意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)新推出之STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大,上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns,能夠驅動GaN加強型FET高頻開關。

STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V,還適用於驅動N溝道矽基MOSFET,在驅動GaN元件時,可以靈活地施加最高6V閘極-源極電壓(Gate-Source Voltage,VGS),確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準。

此外,驅動器還整合一個自舉電路,可最大限度降低物料清單成本,簡化電路板布局。自舉電路使用同步整流 MOSFET開關二極體,使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值,讓驅動器只勳使用一個電源,而無需低壓降穩壓器(Low-Dropout Regulator,LDO)。

驅動器內建完備的安全保護功能,其中,高低邊驅動欠壓鎖定(UVLO)可以防止功率開關二極體在低效率或危險狀況下運行;互鎖保護則可以避免開關二極體交叉導通。其他保護功能包括過熱保護、省電關閉功能專用腳位。

STDRIVEG600適用於高壓PFC、DC/DC和DC/AC轉換器、開關電源、UPS電源系統、太陽能發電,以及家電、工廠自動化和工業驅動設備的馬達驅動控制等應用。

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