為電動車減少20％功耗 聯電攜日商 新一代IGBT量產

為搶攻車用晶片市場，聯電日本子公司USJC與日本車用電子供應商電裝株式會社（DENSO），10日宣布共同合作生產絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT），現階段已於USJC量產。雙方合作產線將負責生產新一代IGBT，與過去元件相比，IGBT可減少20％功率耗損，預計2025年每月晶圓產能將達到一萬片。

IGBT為功率半導體，目前主要由歐洲、日本等大廠所掌握，應用於電動車、太陽能、儲能設備等。業界估計，一台電動車就需要上百顆IGBT，是一般汽油車的7到10倍，加上太陽能儲能設備的需求量也很大，IGBT缺貨市況可能會持續到2024年。

聯電指出，隨著電動車迅速普及，汽車製造商尋求提高動力總成效率的同時，也需要顧及電動車成本效益。日本DENSO和聯電USJC合作投資的產線，負責生產DENSO開發的新一代IGBT，與早期元件相比，新一代IGBT可減少20％的功率耗損。預計到2025年，每月產量將達到一萬片晶圓。

USJC和日本DENSO繼去年在電動車用關鍵功率半導體建立策略合作夥伴關係後，針對首次出貨舉辦儀式，紀念重要里程碑。本次儀式在日本三重縣的聯電USJC晶圓廠舉辦，出席者包括DENSO社長有馬浩二、聯電共同總經理王石、日本經濟產業省商務情報政策局長野原諭、三重縣知事一見勝之及桑名市市長伊藤德宇。