台灣國際半導體展(SEMICON Taiwan)14日登場,「化合物半導體」為焦點之一。鴻鎵科技展出領先業界的氮化鎵(GaN)e-Bike及無人機馬達應用的IPM(Intelligent Power Module,智慧功率模組)原型;而針對5G通訊GaN/SiC(碳化矽)磊晶片,則預計2023年第一季完成客戶驗證,量產5G微基站通訊用晶片。

鴻鎵科技GaN磊晶技術源自日本電信集團NTT-AT。今年參與台灣國際半導體展,展出內容除了呈現氮化鎵磊晶核心技術之外,同時也展出鴻鎵科技在GaN功率元件、電源、馬達等相關應用的研發成果與成功案例。

在電源應用方面,鴻鎵科技展出對應38W至120W快充電源及200W路燈電源應用方案,可提供客戶快速設計並驗證電源產品;針對快充電源65W,由鴻鎵科技提供GaN FET,經上市公司電源大廠環隆科技生產,已成功打入日本市場,產品於今年10月開始出貨。

鴻鎵科技表示,GaN FET應用於大W數電源模組,正與日本大廠進行90W~120W GaN FET路燈電源開發,進軍越南市場及南美洲市場。另外,資料中心伺服器GaN FET電源模組開發專案也積極洽談中。

在GaN IPM方面,可以將相同馬力馬達控制器尺寸縮小及效率提升,在同等條件下馬達使用GaN IPM可創造e-Bike及無人機更好的效率及續航力。鴻鎵科技預計於2023年第一季推出正式氮化鎵IPM的產品。

鴻鎵科技指出,除了氮化鎵電源產品,也佈局在綠能減碳氮化鎵應用產品。發展初期主要佈局650V中壓電源應用市場,目前也積極開發1200伏電動車應用的氮化鎵功率元件,預計未來3年內會具有涵蓋高中低電壓氮化鎵產品,成為具有最完整產品應用於氮化鎵電源及綠能產品應用的領導廠商。

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