【時報記者葉時安台北報導】美光(Micron)位於廣島(Hiroshima)的日本廠於7月8日發生跳電意外。據TrendForce調查,以第三季產能來看,該廠月產能占美光月產能約30%;若以全球產能來看,投片占比則約7%。主要投產製程為1Z nm,其投片比重為50%以上,其次為1Y nm,占比亦有接近35%。由於跳電發生時機台亦同時啟動不斷電系統,但因壓降的影響,機台需要重啟與檢查,而跳電時間約5~10分鐘,故受影響的產能有限。
該廠主要是R&D的研發中心,下一代製程1beta nm亦將優先於該廠內投產。而觀察其產品別,現階段以產出智慧型手機相關的mobile DRAM為主。TrendForce同時表示,自年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱,使得各原廠的記憶體庫存皆位於較高水位,且跳電對美光產能影響較低,美光亦能使用其庫存來滿足客戶端的需求,故對整體DRAM供需市場並無造成衝擊。
TrendForce同步觀察到,向來對市況會有即時反應的現貨市場,在跳電發生至今,並未有需求增加,或是發生客戶急單的市場反應,價格端完全沒有發出止跌訊號,故預估此次跳電並不會扭轉記憶體供過於求的現況。TrendForce將維持原來對下半年的價格預估,意即第三季DRAM價格將季跌約10%。
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