大陸晶片業慘輸台韓 猛砸43兆靠這狠招能超車？

全球晶片荒問題未解，各國紛紛砸重金發展半導體產業，大陸也喊出2025半導體自主的目標，然而受到美國貿易、經濟等制裁，大陸發展晶片業並不順利，尤其在先進製程領域更被多位專家評估落後世界水準三至四代。即使如此，有專家點出，第三代半導體將是大陸晶片業能否彎道超車的關鍵。

綜合外媒報導，市場研究機構IDC數據顯示，過去三年大陸至少有6個晶片製造專案以失敗收場，但全球不能小看大陸拓展半導體技術的決心，他們正透過半導體設備、技術以及生態體系著手，評估十年之後，大陸可以逐步擠進半導體產技術的領先族群中。

此外，第三代半導體也是大陸搶攻的重點，先前外媒曾披露，大陸砸下10兆人民幣（約新台幣43兆）發展第三代半導體技術，並著重其材料研發與技術，國際半導體產業協會（SEMI）研究指出，2023年大陸可望成為全球功率和化合物半導體晶圓廠產能的領導者。

第三代半導體材料為氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC），比第一代半導體的材料矽（Si）、鍺（Ge）第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）擁有更好的物理和化學特性，並具備快速散熱、耐高電壓、電流的特性。

報導指出，隨著未來的高科技產品對高電壓、電流半導體的需求不斷增加，第三代半導體可望成為接下來的發展重心，而若大陸成為領頭羊，可成為其長期發展先進製程的重要動力。