到功率半導體的全面技術創新,馬達控制和動力系統設計對EV的續航里程和駕駛性能有直接的影響。將準確的電流感測器和具有即時控制功能的智慧MCU相結合,有助於降低延遲並提升馬達控制迴路的準確度,促成速度和扭矩的平穩轉換。
TI提供廣泛的整合式半導體技術組合,讓汽車製造商和第一階(Tier-1)供應商能有足夠彈性實現高性能與低成本需求。
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